【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有可变电阻电路的半导体集成电路。
技术介绍
图3示出了现有的具有可变电阻电路的半导体集成电路。如图3所示，微调电路 351 具有=PMOS 晶体管 310、311、312 ；NPN 晶体管 313、314、315 ；恒流源 316、317、318 ；控制信号输入用焊盘321、322、323 ；以及配线D、E、F。PMOS晶体管310、311、312的源极均与VDD 端子连接，栅极均与控制端子VG连接。NPN晶体管313的基极与恒流源316及控制信号输入用焊盘321连接，发射极与VSS端子连接，集电极与配线D及PMOS晶体管310的漏极连接。NPN晶体管314的基极与恒流源317及控制信号输入用焊盘322连接，发射极与VSS端子连接，集电极与配线E及PMOS晶体管311的漏极连接。NPN晶体管315的基极与恒流源 318及控制信号输入用焊盘323连接，发射极与VSS端子连接，集电极与配线F及PMOS晶体管312的漏极连接。恒压电路341具有放大器301、构成输出分压电路的电阻302 306、源极和漏极分别与电阻303 305并联连接的NMOS晶体...
【技术保护点】
１．一种具有可变电阻电路的半导体集成电路，其特征在于，具有：电阻电路，其串联连接有多个电阻；选择电路，其具有选择所述多个电阻的串联连接数量的多个开关元件；以及控制电路，其控制所述开关元件的导通电阻值，所述控制电路控制为，使得所述开关元件的导通电阻值与所述电阻电路的电阻的电阻值成为预定比例。
【技术特征摘要】
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