有机电致发光器件制造技术

技术编号:7111623 阅读:205 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种有机电致发光器件,包括:包括第一至第四像素区域的第一基板;有机电致发光二极管,所述有机电致发光二极管位于所述第一基板上并且位于所述第一至第四像素区域的每一个中,所述有机电致发光二极管发出白光;面对所述第一基板的第二基板;以及滤色器层,所述滤色器层位于所述有机电致发光二极管和所述第二基板之间,或者位于所述有机电致发光二极管和所述第一基板之间,并且包括分别与所述第一至第四像素区域对应的红色滤色器图案、绿色滤色器图案、蓝色滤色器图案和白色滤色器图案,其中,所述白色滤色器图案具有对于蓝色光的第一透射率并且具有对于红色光和绿色光的第二透射率,其中所述第一透射率大于所述第二透射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机电致发光器件(OELD),更具体来讲,涉及一种具有降低的功耗和改善的环境对比度的OELD。
技术介绍
新型平板显示器件OELD是自发光类型。OELD具有出色的视角、对比度等特性。此外,由于OELD不需要背光组件,所以OELD的重量低,并且功耗低。此外,OELD具有高响应速度、低生产成本等优点。OELD可以分类为无源矩阵类型和有源矩阵类型。在无源矩阵类型OELD中,阳极与阴极垂直布置。阴极和阳极的交叉点构成发光的像素。外部电路将电流施加到被选定的阳极带和阴极带,以使得一个像素开启,而其他像素关闭。每一像素的亮度与所施加的电流量成比例。无源矩阵类型OELD容易制造,但需要较高的功率。在有源矩阵类型OELD中,在每一像素中设置作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)。 与TFT连接的第一电极在每一像素中导通、关断,而面对第一电极的第二电极用作公共电极。此外,所施加的电压被充入存储电容器中,在下一帧中保持该电压。因此,有源矩阵类型OELD需要较低的功率,因而对于大型显示设备非常有效率。图1是显示现有技术OELD的像素区域的电路图。如图1中所示,在一个像素区域 P中形成栅线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管(TFT) STr、存储电容器MgC、驱动 TFT DTr和有机电致发光二极管E。栅线GL和数据线DL彼此交叉,以限定像素区域P,而电源线PL被形成为平行于数据线DL。在栅线GL和数据线DL的交叉部分形成开关薄膜晶体管STr。驱动TFT DTr与开关TFT STr电连接。驱动TFT DTr与有机电致发光二极管E电连接。更详细来讲,有机电致发光二极管E的第一电极与驱动TFT DTr的漏极连接,有机电致发光二极管E的第二电极与电源线 PL连接。电源线PL向有机电致发光二极管E提供源电压。存储电容器Cst设置在驱动TFT DTr的栅极和源极之间。当通过栅线GL向开关TFT STr施加信号以导通所述开关TFT STr时,将来自数据线DL的信号施加于驱动TFT DTr的栅极,以导通所述驱动TFT DTr。结果,从有机电致发光二极管E发出光。在这种情况下,当驱动TFT DTr导通时,确定从电源线PL施加到有机电致发光二极管E的电流等级,以便有机电致发光二极管E能够产生灰度级。存储电容器 MgC用于当所述开关TFT STr截止时保持所述驱动TFT DTr的栅极的电压。因此,即使所述开关TFT STr截止,从电源线PL施加到有机电致发光二极管E的电流等级仍然保持到下一帧。OELD的有机发光层可以包括用于发出红色、绿色和蓝色光的有机发光材料。替代地,有机发光层可以包括用于发出白光的有机发光材料,并在每一像素中形成红色、绿色和蓝色滤色器图案。近来,为了提高亮度和降低功耗,引入了使用白色像素与红色、绿色和蓝色像素一起来显示彩色图像的OELD。另一方面,为了改善显示器件的环境对比度(ACR),在显示器件的最外侧设置圆偏振器。令人遗憾的是,所述圆偏振器导致功耗增加。为了防止功耗增加,使用滤色器图案来增加环境对比度。然而,由于白色像素中没有滤色器图案,所以在增加环境对比度方面存在局限性。更详细来讲,包括白色有机发光层的OELD使用滤色器来显示彩色图像,意图是在不使用圆偏振器的条件下在OELD中增加环境对比度。然而,在白色像素中没有滤色器图案,因此对环境对比度造成不良影响。另一方面,包括红色、绿色和蓝色滤色器图案而不具有白色像素的OELD在环境对比度方面具有优势,但是在功耗方面存在不足。一般来讲,在包括红色、绿色、蓝色和白色像素的OELD中,当显示白光的器件的颜色坐标等于面板的基准颜色坐标时,功耗降低。通常,显示白光的器件的颜色坐标小于面板的基准颜色坐标,而通过驱动具有较低透射率的蓝色像素,所述基准颜色坐标变得更小。在这种情况下,由于蓝色像素也是与白色像素一起被驱动的,所以增加了功耗。
技术实现思路
据此,本专利技术旨在提供一种0ELD,其基本上避免了由于现有技术的局限性和不足而引起的一个或多个问题。本专利技术的附加的特点和优点将在随后的说明书中阐述,这些特点和优点的一部分根据本说明书将是明显的,或者可以通过实践本专利技术而获知。可以通过在所书写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指明的结构来实现和获得本专利技术的这些及其他优点。根据本专利技术,正如此处具体实现和概括描述的,一种有机电致发光器件包括包括第一至第四像素区域的第一基板;有机电致发光二极管,所述有机电致发光二极管位于所述第一基板上并且位于所述第一至第四像素区域的每一个中,所述有机电致发光二极管发出白光;面对所述第一基板的第二基板;以及滤色器层,所述滤色器层位于所述有机电致发光二极管和所述第二基板之间,或者位于所述有机电致发光二极管和所述第一基板之间,并且包括分别与所述第一至第四像素区域对应的红色滤色器图案、绿色滤色器图案、蓝色滤色器图案和白色滤色器图案,其中,所述白色滤色器图案具有对于蓝色光的第一透射率并且具有对于红色光和绿色光的第二透射率,其中所述第一透射率大于所述第二透射率。应理解的是,本专利技术的上述概括说明及随后的详细说明都是示例性的和解释性的,旨在为所请求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明附图被包括在内以提供对于本专利技术的进一步的理解,它们被并入并构成本申请的一部分;附示出本专利技术的实施方式并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1是显示现有技术OELD的像素区域的电路图。图2是示出根据本专利技术的OELD的红色、绿色、蓝色和白色像素区域的示意剖视图。图3是示出OELD中的功耗的图表。图4是示出OELD中的外界光反射的曲线图。具体实施例方式现在将详细参考本专利技术的优选实施方式进行描述,附图中图示出了这些实施方式的一些例子。图2是示出根据本专利技术OELD的红色、绿色、蓝色和白色像素区域的示意剖视图。为了说明方便起见,定义了形成开关薄膜晶体管(TFT)的开关区域、和形成驱动TFT的驱动区域。如图2中所示,根据本专利技术的OELD 101包括第一基板110、开关TFT(未示出)、 驱动TFT DTr、有机电致发光二极管E、面对第一基板110的第二基板170、和滤色器层175。 开关TFT (未示出)、驱动TFT DTr和有机电致发光二极管E位于第一基板110上,而滤色器层175位于第二基板170上。滤色器层175包括红色滤色器图案R、绿色滤色器图案G、蓝色滤色器图案B和白色滤色器图案W。在第一基板110上,在驱动区域DA中形成第一半导体层113,第一半导体层113包括作为沟道的第一区域113a、和位于第一区域113a两侧的第二区域11北。第一区域113a 由本征多晶硅形成,在第二区域11 中掺杂了高浓度杂质。尽管未示出,可以在第一基板 110和第一半导体层113之间形成由无机绝缘材料构成的缓冲层,所述无机绝缘材料比如是硅氧化物和硅氮化物。由于所述缓冲层,防止了在半导体层113的结晶化处理期间由于来自所述第一基板110的碱离子而导致的半导体层113的特性恶化。尽管没有示出,在开关区域中形成第二半导体层,所述第二半导体层包括作为沟道的第三区域、和位于第三区域两侧的第四区域。在第一半导体层113和第二半导体层上形成栅绝缘层116,并在栅绝缘层116上形成第一栅极120。第一栅极120本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件,包括:包括第一至第四像素区域的第一基板;有机电致发光二极管,所述有机电致发光二极管位于所述第一基板上并且位于所述第一至第四像素区域的每一个中,所述有机电致发光二极管发出白光;面对所述第一基板的第二基板;以及滤色器层,所述滤色器层位于所述有机电致发光二极管和所述第二基板之间,或者位于所述有机电致发光二极管和所述第一基板之间,并且包括分别与所述第一至第四像素区域对应的红色滤色器图案、绿色滤色器图案、蓝色滤色器图案和白色滤色器图案,其中,所述白色滤色器图案具有对于蓝色光的第一透射率并且具有对于红色光和绿色光的第二透射率,其中所述第一透射率大于所述第二透射率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:金禾景
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:KR

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