【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体地说，涉及一种半导体器件的刻录方法。
技术介绍
随着半 导体技术的快速发展，半导体器件越来越精密，使得人们对工艺误差的控制难度加大。刻录制程是半导体器件制造的一个重要环节，在刻录制程中如何获得更好的关健尺寸变得越来越重要。现有技术中刻录图形的方法是首先在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，且刻录胶厚度均勻；然后进行显影步骤，如果采用的是正刻录胶，则曝光区的刻录胶被移除掉；然后进行蚀刻步骤，在被蚀刻层上蚀刻出需要的电路图形；最后将剩于的刻录胶移除。采用现有方法显影步骤后检视发现，图形关健尺寸均勻度较好。但是，经过蚀刻步骤后检视发现，图形关键尺寸均勻度较差，晶圆中心部分的图形关键尺寸比边缘部分的图形关键尺寸变化小。采用现有的方法，使得蚀刻图形与所需要的电路图形相差较多，且由于在晶圆不同位置，图形失真情况也不一样，采用传统方法如光学趋近校正及曝光机趋近校正由于其本身的局限也无法使蚀刻图形达到要求。有鉴于此，需要提供一种新的刻录方法以改善上述情况。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的缺陷，提供，该方法包括如下步骤51、在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均勻增加；52、刻胶完成后，进行曝光；53、曝光完成后，进行显影；54、显影完成后，进行蚀刻；55、蚀刻完成后，移除剩余的刻录胶。实施本专利技术的刻录方法，具有以下有益效果通过在晶圆的被腐蚀层表面镀刻录胶时将胶的分布厚度进行控制来获得均勻度较好的电路图形，让晶圆各个位置图形的失真情况一致，方便采用传统方法进行校正，从而控制性刻图形的一致性。...
【技术保护点】
１．一种刻录方法，其特征在于：包括如下步骤，Ｓ１、在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加；Ｓ２、刻胶完成后，进行曝光；Ｓ３、曝光完成后，进行显影；Ｓ４、显影完成后，进行蚀刻；Ｓ５、蚀刻完成后，移除剩余的刻录胶。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：辛丽华，
申请(专利权)人：众网软件科技大连有限公司，
类型：发明
国别省市：91
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