固态成像装置及其制造方法以及成像设备制造方法及图纸

可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抑制暗电流产生的固态成像装置及其制造方法以及成像设备。
技术介绍
由CXD(电荷耦合器件)和CMOS图像传感器形成的固态成像装置已经广泛用于摄像机和数字静态照相机等。噪声减少以及灵敏度改善是这些固态成像装置共同的重要问题。具体地讲，在没有光的状态，没有由入射光的光电转换产生的信号电荷，光接收表面的基板界面存在的细微缺陷产生的电荷(电子)被当成信号成为微电流并被检测为暗电流，或者，以在光接收部分和上层膜之间的界面的界面态为发生源的暗电流，这些暗电流是对于固态成像装置来说需要减小的噪音。关于抑制由界面态导致的暗电流产生的技术，例如，采用掩埋光敏二极管结构，该结构具有由光接收部分(例如，光敏二极管)12上的P+层形成的空穴积聚(空穴积聚)层 23，如图38(2)所示。就此而言，在本说明书中，上述的掩埋光敏二极管结构称为空穴积聚二极管(Hole Accumulated Diode,HAD)结构。如图38(1)所示，关于不包括HAD结构的结构，基于界面态而产生电子并成为暗电流流入光敏二极管中。另一方面，如图38(2)所示， 关于HAD结构，通过形成在界面处的空穴积聚层23抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种固态成像装置，其特征在于：所述固态成像装置包括对入射光进行光电转换的光接收部分，所述固态成像装置包括：设置在所述光接收部分的光接收表面上且降低界面态的膜；以及设置在所述降低界面态的膜上且具有固定负电荷的膜，其中空穴积聚层设置在所述光接收部分的光接收表面侧，并且其中所述固态成像装置为背侧照射型固态成像装置。

【技术特征摘要】
2007.05.07 JP 122370/071.一种固态成像装置，其特征在于所述固态成像装置包括对入射光进行光电转换的光接收部分，所述固态成像装置包括设置在所述光接收部分的光接收表面上且降低界面态的膜；以及设置在所述降低界面态的膜上且具有固定负电荷的膜， 其中空穴积聚层设置在所述光接收部分的光接收表面侧，并且其中所述固态成像装置为背侧照射型固态成像装置。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于所述具有固定负电荷的膜为氧化铪膜、氧化铝膜、氧化锆膜、氧化钽膜或氧化钛膜。3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于所述具有固定负电荷的膜通过化学气相沉积法、溅射法或者原子层沉积法形成。4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于 所述降低界面态的膜由氧化硅膜形成。5.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于包括周边电路部分，在所述光接收部分旁边的部分中，在所述周边电路部分中设置有周边电路，其中绝缘膜设置在所述周边电路部分的表面与具有固定负电荷的所述膜之间，使得所述具有固定负电荷的膜距所述周边电路部分的表面的距离大于所述具有固定负电荷的膜距所述光接收部分的表面的距离。6.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于包括周边电路部分，在所述光接收部分旁边的部分中，在所述周边电路部分中设置有周边电路，其中在所述周边电路部分上面且在所述具有固定负电荷的膜下面的绝缘膜由氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的一种膜或多种膜的层叠结构形成。7.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于包括多个像素部分和配线层，所述多个像素部分具有将入射...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口哲司，大岸裕子，安藤崇志，池田晴美，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP