【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电光晶体材料及其在光电子
中的应用。
技术介绍
晶体的电光效应是指晶体在受到光入射的同时，再受到外加电场的作用，所引起的晶体折射率的变化现象，可以用作高速光开关，在激光技术中具有非常重要的应用。目前使用的电光晶体有DKDP，LiNbO3, KTP, LGS, BBO等晶体。这些晶体都具有一定的缺点，如 DKDP晶体由于是从水溶液中生长，容易吸潮；LiNbO3晶体的损伤阈值低，光学均勻性差，且化学计量比的LiNbO3单晶生长困难；KTP晶体由于有较高的电导率和“灰迹”问题，影响其在高功率激光中的使用。LGS晶体由于具有旋光性在实际的电光使用中不太方便。BBO晶体的损伤阈值高，是目前使用在高功率激光器中的首选，但该晶体的半波电压高，并且生长出厚度尺寸能够满足实际应用的晶体也有一定的难度。因此，这些电光晶体材料在实际应用方面仍有一些不尽人如意的地方，还需继续寻找和生长新型的电光晶体。Na3Ln9B8O27类晶体，以Na3LiiiAA7为例，即硼酸镧钠(简称NLBO)是一种新型的非线性光学晶体，其晶体结构分别被中法两国学者独立报道，该硼酸镧钠非...
【技术保护点】
１．一种电光晶体材料，其化学式为Ｎａ３Ｌｎｌ９Ｂ８Ｏ２７；其中，Ｌｎｌ为Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ或Ｅｕ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李如康，张建秀，夏明军，张国春，吴以成，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11
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