【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种超声波除泡装置和涂布装置。
技术介绍
半导体制造工艺中，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤，其在整个工艺过程中需要被多次使用，其稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。光刻工艺是一个复杂的过程，其本质是把临时电路结构以图形的形式复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶片上。现有工艺中，通常先利用涂布装置在晶圆上形成一层光阻层，为了防止光阻层反射照射光，影响光刻工艺的精准度，往往在所述光阻层上还涂布一层抗反射膜层；接着，将平行光经过一掩膜版照射在光阻层和抗反射膜层上，使其曝光而变质；最后，利用显影液进行显影，以完成图形的转移。其中，若形成的光阻层和抗反射膜层出现了偏差，会直接影响到后面相关工艺的进行，例如，光阻层和抗反射膜层的厚度超过预计厚度，可能造成曝光、显影不充分，得不到正常的光刻图形；而光阻层和抗反射膜层的厚度小于预计厚度，除曝光显影不正常将导致图形变形外，还可能会造成对晶圆的保护失败，晶圆在经过刻蚀工艺后报废。此外，在形成光阻层或者抗反射膜层的过程中，还有一个非常严重的问题是，往往涂...
【技术保护点】
１．一种超声波除泡装置，其特征在于，包括：密封容器，所述密封容器上设置有试剂入口、试剂出口和气体出口；设置于所述密封容器一侧的超声波发生装置，所述超声波发生装置能够将超声波发射至所述密封容器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁海涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31
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