本发明专利技术涉及一种电光晶体材料以及电光晶体材料在光电子技术领域中的应用；该电光晶体材料是化学式为Na3Ln19B8O27、Na3(Ln2xLn11-x)9B8O27或(AxNa1-x)3Ln19B8O27，0＜x＜1的电光晶体材料；其属于点群，线性电光系数矩阵为只有一个电光系数γ22，且该电光系数γ22＝2.3pm/V；该电光晶体材料具有不潮解，抗激光损伤阈值大等优点；可广泛应用于激光技术中领域，制备电光调制器、电光Q开关等。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电光晶体材料及其在光电子
中的应用。
技术介绍
晶体的电光效应是指晶体在受到光入射的同时，再受到外加电场的作用，所引起的晶体折射率的变化现象，可以用作高速光开关，在激光技术中具有非常重要的应用。目前使用的电光晶体有DKDP，LiNbO3, KTP, LGS, BBO等晶体。这些晶体都具有一定的缺点，如 DKDP晶体由于是从水溶液中生长，容易吸潮；LiNbO3晶体的损伤阈值低，光学均勻性差，且化学计量比的LiNbO3单晶生长困难；KTP晶体由于有较高的电导率和“灰迹”问题，影响其在高功率激光中的使用。LGS晶体由于具有旋光性在实际的电光使用中不太方便。BBO晶体的损伤阈值高，是目前使用在高功率激光器中的首选，但该晶体的半波电压高，并且生长出厚度尺寸能够满足实际应用的晶体也有一定的难度。因此，这些电光晶体材料在实际应用方面仍有一些不尽人如意的地方，还需继续寻找和生长新型的电光晶体。Na3Ln9B8O27类晶体，以Na3LiiiAA7为例，即硼酸镧钠(简称NLBO)是一种新型的非线性光学晶体，其晶体结构分别被中法两国学者独立报道，该硼酸镧钠非线性光学晶体属于六方晶系，空间群(张国春，新型非线性光学晶体及激光非线性复合功能晶体的探索。博士学位论文，中国科学技术大学，2001 ；P. Gravereau, J. P. Chaminade, S. Pechev, V. Nikolov, D. Ivanova, P. Peshev. Solid State Sci. 4(2002)993.) 采用助熔剂法可以生长出较大尺寸的单晶，其折射率、透过光谱等基本光学性质(Y. G. . Li,Y. C. ffu,G. . C. Zhang, et al. J. Cryst. Growth. 292(2006)468)结果表明它可作为非线性光学材料-倍频材料使用。2007年，R. Balda等人报道钕掺杂的NLBO晶体的生长和光谱性质(R. Balda, V. Jubera, C. Frayret, et al. Opt. Mater. 30 (2007) 122) 最近较大尺寸NLBO晶体的生长也取得突破，进一步表明其倍频转换效率为同等条件下LBO晶体的2. 7倍，是一种具有较大应用 Ili^WfpiS^ SfpiSls^ (Jianxiu Zhang, Guiling Wang, Zuoliang Liu, et al. Opt. Express. lW2010)237)。到目前为止，还未见国内外有关Na3Ln9B8O27电光晶体材料或其稀土掺杂电光晶体材料或其同系电光晶体材料的电光性质研究或作为电光晶体器件方面应用的报道。
技术实现思路
本专利技术目的在于针对已有的电光晶体的不足之处，提供一种新的电光晶体材料及其用途；该电光晶体材料可用于制作电光器件(电光调制或电光Q开关)。本专利技术的技术方案如下本专利技术提供的电光晶体材料，其化学式为Na3Lnl9B8O27 ；其中，Lnl为La、Ce、ft~、Nd、 Sm 或 Eu ο该述电光晶体材料属D3h- 62m点群，其线性电光系数矩阵为权利要求1.一种电光晶体材料，其化学式为Na3Lnl9B8O27 ；其中，Lnl为La、Ce、Pr、Nd、Sm或Eu。2.按权利要求1所述的电光晶体材料，其特征在于，所述电光晶体材料属D3h-^wA群，其线性电光系数矩阵为3.一种电光晶体材料，其为稀土离子掺杂的电光晶体材料，其分子式为 Na3(Lr^xLnlh)9B8O27 ；其中，Lnl 为 La、Ce、Pr、Nd、Sm 或 Eu ；Ln2 为 La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、 Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 或 Lu ;0 < χ < 1。4.按权利要求3所述的电光晶体材料，其特征在于，所述电光晶体材料属D3h-^wA群，其线性电光系数矩阵为5.一种电光晶体材料，其分子式为(AxNa1J3Lnl9B8O27，其中Lnl为La^eJiNNcUSm或 Eu ；A 为 Li、K、Rb 或 Cs，0 < χ < 1。6.按权利要求5所述的电光晶体材料，其特征在于，所述电光晶体材料属D3h-^mA群，其线性电光系数矩阵为7.—种权利要求1、3或5所述的电光晶体材料的用途，其用于制作电光器件；所述电光器件为电光调制或电光Q开关。8.按权利要求7所述的电光晶体材料的用途，其用于制作电光器件时，沿该电光晶体物理学X方向、物理学Y方向或物理学Z方向切割该电光晶体材料；物理学Z方向尺寸定义为长度1 ;X方向或Y方向定义为厚度d方向，并镀有金属导电膜，在X方向或Y方向加上电场；Z方向两端面抛光为通光方向。全文摘要本专利技术涉及一种电光晶体材料以及电光晶体材料在光电子
中的应用；该电光晶体材料是化学式为Na3Ln19B8O27、Na3(Ln2xLn11-x)9B8O27或(AxNa1-x)3Ln19B8O27，0＜x＜1的电光晶体材料；其属于点群，线性电光系数矩阵为只有一个电光系数γ22，且该电光系数γ22＝2.3pm/V；该电光晶体材料具有不潮解，抗激光损伤阈值大等优点；可广泛应用于激光技术中领域，制备电光调制器、电光Q开关等。文档编号G02B1/02GK102234841SQ20101016503公开日2011年11月9日 申请日期2010年4月30日 优先权日2010年4月30日专利技术者吴以成, 夏明军, 张国春, 张建秀, 李如康 申请人:中国科学院理化技术研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种电光晶体材料，其化学式为Ｎａ３Ｌｎｌ９Ｂ８Ｏ２７；其中，Ｌｎｌ为Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ或Ｅｕ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李如康，张建秀，夏明军，张国春，吴以成，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11
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