掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池，该电池采用P型硅为基体，P型硅基体的前表面上有磷扩散层，磷扩散层上覆有SiNx或SiOx减反射钝化膜，减反射钝化膜上有正面Ag电极，正面Ag电极底面通过烧结烧穿钝化膜后与磷扩散层接触；P型硅基体的背面覆有p型掺杂SiCx钝化膜，p型掺杂SiCx钝化膜开槽并制作背面Al电极，背面Al电极在背面开槽处与P型硅基体形成接触。本实用新型专利技术将掺杂的SiCx薄膜应用于高效太阳电池，通过控制SiCx膜层的掺杂类型及浓度，使p型硅片基体背面诱导形成背表面场，利用其优良的钝化特性以及诱导背场的作用来提高电池效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体硅太阳能电池制造领域，具体为一种利用掺杂碳化硅薄膜诱导背场来制备高效太阳电池。
技术介绍
从目前的光伏市场来看，硅太阳电池占据大部分的市场份额。根据所使用的材料类型的不同，硅太阳电池可以分为晶体硅太阳电池以及薄膜硅太阳电池。由于设备昂贵、工艺较复杂以及转化效率较低等原因，薄膜硅太阳电池所占市场份额要远远小于晶体硅太阳电池。根据预测，晶体硅太阳电池在未来几年内仍将是光伏市场的主流产品。因此，提高晶体硅太阳电池的转化效率，降低综合发电成本，对整个光伏行业的发展具有重要意义。为了降低光伏发电成本，降低太阳电池制造成本或者提高太阳电池的转化效率是两个有效途径。随着工业生产技术的不断进步，太阳电池制造成本在不断下降，电池效率也在不断提高。在目前铝背场常规工艺条件下，由于背表面复合的影响，太阳光谱中的长波损失比较严重，电池效率难以得到明显地提高。因此，背面钝化及点接触电池结构受到广泛的关注。根据计算，普通铝背场电池的背表面复合速度约为1000-1500cm/s， 根据理论模拟，在lOOOcm/s的附近区域内，背表面复合速度对电池效率具有非常明显的影口向Metz，A. and R.本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池，其特征在于：它包括：正面Ａｇ电极（１）、ＳｉＮｘ或ＳｉＯｘ减反射钝化膜（２）、磷扩散层（３）、Ｐ型硅基体（４）、ｐ型掺杂ＳｉＣｘ钝化膜（５）、背面Ａｌ电极（６）；所述Ｐ型硅基体（４）的前表面上有磷扩散层（３），磷扩散层（３）上覆有ＳｉＮｘ或ＳｉＯｘ减反射钝化膜（２），减反射钝化膜（２）上有正面Ａｇ电极（１），正面Ａｇ电极（１）底面与磷扩散层（３）接触；Ｐ型硅基体（４）的背面覆有ｐ型掺杂ＳｉＣｘ钝化膜（５），ｐ型掺杂ＳｉＣｘ钝化膜（５）开槽并制作背面Ａｌ电极（６），背面Ａｌ电极（６）在背面开槽处与Ｐ型硅基体（４）接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓强，邢国强，陶龙忠，姜庆堂，夏正月，杨灼坚，高艳涛，董经兵，宋文涛，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32