场发射装置的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种场发射装置的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在绝缘基底的一表面形成一电子引出电极；在电子引出电极的表面形成一二次电子发射层；在绝缘基底表面形成一第一绝缘隔离层，该第一绝缘隔离层具有一第二开口以使得二次电子发射层的表面通过该第二开口暴露；提供一阴极电极板，该阴极电极板具有一第一开口，并在该阴极电极板的部分表面形成一电子发射层；以及将阴极电极板组装于第一绝缘隔离层相对于绝缘基底的另一表面，使第一开口与第二开口至少部分交叠设置以定义一电子出射部，并使得电子发射层至少部分设置在第一绝缘隔离层的第二开口处并面对电子引出电极设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
场发射装置是场发射电子器件，如场发射显示器的重要元件。现有技术中的场发射装置通常包括一绝缘基底；一设置于该绝缘基底上的阴极电极；多个设置于阴极电极上的电子发射体；一设置于该绝缘基底上的第一绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层具有通孔，所述电子发射体通过该通孔暴露，以使电子发射体发射的电子通过该通孔射出；以及一阳极电极，所述阳极电极与阴极电极间隔设置。当所述场发射装置工作时，向阳极电极施加一高电位，向阴极电极施加一低电位。所以电子发射体发射的电子通过该通孔射阳极。然而，电子发射体发射的电子会与真空中游离的气体分子碰撞，从而使气体分子电离产生离子。而且，该离子会向处于低电位的阴极电极方向运动。由于所述场发射装置的电子发射体通过所述通孔暴露，所以该电子发射体很容易受到该离子的轰击，从而导致电子发射体损坏。
技术实现思路
综上所述，确有必要提供一种可以有效避免离子轰击电子发射体的。一种，其包括以下步骤提供一绝缘基底；在绝缘基底的一表面形成一电子引出电极；在电子引出电极的表面形成一二次电子发射层；在绝缘基底表面形成一第一绝缘隔离层，该第一绝缘隔离层具有一第二开口以使得二次电子发射层的表面通过该第二开口暴露；提供一阴极电极板，该阴极电极板具有一第一开口，并在该阴极电极板的部分表面形成一电子发射层；以及将阴极电极板组装于第一绝缘隔离层相对于绝缘基底的另一表面，使第一开口与第二开口至少部分交叠设置以定义一电子出射部，并使得电子发射层至少部分设置在第一绝缘隔离层的第二开口处并面对电子引出电极设置。—种，其包括以下步骤提供一阴极电极板，该阴极电极板具有一第一开口，并在该阴极电极板的部分表面形成一电子发射层；在阴极电极板表面形成一第一绝缘隔离层，该第一绝缘隔离层具有第二开口以使得电子发射层通过该第二开口暴露；提供一绝缘基底；在绝缘基底表面依次形成一电子引出电极和一二次电子发射层； 以及将该绝缘基底组装于第一绝缘隔离层相对于绝缘基底的另一的表面，使第一开口与第二开口至少部分交叠设置以定义一电子出射部，并使得使得电子发射层至少部分设置在第一绝缘隔离层的第二开口处并面对电子引出电极设置。与现有技术相比，采用本专利技术的制备的场发射装置，由于电子出射部形成于阴极电极上，电子发射体的电子发射端不会通过电子出射部暴露，所以当电子发射体发射的电子与真空中游离的气体分子碰撞产生离子向电子引出电极方向运动时，该离子不会轰击到该电子发射体，从而使该电子发射体具有较长寿命。附图说明图1为本专利技术第一实施例提供的场发射装置的结构示意图。图2为图1的场发射装置沿II-II线剖开后的俯视图。图3为图1的场发射装置沿III-III线剖开后的仰视图。图4为本专利技术第一实施例提供的工艺流程图图5为本专利技术第二实施例提供的场发射装置的结构示意图。图6为本专利技术第三实施例提供的场发射装置的结构示意图。图7为本专利技术第四实施例提供的场发射装置的结构示意图。图8为本专利技术第五实施例提供的场发射装置的结构示意图。主要元件符号说明场发射装置100，200，300，400，500绝缘基底110,210,310,410,510第一绝缘隔离层112,212,312,412,512第二开口1120阴极电极114,214,314,414,514第一开口1140,2140,4140电子发射层116,216,316,416,516电子发射体1162,2162电子发射端1164,2164电子引出电极118,218,318,418,518二次电子发射层120,220,320,420,520第二绝缘隔离层121,221,321,421,521第三开口1212,3212栅极电极122,222,322,422,522第二突起2142第一突起2202二次电子倍增极424第四开口4240二次电子发射材料4242第三绝缘隔离层426阳极电极530具体实施例方式以下将结合附图详细说明本专利技术实施例提供的场发射装置。所述场发射装置可以包括一个或多个单元。本专利技术实施例仅以一个单元为例说明。请参阅图1至图3，本专利技术第一实施例提供一种场发射装置100，其包括一绝缘基底110，一第一绝缘隔离层112，一阴极电极114，一电子发射层116，一电子引出电极118，一二次电子发射层120，一第二绝缘隔离层121以及一栅极电极122。 所述绝缘基底110具有一表面，且所述电子引出电极118设置于该绝缘基底110 的表面。所述二次电子发射层120设置于所述电子引出电极118远离绝缘基底110的表面。 所述阴极电极114通过一第一绝缘隔离层112与该电子引出电极118间隔设置，且所述电子引出电极118设置于阴极电极114与绝缘基底110之间。所述阴极电极114定义一第一开口 1140作为电子出射部。所述阴极电极114的第一开口 1140与所述电子引出电极118 面对设置，即电子出射部与所述电子引出电极118相对设置。所述阴极电极114具有一表面，且该表面的至少部分与该电子引出电极118面对设置。所述电子发射层116设置于阴极电极114与该电子引出电极118面对设置的部分表面。优选地，所述电子发射层116设置于阴极电极114表面靠近电子出射部的位置。所述栅极电极122通过所述第二绝缘隔离层121与所述阴极电极114间隔设置。所述电子发射层116发射的电子轰击所述二次电子发射层120产生二次电子。所述二次电子发射层120发射的二次电子在栅极电极122作用下通过电子出射部射出。所述绝缘基底110的材料可以为硅、玻璃、陶瓷、塑料或聚合物。所述绝缘基底110 的形状与厚度不限，可以根据实际需要选择。优选地，所述绝缘基底110的形状为圆形、正方形或矩形。本实施例中，所述绝缘基底110为一边长为10毫米，厚度为1毫米的正方形玻璃板。所述电子引出电极118为一导电层，且其厚度和大小可以根据实际需要选择。所述电子引出电极118的材料可以为纯金属、合金、氧化铟锡或导电浆料等。可以理解，当绝缘基底110为硅片时，该电子引出电极118可以为一硅掺杂层。本实施例中，所述电子引出电极118为一厚度为20微米的圆形铝膜。该铝膜通过磁控溅射法沉积于绝缘基底110表面。所述二次电子发射层120的材料包括氧化镁(MgO)、氧化铍(BeO)、氟化镁(MgF2)、 氟化铍(BeF2)、氧化铯(CsO)以及氧化钡(BaO)中的一种或几种，其厚度和大小可以根据实际需要选择。所述二次电子发射层120可以通过涂敷、电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射等方法形成于电子引出电极118的表面。可以理解，所述二次电子发射层120的表面还可以形成有凹凸结构以增加二次电子发射层120的面积，可提高二次电子发射效率。本实施例中， 所述二次电子发射层120为一厚度为20微米的圆形氧化钡层。所述阴极电极114可以为一导电层或导电基板，其材料可以为金属、合金、氧化铟锡(ITO)或导电浆料等。所述阴极电极114的厚度和大小可以根据实际需要选择。所述阴极电极114的至少部分表面与所述二次电子发射层120面对设置。所述阴极电极114具有一第一开口 1140作为电子出射部。具体地，所述阴极电极114可以为一具有通孔的层状结构或多个相隔一定距离设置的条状结构。所述第一开口 1140可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种场发射装置的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在绝缘基底的一表面形成一电子引出电极；在电子引出电极的表面形成一二次电子发射层；在绝缘基底表面形成一第一绝缘隔离层，该第一绝缘隔离层具有一第二开口以使得二次电子发射层的表面通过该第二开口暴露；提供一阴极电极板，该阴极电极板具有一第一开口，并在该阴极电极板的部分表面形成一电子发射层；以及将阴极电极板组装于第一绝缘隔离层相对于绝缘基底的另一表面，使第一开口与第二开口至少部分交叠设置以定义一电子出射部，并使得电子发射层至少部分设置在第一绝缘隔离层的第二开口处并面对电子引出电极设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柳鹏，周段亮，陈丕瑾，胡昭复，郭彩林，杜秉初，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11