一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯制造技术

本实用新型专利技术是有关于一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，主要包括PCB板以及安装于同一PCB板上的交流驱动芯片和多个LED发光二极管，其中，LED发光二极管均与交流驱动芯片电连接。本实用新型专利技术涉及一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，整体使用寿命更长，且适于集中大面积使用，从而克服了现有的LED灯的不足。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及照明领域领域的一种LED灯，特别是涉及一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯。
技术介绍
当今LED灯已经被广泛地应用于各个领域，具有寿命长、光效高、无辐射、低功耗等特点。但是一般的LED灯管(灯泡)由于驱动电路的中多使用无源器件，特别是必须使用高温环境中寿命较短的电解电容(寿命只有数千小时)，以至驱动电路的寿命大大低于 LED的使用寿命，从而限制了 LED照明设备的整体寿命。此外，小功率的LED灯管(灯泡)， 功率因数低、谐波高，不适宜集中大面积使用，因此无法替代现有的紧凑式荧光灯，使用范围也受到一定的限制。由此可见，上述现有的LED灯在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。如何能创设一种整体使用寿命更长，且适于集中大面积使用的新型结构的用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，实属当前本领域的重要改进目标之一。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，使其整体使用寿命更长，且适于集中大面积使用，从而克服现有的LED灯的不足。为解决上述技术问题，本技术一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，主要包括PCB板以及安装于同一 PCB板上的交流驱动芯片和多个LED发光二极管，其中，LED发光二极管均由交流驱动芯片驱动。作为本技术的一种改进，所述的PCB板固定在灯头组件上，并在PCB板的背面固定有散热器。所述的PCB板的前面和端部还固定有装饰盖。所述的交流驱动芯片包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲-电压比较模块和半导体场效应晶体管M0SFET，其中第一个MOSFET的源极与地电位连接，栅极直接连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED发光二极管的串联线路上；其它MOSFET的源极通过能够等效为电阻的元件组与地电位连接，栅极连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、 同时连接于前一组缓冲-电压比较模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED 发光二极管的串联线路上；上述缓冲-电压比较模块的另一输入端与电压分配模块连接； 电压输入模块的输出端还与LED发光二极管串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。所述的电压输入模块为半导体场效应晶体管，其栅极与外部电压输入端连接，漏极经能够等效为电阻的元件组连接于地电位，源极即为电压输入模块的输出端。所述的交流驱动芯片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管，其集电极通过一个正向连接的二极管与电压输入模块的栅极连接、并通过电感与外部电压输入端连接，发射极通过反向连接的二极管与地电位连接。所述的半导体场效应晶体管MOSFET为V型槽场效应 晶体管VM0S。所述的电压输入模块为增强型金属_氧化层_半导体场效应晶体管。所述的交流驱动芯片还连接有整流电路、EMC电路以及浪涌吸收电路。所述的EMC电路主要包括位于干路上的电感L，以及与整流电路并联的电容C。采用这样的设计后，本技术至少具有以下优点1、驱动电路(包括EMC与浪涌吸收电路)和全部LED发光二极管都安装在一块 PCB上，一次贴片完成，大大简化了生产工艺与装配工艺，并提高了产品的可靠性；2、由于不需要独立驱动器，因此整个LED灯管，外形小巧，直径和长度都与15W节能灯相仿，在横插的筒灯中可直接替换。附图说明上述仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，以下结合附图与具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。图1是本技术一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯的分解结构示意图。图2是本技术一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯的电路连接示意图。图3是本技术一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯的交流驱动芯片的电路连接示意图。具体实施方式请参阅图1所示，本技术用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，主要包括PCB板1， 以及安装于同一 PCB板1上的交流驱动芯片2，和多个LED发光二极管3，此外，PCB板1可固定在灯头组件4上，并在PCB板1的背面固定有散热器5，在PCB板1的前面和端部固定装饰盖6。请配合参阅图2所示，LED发光二极管均由交流驱动芯片驱动，交流驱动芯片还连接有整流电路、EMC(Electrc) Magnetic Compat ibility，电磁兼容性)电路以及浪涌吸收电路等。其中，EMC电路主要包括位于干路上的电感L，以及与整流电路并联的电容C。请配合参阅图3所示，本技术所使用的交流驱动芯片主要包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲_电压比较模块21和半导体场效应晶体管MOSFET Ql-Qn。其中，半导体场效应晶体管MOSFET Ql-Qn可采用V型槽场效应晶体管VM0S。 MOSFET Ql的源极与地电位相连，栅极直接连接于第一组缓冲_电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，第一组缓冲-电压比较模块的另一个输入端分别连接至串联电阻Rl和R2之间的连接点处，第一组缓冲-电压比较模块输出端与MOSFET Q2 的栅极相连，MOSFET Ql的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED发光二极管的串联线路上。MOSFET Qn(η > 1)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，栅极连接于第η组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于前一组缓冲_电压比较模块的输出端，第η组缓冲-电压比较模块的另一个输入端连接至串联电阻R2n-1和R2n之间的连接点处，MOSFET Qn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED发光二极管的串联线路上。电压分配模块即由上述Rl和R2，R2n-1和R2n组成的η条支路并联组成。电压输入模块可采用增强型金属_氧化层_半导体场效应晶体管M0SFETQ0，其输出端与LED发光二极管的串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。此外，交流驱动芯片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管Qi， 其集电极通过一个正向连接的二极管Dl与电压输入模块QO的栅极连接、并通过电感L与外部电压输入端VIN连接，发射极通过反向连接的二极管D2与地电位连接。电压输入模块QO的栅极与外部电压输入端VIN连接，QO的漏极经一电阻Rx连接于地电位，QO的源极即为电压输入模块的输出端、经电压分配模块连接于地电位。图中驱动的LED组件为6个LED灯段，每段LED由两个LED灯组成，其中每个LED灯均由6个LED 发光二极管串联而成，每个LED的压降为3V，因此每个LED灯段全亮时两端电压为3X 12 = 36V。当线路电压从VIN端输入时，与VI N端口相连的QO的栅极电压处于高电位，QO开始导通，QO的源极之输出电压即VDD随之上升；则晶体管M0SFETQ1的栅极电压上升，Ql就开始导通，LEDU LED2开始点亮发光；同时第一组缓冲-电压比较模块的输入端IA为高电位；若电压输入端VIN的电压较低，第一组缓冲_电压比较模块的输入端IB为低电位，第一组缓冲_电压比较模块输出低电位，Q2的栅极处于地电位，Q2处于截止状态。以此类推，Q 3-Q6也处于截止状态。随着VIN端输入电压增加，Ql开始进入饱和状态且电阻Rl分担的电压增加， IB端点电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用来取代紧凑式荧光灯的ＬＥＤ灯，其特征在于主要包括ＰＣＢ板以及安装于同一ＰＣＢ板上的交流驱动芯片和多个ＬＥＤ发光二极管，其中，ＬＥＤ发光二极管均由交流驱动芯片驱动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张高柏，陈卫平，
申请(专利权)人：陈卫平，
类型：实用新型
国别省市：31