【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电真空
,特别涉及采用双层膜和双层钨海绵基体结构的长寿命覆膜浸渍钡钨阴极及制备方法,从而提高钡钨阴极的发射电流密度,增加活性物质的储存,延长阴极寿命。
技术介绍
随着真空微波器件特别是军用微波器件的发展,对阴极的寿命提出了大于10年的要求。对于长寿命阴极来说要满足以下要求(1)工作温度低,这样降低了活性物质的蒸发并减轻了热子的负担;(2)逸出功小,这样可在较低工作温度下提供所需发射电流;(3) 足够的活性物质的储存,以保证在有效的工作期间内源源不断补充由于蒸发和中毒所造成的活性物质的损失。传统的覆膜浸渍钡钨阴极即M型阴极已经无法满足上述要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是制备一种双层膜和双层钨海绵基体结构的长寿命覆膜浸渍钡钨阴极,以提高钡钨阴极的发射电流密度,增加活性物质的储存,延长阴极寿命。为了达到上述目的,本专利技术的技术解决方案是一种长寿命覆膜浸渍钡钨阴极,包括钼筒、热子、阴极;钼筒内的隔断将钼筒内分为两个容腔,一容腔内固接有热子,热子的引线由外端伸出;另一容腔内固接有阴极;其所述阴极采用双层膜和双层钨海绵基体结构;其中,阴极轴向分为两 ...
【技术保护点】
1.一种长寿命覆膜浸渍钡钨阴极,包括钼筒、热子、阴极;钼筒内的隔断将钼筒内分为两个容腔,一容腔内固接有热子,热子的引线由外端伸出;另一容腔内固接有阴极;其特征在于,所述阴极采用双层膜和双层钨海绵基体结构;其中,阴极轴向分为两层钨海绵基体(31、32),底层钨海绵基体(31)与隔断固连,底层孔度为34%-36%;上层钨海绵基体(32)的孔度为22%-24%;在上层钨海绵基体(32)的外端面,顺序覆有两层膜,内层为Re膜(33),在Re膜(33)外端为一层Os-W膜(34)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张明晨,张洪来,刘濮鲲,李玉涛,
申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所,
类型:发明
国别省市:11
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