聚（５，５′－二（噻吩－２－基）苯并［２，１－ｂ；３，４－ｂ′］二噻吩）及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途制造技术

包含式（Ｉ）的基团作为重复单元并且具有５，０００－２００，０００ｇ／ｍｏｌ的数均分子量Ｍｎ的聚（５，５′－二（噻吩－２－基）苯并［２，１－ｂ；３，４－ｂ’］二噻吩），其中Ｒ独立地选自ａ）Ｃ１－２０烷基，ｂ）Ｃ２－２０链烯基，ｃ）Ｃ２－２０炔基，ｄ）Ｃ１－２０烷氧基，ｅ）－Ｙ－Ｃ３－１０环烷基，ｆ）－Ｙ－Ｃ６－１４芳基，ｇ）－Ｙ－３－１２元环杂烷基或ｈ）－Ｙ－５－１４元杂芳基，其中Ｃ１－２０烷基、Ｃ２－２０链烯基、Ｃ２－２０炔基、Ｃ３－１０环烷基、Ｃ６－１４芳基、３－１２元环杂烷基和５－１４元杂芳基各自任选被１－４个基团Ｒ１取代，Ｒ１独立地选自ａ）Ｓ（Ｏ）ｍ－Ｃ１－２０烷基，ｂ）Ｓ（Ｏ）ｍ－ＯＣ１－２０烷基，ｃ）Ｓ（Ｏ）ｍ－ＯＣ６－１４芳基，ｄ）Ｃ（Ｏ）－ＯＣ１－２０烷基，ｅ）Ｃ（Ｏ）－ＯＣ６－１４芳基，ｆ）Ｃ１－２０烷基，ｇ）Ｃ２－２０链烯基，ｈ）Ｃ２－２０炔基，ｉ）Ｃ１－２０烷氧基，ｊ）Ｃ３－１０环烷基，ｋ）Ｃ６－１４芳基，ｌ）３－１２元环杂烷基或ｍ）５－１４元杂芳基，Ｙ独立地选自二价Ｃ１－６烷基，或共价键；和ｍ独立地选自０、１或２。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚(5，5' -二(噻吩-2-基)苯并 二噻 吩)及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途本专利技术涉及聚(5，5' -二(噻吩-2-基)苯并 二噻吩)及其 作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途。在二十世纪下半叶开发(微)电子器件的惊人结构单元是基于无机电极、绝缘 体和半导体的场效应晶体管(FET)。已经证明这些材料可靠、高效且具有根据众所周知的 Moore定律周期性提高的性能。不与常规硅技术竞争，基于分子材料和聚合物材料的有机 FET(OFET)可能大规模应用于低性能存储元件以及集成光电子器件，如在有源阵列有机发 光二极管显示器、RFID标签、智能ID标签和传感器中的像素驱动器(pixel drive)和开关 元件。作为开发几种导电性或半导体性有机聚合物的结果，它们在有机薄膜晶体管 (OTFT)中作为有源层并因而作为半导体的应用赢得越来越多的关注。在OTFT中使用有机半导体相比于迄今为止所使用的无机半导体具有一些优点。 它们可以以从纤维到薄膜的任何形式加工，具有高机械柔韧性，能以低成本生产且重量轻。 然而，显著的优点是可以通过在大气压力下例如通过印刷技术在聚合物基底上由溶液沉积 本文档来自技高网...

【技术保护点】
包含式（Ⅰ）的基团作为重复单元并且具有５，０００－２００，０００ｇ／ｍｏｌ的数均分子量Ｍ↓［ｎ］的聚（５，５′－二（噻吩－２－基）苯并［２，１－ｂ；３，４－ｂ’］二噻吩）：＊＊＊　　其中　　Ｒ独立地选自ａ）Ｃ↓［１－２０］烷基，ｂ）Ｃ↓［２－２０］链烯基，ｃ）Ｃ↓［２－２０］炔基，ｄ）Ｃ↓［１－２０］烷氧基，ｅ）－Ｙ－Ｃ↓［３－１０］环烷基，ｆ）－Ｙ－Ｃ↓［６－１４］芳基，ｇ）－Ｙ－３－１２元环杂烷基或ｈ）－Ｙ－５－１４元杂芳基，　　其中Ｃ↓［１－２０］烷基、Ｃ↓［２－２０］链烯基、Ｃ↓［２－２０］炔基、Ｃ↓［３－１０］环烷基、Ｃ↓［６－１４］芳基、３－１２元环杂烷基和５－１４元杂芳基各自任选...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·卡斯特勒，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：DE