【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁性材料的测试方法，确切讲是一种测试有高频的磁导率谱的软磁薄膜材料的饱和磁化强度的方法。
技术介绍
由于微电子技术和磁性存储技术的发展，软磁薄膜材料受到了广大磁性器件制造商与磁性材料研究者的青睐。衡量软磁薄膜材料的一个极为重要指标就是材料的饱和磁化强度。饱和磁化强度即饱和磁场下对应的磁化强度。饱和磁化强度的大小和精度直接影响了另外一个软磁材料磁性参数磁导率的确定。因此如何精确地确定软磁薄膜材料的饱和磁化强度对于软磁薄膜的研究和应用具有很重要的价值。目前，最常用的软磁薄膜材料饱和磁化强度测试方法是测量磁滞回线法。所用的测试仪器通常为振动样品磁强计，超导量子干涉仪等。如果要得到饱和磁化强度不但需要读出磁滞回线的饱和磁矩的数值，并且另需测试磁性样品的体积，通过计算得到样品的单位体积内的饱和磁矩大小即饱和磁化强度。然而，对于软磁薄膜材料，由于厚度仅为纳米量级，很难用仪器精确测量。目前常用的仪器为表面轮廓分析仪、场发射扫描电子显微镜、椭圆偏振仪等。但是这些仪器在测试厚度为几十纳米的薄膜时，由于薄膜表面的粗糙度和仪器精度限制误差通常大于10%。这就导致了利...
【技术保护点】
１．确定软磁薄膜材料饱和磁化强度的方法，其特征在于对待测软磁薄膜材料施加最大正向外磁场至饱和磁场，再逐渐减小外磁场至零磁场，然后再逐渐减小外磁场至饱和负磁场，或者对待测软磁薄膜材料施加最小负磁场至饱和磁场，再逐渐增大外磁场至零磁场，然后再逐渐增大外磁场至正向饱和磁场，在上述过程中同时测量并记载被测软磁薄膜材料随外磁场Ｈ变化时对应的共振频率ｆｒ的平方，如此获得待测软磁薄膜材料的共振频率ｆｒ的平方与外磁场Ｈ强度的线性函数关系，再通过解析法或图表法得到ｆｒ的平方与外磁场Ｈ强度的线性函数的斜率γ２μ０Ｍｓ，由此得到待测软磁薄膜材料的饱和磁化强度μ０Ｍｓ。
【技术特征摘要】
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