【技术实现步骤摘要】
本技术属于电子技术与无线通信
，是关于一种用变容二级管制作的调频无线发射器。
技术介绍
市场上多数调频无线话筒的工作原理是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容实现调频的，当声音电压信号加到晶体管的基极时，晶体管的基极与发射极之间电容会随着声音电压信号大小而同步发生变化，同时使晶体管的发射频率发生变化，进而实现对频率的调制。本技术的核心元件是变容二级管，音频信号使变容二级管的容量随着音频电压的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现了调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。以下详细说明这种用变容二级管制作的调频无线发射器制作所涉及的有关技术措施。
技术实现思路
专利技术目的及有益效果本技术的目的在于克服了多数调频无线话筒的调频工作是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容来实现调频，这种调频方式存在着易产生寄生调幅现象，且谐波成分多等缺陷。本技术利用变容二级管，使变容二级管的容量随着音频信号的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。本调频发射器还具有制作简单、成本低、性能可靠等特点ο技术...
【技术保护点】
１．一种用变容二级管制作的调频无线发射器，由直流电源ＤＣ、音频拾取及音频放大电路、低通滤波电路和振荡及高频放大电路组成，其特征是：音频放大电路中硅晶体管ＢＧ１的发射极接有交流负反馈回路，调频电路为变容二级管及偏置电路。
【技术特征摘要】
1.一种用变容二级管制作的调频无线发射器，由直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、低通滤波电路和振荡及高频放大电路组成，其特征是音频放大电路中硅晶体管BGl的发射极接有交流负反馈回路，调频电路为变容二级管及偏置电路。2.根据权利要求1所述的用变容二级管制作的调频无线发射器，其特征是音频拾取及音频放大电路中的硅晶体管BGl的基极与电解电容Cl的负极、电阻Rl的一端相连，电解电容Cl的正极接电容话筒MIC的输出端，电容话筒MIC的外壳接电路地GND，电阻Rl的另一端接电路的正极VCC，硅晶体管BGl的集电极接电解电容C2的正极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电路的正极VCC，硅晶体管BGl的发射极接交流负反馈回路。3.根据权利要求2所述的用变容二级管制作的调频无线发射器，其特征是交流负反馈回路中的硅晶体管BGl的发射极与电解电容C3的正极、电位器RP的一端相连，电解电容 C3的负极与电位器RP的另一端及电位器RP的活动臂同接电路地GND。4.根据权利要求1所述的用变容二级管制作的调频无线发射器，其特征是低通滤波电路中的电解电容C2的负极...
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