【技术实现步骤摘要】
本技术属于导电膜
,具体涉及一种中波红外导电膜窗口。
技术介绍
中波红外导电膜窗口由基底和中波红外导电膜组成。其中,中波红外导电膜是指 在中波红外波段具有高透过率,且具有导电功能的膜层。目前中波红外导电膜主要采用金 属网栅结构技术制作,但该技术对光学零件表面加工工艺要求极高,导致生产成本高;而且 其网栅结构会产生光的衍射、减低实际到达光电探测器的能量及产生杂散光等不足。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种在中波红外波段具有高透过率,且具有导电功能, 且对光学零件表面加工工艺要求低、生产成本低、对光电探测器不会产生杂散光的中波红 外导电膜窗口。本技术是这样实现的一种中波红外导电窗口,包括基底和中波红外导电膜,中波红外导电膜包覆在基 底上;所述的中波红外导电膜由中波红外导电膜层、匹配减反射膜层和金属电极组成。如上所述的中波红外导电膜层由特制材料制成,它包覆在基底的光学应用表面 上;中波红外导电膜层厚度为500-1000nm。如上所述的匹配减反射膜层包覆在中波红外导电膜层上、位于中波红外导电膜 层上中间的位置,它的一侧底端的外边缘比中波红外导电膜层顶端的外边缘的距离为 5-10mmo如上所述的匹配减反射膜层匹由锗膜层和氧化铝膜层组成,其中,锗膜层包覆在 中波红外导电膜层上,氧化铝膜层包覆在锗膜层上,锗膜层的厚度为3000nm 5000nm,氧 化铝膜层的厚度为5000nm 7000nm。如上所述的金属电极包覆在中波红外导电膜层上、匹配减反射膜层的两侧,它的 厚度为 1000-2000nm。如上所述的基底支撑中波红外导电膜的一侧带有光学应用表面。本技术的有益效 ...
【技术保护点】
1.一种中波红外导电窗口,包括基底(1)和中波红外导电膜,中波红外导电膜包覆在基底(1)上;其特征在于:所述的中波红外导电膜由中波红外导电膜层(2)、匹配减反射膜层(3)和金属电极(4)组成。
【技术特征摘要】
1.一种中波红外导电窗口,包括基底(1)和中波红外导电膜,中波红外导电膜包覆在 基底(1)上;其特征在于所述的中波红外导电膜由中波红外导电膜层O)、匹配减反射膜 层⑶和金属电极⑷组成。2.根据权利要求1所述的一种中波红外导电窗口,其特征在于所述的中波红外导电 膜层⑵由特制材料制成,它包覆在基底⑴的光学应用表面上;中波红外导电膜层⑵厚 度为 500-1000nm。3.根据权利要求1或2所述的一种中波红外导电窗口,其特征在于所述的匹配减反 射膜层C3)包覆在中波红外导电膜层( 上、位于中波红外导电膜层( 上中间的位置,它 的一侧底端的外边缘比中波红外导电膜层⑵顶端的外边缘的距离为5-10...
【专利技术属性】
技术研发人员:庄克文,季一勤,邢宇哲,
申请(专利权)人:中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所,
类型:实用新型
国别省市:12
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