本发明专利技术涉及一种触控面板，包括一可挠性基板以及一导电薄膜。导电薄膜配置于可挠性基板上，其中导电薄膜的面阻值介于10-4欧姆/平方(Ω/□)至200欧姆/平方，且导电薄膜的光穿透率至少为87％。导电薄膜可包括多条金属丝段，也可包括一金属网。采用细微状结构的金属材料作为导电薄膜使得导电薄膜兼具有高光线穿透率、低面阻值与良好的可挠曲性，从而使得触控面板的可挠性大幅提升。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种触控面板，尤其涉及一种具有高光线穿透率及低面阻抗的触控面板。
技术介绍
为了达到更便利、体积更轻巧化以及更人性化的目的，许多信息产品的输入方式已由传统的键盘或鼠标等装置，转变为使用触控式装置作为输入的方式。触控式装置可组装在诸多种类的平面显示器上，以使平面显示器兼具有显示画面以及输入操作信息的功能。就目前常见的触控式装置而言，电容式触控面板以及电阻式触控面板最为普及。 尤其是，使用者仅需轻触电容式触控面板表面即可进行触控操作而使电容式触控面板更为使用者所热爱。值得一提的是，无论电容式触控面板或是电阻式触控面板，都需要采用整层铟锡氧化物andium Tin Oxide，简称为ΙΤ0)薄膜作为感测用的导电薄膜。然而，铟锡氧化物薄膜沉积于可挠性基板上时，仅能采用制程温度较低的制程。低温制程使得铟锡氧化物薄膜的光线穿透率与面阻值呈现相反的变化趋势。所以，铟锡氧化物薄膜的使用无法兼顾电性与光穿透性，而无法达到理想的品质。另外，铟锡氧化物薄膜的可挠性不佳而容易造成产品的损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种触控面板，其具有良好的电性与光穿透性。本专利技术提供一种触控面板，包括一可挠性基板以及一导电薄膜。导电薄膜配置于可挠性基板上，其中导电薄膜的面阻值介于10_4欧姆/平方(Ω / □)至200欧姆/平方， 且导电薄膜的光穿透率至少为87%。基于上述，本专利技术采用交织的金属丝段或是金属网作为触控面板的导电薄膜以使导电薄膜兼具有高光线穿透率、低面阻值与良好的可挠曲性。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是本专利技术触控面板的局部剖面示意图。图2Α与图2Β是本专利技术一实施例的导电薄膜在显微镜下的示意图。图2C是图2Α的导电薄膜被图案化的示意图。图3是本专利技术一实施例中采用金属丝段所构成的导电薄膜在面阻抗、分布密度与光穿透率之间的关系。图4是本专利技术另一实施例的导电薄膜在显微镜下的示意图。图5是触控面板的可 §曲性质的测量方法。主要元件符号说明100 触控面板；110 可挠性基板120U20A 导电薄膜；120Β 金属网；122Α 金属丝段；122Β 封闭孔洞；200 治具；d 直径；D 菱形图案；1、2:分布线；W:线宽。具体实施例方式图1是本专利技术触控面板的局部剖面示意图。请参照图1，触控面板100包括一可挠性基板110以及一导电薄膜120。导电薄膜120配置于可挠性基板110上。在本实施例中， 为了使触控面板100具有良好的光穿透性质以及良好的感测精确度，导电薄膜120的面阻值须介于10_4欧姆/平方至200欧姆/平方，且导电薄膜120的光穿透率至少为87%。也就是说，本专利技术的导电薄膜120必须兼具有高光线穿透率以及低面阻抗以使触控面板100 具有理想的品质。为了实现光线穿透率以及低面阻抗的特性，以下说明将具体地提出多个导电薄膜的实施方式，不过以下的实施方式并非用以限定本专利技术。图2A与图2B是本专利技术一实施例的导电薄膜在显微镜下的示意图。请同时参照图1与图2A，导电薄膜120A例如由多条金属丝段122A交织而成。也就是说，金属丝段122A散布(scattered)于可挠性基板110上并彼此交错以构成触控面板100上的导电薄膜120。由图2A与图2B可知，一条金属丝段 122A的长度可以由5微米(ym)至150微米，而线宽W则由5纳米(nm)至20纳米。在本实施例中，导电薄膜120A的制作方式可以是将金属丝段122A均勻混合于一透明胶体(或溶液)中。接着，将混有金属丝段122A的透明胶体(或溶液)涂布于图1的可挠性基板110，待透明胶体(或溶液)凝固后即可形成金属丝段122A所交织而成的导电薄膜120A。在实际的应用中，导电薄膜120A形成于可挠性基板110后可以随设计所需而图案化。图2C是图2A的导电薄膜被图案化的示意图。请参照图2C，假设导电薄膜120A预定要被切割成多个菱形图案D。导电薄膜120A在菱形图案D以外的部分可以通过微影蚀刻制程、激光切割制程等方式移除即可获得所需的图案。由于金属丝段122A彼此交错且实质上具有均勻的分布密度，每一个菱形图案D内的金属丝段122A彼此可电性连接。因此，图案化后的导电薄膜120A应用于触控面板100时，每一个菱形图案D可以视为一个感测电极。由此可知，导电薄膜120A可以是完整连续地配置于可挠性基板110上，也可以通过微影蚀刻制程、激光切割及印刷制程等图案化制程构成不同的图案设计。当然，导电薄膜 120A的图案设计不限于此，其也可以是多个条状电极、多个感测串列、或是其他形状的电极图案等。换句话说，本专利技术的触控面板100可以是各种电阻式触控面板或各种电容式触控面板。具体而言，图3是本专利技术一实施例中采用金属丝段所构成的导电薄膜在面阻抗、 分布密度与光穿透率之间的关系，其中横轴表示为面阻抗(单位欧姆/平方)，左侧纵轴为分布密度(单位条/微米平方)，而右侧纵轴则为光穿透率(单位％ )。请同时参照图2A与图3，由金属丝段122A所构成的导电薄膜120A中，金属丝段122A分布密度随着面阻抗的增加而减少，其如分布线1所示；而光穿透率随着面阻抗的增加而增加，其如分布线 2所示。由图3可知，金属丝段122A的分布密度在0. 09条/微米平方至0. 16条/微米平方时，光穿透率都可以维持在90%以上，且面阻抗都维持在200欧姆/平方以下。因此，导电薄膜120A具良好的光穿透性质以及良好的导电性质。换句话说，细长的金属丝段122A所占面积微小，即使细长的金属丝段122A的分布密度大于0. 09条/微米平方(pes/μ m2)，导电薄膜120A的光穿透率也可大于87%。另外，金属材质具有良好的导电性，且相邻的金属丝段122A之间彼此交错迭置以构成电性连接的网络结构。因此，导电薄膜120A的面阻值可以维持在200欧姆/平方以下，例如介于 10_4欧姆/平方至200欧姆/平方。因此，金属丝段122A即使所占面积微小仍可以达到理想的导电性质而使导电薄膜120A符合触控面板100的需求。值得一提的是，设计者更可以依照不同的需求调整金属丝段122A的分布密度以获得所需的导电薄膜120A的性质。另外，本专利技术也可以采用其他的方式是来实现高光线穿透性质以及低面阻抗的导电薄膜。举例而言，图4是本专利技术另一实施例的导电薄膜在显微镜下的示意图。请同时参照图1与图4，导电薄膜120可以由图4所示的一金属网120B所构成，其中金属网 120B具有多个不规则分布的封闭孔洞122B。金属网120B例如是金属与有机材料经自组织 (self-organization)作用而形成的网络结构。也就是说，金属网120B实质上由同平面的金属材料来构成网络结构，其与图2A的金属丝段122A交织迭置成的网络结构不完全相同。封闭孔洞122B的分布使得金属网120B具有足够的光穿透率而可作为图1的触控面板100的导电薄膜120。值得一提的是，设计者可以依照不同的需求调整封闭孔洞122B 的分布密度及尺寸大小以获得所需的导电薄膜120的性质。当然，设计者可以依照不同的需求将金属网120B图案化以获得所需的电极形状，例如条状、菱形图案、串列状等。整体而言，图1的触控面板100中，导本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种触控面板，其特征在于，包括：一可挠性基板；以及一导电薄膜，配置于所述可挠性基板上，其中所述导电薄膜的面阻值介于１０－４欧姆／平方至２００欧姆／平方，且所述导电薄膜的光穿透率至少为８７％。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林怡君，吴明坤，黄炳文，
申请(专利权)人：东莞万士达液晶显示器有限公司，胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：44
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