一种反光晶体硅太阳电池组件制造技术

本发明专利技术涉及一种反光与低电阻的晶体硅太阳电池组件，包括玻璃、EVA封装层和太阳能电池片，太阳能电池片受光面的主栅线上配置棱形结构，棱形结构将射到主栅线的光线反射，反射光通过EVA封装层在玻璃与空气表面形成全反射，二次反射到未被主栅线遮挡的电池表面。棱形结构是棱形截面的线型铜基材。铜基材外表面电镀以增强主栅线反射光的银层。铜基材通过导电银胶压合在主栅线上。本发明专利技术可减少太阳电池组件光损失与电阻损失，可减少光学损耗2～4％，太阳电池组件功率可提升4～6％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池组件
，尤其是一种反光晶体硅太阳电池组件。
技术介绍
晶体硅太阳电池组件一般由数十片太阳能电池片串联后通过保护材料封装而成。 提高太阳电池组件效率最主要有几种途径提升电池效率；减少组件光学损耗；降低太阳 能电池片的连接电阻。提升电池效率方面，众多科研人员从选择性发射极、背面电极、异质 结电池等方面提高电池本身对光谱的吸收，减少电池电阻对功率的损耗；另一方面，从提升 组件材料包括玻璃、EVA、高透硅胶、背面等的光学性能，优化连接焊带、导电胶带、接线盒、 旁通二极管等电学性能来改善组件效率的研究工作也多见在专利与文献中报道。如图1所示，普通太阳能电池片正面电极栅线，一般由2 4根主栅线及40 100 根细栅线组成，将线形焊带一端焊接在电池正面主栅线上，一端焊接于另一电池背面可实 现电池之间的连接。若通过加宽加密栅线来减少电池与组件的串联电阻，但遮挡面积增大 将带来更多光学损耗。Simpower公司的背面接触电池，采用背面埋设栅线技术，减少了正面光学损耗同 时降低了串联电阻，但是工艺相对复杂，成本较高；减少光学损耗方面，Asberg ^igma等提 出了微V型槽设计，夹角110 130°，表面反射层使用Ag、Al、Au或反射聚合物材料，V型 有效反光部位于电池片间隙与电池主栅线上，反光焊带通过V型左右两端的平面触角与电 池片背面相连，达到减少组件光损失目的，但该设计使得电池焊接成为难题，不易降低电池 连接电阻。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种反光晶体硅太阳电 池组件，可减少太阳电池组件光损失与电阻损失。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种反光晶体硅太阳电池组件，包 括玻璃、EVA封装层和太阳能电池片，太阳能电池片受光面的主栅线上配置棱形结构，所述 棱形结构将射到主栅线的光线反射，反射光通过EVA封装层在玻璃与空气表面形成全反 射，二次反射到未被主栅线遮挡的电池表面。进一步地，所述的棱形结构是棱形截面的线型铜基材。所述的铜基材外表面电镀 以增强主栅线反射光的银层。所述的铜基材通过导电银胶压合在主栅线上。进一步地，所述的主栅线的数量为3到10根。例如，正面电极主栅线的数量为5 根。正面电极主栅线数量较常规电池的增加，一定程度上减少了组件的串联电阻。本专利技术的有益效果是太阳能电池片受光面的主栅线上配置棱形结构，棱形结构 将射到主栅线的光线反射，反射光通过EVA封装层在玻璃与空气表面形成全反射，二次反 射到未被主栅线遮挡的电池表面，反射光被电池吸收，转换成电能，降低了光学损耗，提高 了电池效率。本专利技术增加了铜基材通过导电银胶压合在铜基材底部的底栅线上的导电银胶压合工艺。。专利技术可减少太阳电池组件光损失与电阻损失，可减少光学损耗2 4%，太阳电 池组件功率可提升4 6%。附图说明下面结合附图对本专利技术进一步说明。图1是现有技术中太阳能电池片的结构示意图；图2是本专利技术中太阳能电池片的结构示意图；图3是本专利技术中反光段栅线的截面示意图；图4是本专利技术中太阳电池组件封装后反光段栅线部分减少光损失示意图；图5是本专利技术中连接焊带的实施例一的结构示意图；图6是本专利技术中连接焊带的实施例二的结构示意图；图7是本专利技术的背面示意图；其中1.反光段栅线，2.焊接段栅线，3.铜基材，4.镀银层，5.导电银胶，6.底栅 线。具体实施例方式现在结合具体实施例对本专利技术作进一步说明，以下实施例旨在说明本专利技术而不是 对本专利技术的进一步限定。如图2图3所示，一种反光晶体硅太阳电池组件，包括玻璃、EVA封装层和太阳能 电池片，太阳能电池片受光面具有主栅线，主栅线的数量为5根，主栅线由反光段栅线1与 焊接段栅线2组成，反光段栅线1的宽度小于焊接段栅线2的宽度，反光段栅线1具有棱形 截面的铜基材3，铜基材3上覆盖镀银层4，铜基材3通过导电银胶压合在铜基材3底部的 底栅线6上。焊接段栅线2位于太阳能电池片前端边缘处，焊接段栅线宽度为2 5mm，反光段 栅线1位于太阳能电池片中部，反光段栅线的宽度为0. 1 0. 8mm。反光段栅线1的宽度变 窄，焊接段栅线2的宽度变宽，有效降低电池的串联电阻，反光段栅线1中的铜基材3截面 为棱形，从而构成大的高宽比截面，进一步降低了电池的串联电阻。如图7所示，太阳能电池片背面具有背面电极主栅线，背面电极主栅线由与正面 焊接段栅线对应的宽焊接段和与宽焊接段连接并延伸到背面中部的窄栅段。如图4所示，太阳能电池片受光面的主栅线上配置棱形结构，棱形结构将射到主 栅线的光线反射，反射光通过EVA封装层在玻璃与空气表面形成全反射，二次反射到未被 主栅线遮挡的电池表面，反射光被电池吸收，转换成电能，降低了光学损耗，提高了电池效 率。如图5所示，一种用于将反光晶体硅太阳电池组件中的太阳能电池片相互串联的 连接焊带，实施例一具有5个正面焊接段和5个背面焊接段，正面焊接段的宽度大于背面 焊接段的宽度，相邻的正面焊接段相互连接。单个正面焊接段宽度为2 5mm所述的单个 背面焊接段宽度为0. 1 0. 8mm。连接焊带的正面焊接段相互连接，多个焊接点通过单根焊 带本身相互连接并联在一起，提高了连接稳定性，同时也使得焊带加工更加方便。如图6所示，一种用于将反光晶体硅太阳电池组件的太阳能电池片相互串联的连接焊带，实施例二 具有5个正面焊接段和5个背面焊接段，正面焊接段的宽度大于背面焊 接段的宽度，相邻的正面焊接段相互分离。单个正面焊接段宽度为2 5mm，单个背面焊接 段宽度为0. 1 0. 8mm。本专利技术中的太阳电池组件的制作工序为P型多晶硅硅片经过清洗、酸制绒、磷扩 散制PN结、PECVD镀减反膜后，印刷正面电极主栅线与铝背场，并烧结形成良好的电接触。 再在反光段栅线1的底栅线6上叠合导电银胶5，将具有镀银层4的棱形铜基材3压合在导 电银胶5上并固化，从形成具有反光段栅线1的太阳能电池片。采用连接焊带，将太阳能电 池片的正面电极主栅线的焊接段与另一太阳能电池片背面电极主栅线的中部缩小段相互 串联起来，根据需要串联一定数量太阳能电池片并排版后与EVA、玻璃等封装材料一起制作 成可用于室外发电的太阳能电池片组件。终上所述，本专利技术可同时减少太阳电池组件光损失与电阻损失，可减少光学损耗 2 4%，太阳电池组件功率可提升4 6 %。以上述依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完 全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项专利技术的技术 性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种反光晶体硅太阳电池组件，包括玻璃、ＥＶＡ封装层和太阳能电池片，其特征在于：太阳能电池片受光面的主栅线上配置棱形结构，所述棱形结构将射到主栅线的光线反射，反射光通过ＥＶＡ封装层在玻璃与空气表面形成全反射，二次反射到未被主栅线遮挡的电池表面。

【技术特征摘要】
1.一种反光晶体硅太阳电池组件，包括玻璃、EVA封装层和太阳能电池片，其特征在 于太阳能电池片受光面的主栅线上配置棱形结构，所述棱形结构将射到主栅线的光线反 射，反射光通过EVA封装层在玻璃与空气表面形成全反射，二次反射到未被主栅线遮挡的 电池表面。2.根据权利要求1所述的一种反光晶体硅太阳电池组件，其特征在于所述的棱形结 构是棱形截面的线型...

【专利技术属性】
技术研发人员：张臻，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，天合光能常州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32