立体图纹形成方法技术

本发明专利技术公开一种立体图纹形成方法，步骤包含：提供一成型工件，其外表面与内表面分别具有一第一光阻层与一第二光阻层；将成型工件置于在一透光治具上；曝光及显影第一光阻层与第二光阻层，使得第一光阻层形成一图案化光阻层，第二光阻层形成一蚀刻保护层；蚀刻成型工件，以使成型工件的外表面形成一立体图纹；以及移除图案化光阻层与蚀刻保护层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特别是有关于一种在成型工件上形成立体 图纹的方法。
技术介绍
目前众多电子装置，例如笔记型计算机、移动电话或数码相机等，常利用金属材料 作为外观构件的材质。为了增添电子装置整体美感的设计，以吸引消费者的注意，常需在外 观构件上形成各式图纹。现有以雷射在金属制成型工件表面雕刻而产生的图纹，常因成型 工件的表面轮廓而影响其雕刻质量。举例来说，成型工件于表面轮廓的深浅差异常会导致 激光束于加工时聚焦不易，而使得图纹变得粗糙，或图纹的轮廓的深度过浅甚或不明显。
技术实现思路
本专利技术提供一种，以在成型工件上形成立体图纹。本专利技术的一实施例提出一种。此形成方法的步骤如下，本专利技术 揭露一种，步骤包含提供一成型工件，其外表面与内表面分别具有一第 一光阻层与一第二光阻层；将成型工件置于在一透光治具上；曝光及显影第一光阻层与第 二光阻层，使得第一光阻层形成一图案化光阻层，第二光阻层形成一蚀刻保护层；蚀刻成型 工件，以使成型工件的外表面形成一立体图纹；以及移除图案化光阻层与蚀刻保护层。基于上述，在本专利技术的上述实施例中，成型工件内表面所设置蚀刻保护层，而可于 蚀刻过程中可保护成型工件的内表面。此外，通过可挠式光罩能适应成型工件的表面轮廓 的特性，而可平顺地吸附在外表面的光阻层上，以顺利地在后续曝光、显影与蚀刻工艺中， 在成型工件的外表面形成立体图纹。为让本专利技术之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。附图说明 图1至图8是依照本专利技术--实施例的一种的示意图 符号说明 110:第一光阻层IlOA 图案化光阻层 120 第二光阻层120A 蚀刻保护层 130:成型工件140 治具 150:可挠式光罩200 曝光光源 Sl 外表面S2 内表面具体实施例方式图1至图8是依照本专利技术一实施例的一种的示意图。请先参考图1，在本实施例中，首先提供一成型工件130，其用以作为一电子装置(未绘示)的外观 件。成型工件130具有一外表面Sl与背对此外表面Sl的一内表面S2，其中外表面Sl呈外 凸状，而内表面S2呈内凹状。换句话说，成型工件130可以是将一平板金属壳体通过冲压 或折弯等技术而制作成的一立体成型壳体。但本实施例并未以此为限。接着，在成型工件130的外表面Sl与内表面S2上各形成一第一光阻层110与一第 二光阻层120。本实施例并未限制第一光阻层110与第二光阻层120形成在成型工件130 上的方式，制作者可通过将成型工件130浸泡于光阻液中、喷涂光阻液在成型工件130的表 面上或以其它合适的方式将第一光阻层110与第二光阻层120分别形成在成型工件100之 外表面Sl上与内表面S2上。请同时参考图2及图3，将已形成有第一光阻层110与第二光阻层120的成型工件 130安装并定位在一治具140上。接着，提供一可挠性光罩150，其例如是以一种软性材料 (TPU、PET、PC、CPP或OPP…等)所制成的薄膜。将此可挠性光罩150置放在成型工件130 上方并对准其外表面Sl后，通过真空将可挠式光罩150吸附于成型工件130的外表面Sl 上，以遮蔽部分第一光阻层110。此时，通过真空而能排除可挠式光罩150与成型工件130 的外表面Sl之间可能存在的空气或间隙，让可挠式光罩150能平顺地吸附在成型工件130 的第一光阻层110上。接着，请参考图4，将成型工件130进行曝光工艺，以使从可挠式光罩150所暴露出 的部分第一光阻层110因曝光而产生化学反应。在此值得注意的是，治具140的材质具有 可透光的特性，其例如是以透明的PC或压克力材料所制成。据此，当曝光光源200对第一 光阻层110进行曝光时，曝光光源200所产生的光线亦能穿透治具140而到达位于成型工 件130之内表面S2上的第二光阻层120，以完全曝光第二光阻层120。在本实施例的曝光工艺中，曝光光源200可提供紫外线以将曝光第一光阻层110 与第二光阻层120，然本实施例并未以此为限。此外，可挠式光罩150的材料尚可选用具有 耐紫外线、耐磨与不易变形的材料。请参考图5及图6，在完成图4的曝光工艺之后，接着进行显影工艺，通过显影剂 (未绘示)将图5中未受曝光的第一光阻层110溶解移除，仅留下经过曝光后的第一光阻 层110，而形成一图案化光阻层110A。在此同时，由于第二光阻层120已完全曝光，因此第 二光阻层120并不会与显影剂发生作用而仍能维持于内表面S2上。然而，前述实施例中，第一光阻层与第二光阻层之光阻液选用正光阻液，因此，未 受到挠性光罩遮蔽而受曝光的部分可被显影剂溶解移除。除此之外，第一光阻层亦可选用 负光阻液，显影剂溶解未受曝光的第一光阻层。请参考图7及图8，接着，便对成型工件130进行蚀刻工艺。在本实施例中，蚀刻成 型工件130的方式为一湿式蚀刻，其中以图案化光阻层IlOA作为蚀刻罩幕而蚀刻成型工件 130的外表面Si。值得注意的是，经过曝光工艺与显影工艺后的第二光阻层120在此成为 一蚀刻保护层120A，藉以保护成型工件130的内表面S2。最后，对成型工件130的外表面Sl完成蚀刻之后，便移除成型工件130上的图案 化光阻层IlOA与蚀刻保护层120A。届此，便完成在成型工件130形成立体图纹132的制作 过程。综上所述，在本专利技术的上述实施例中，成型工件内表面所设置蚀刻保护层，而可于蚀刻过程中可保护成型工件的内表面。此外，通过可挠式光罩能适应成型工件的表面轮廓 的特性，而可平顺地吸附在外表面的光阻层上，以顺利地在后续曝光、显影与蚀刻工艺中， 在成型工件的外表面形成立体图纹。 虽然本专利技术已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术，任何所属
中具有通常知识者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本专利技术 的保护范围当根据权利要求所界定的内容为准。权利要求1.一种，其特征在于，包括提供一成型工件，其外表面与内表面分别具有一第一光阻层与一第二光阻层； 将该成型工件置于在一透光治具上；曝光及显影该第一光阻层与该第二光阻层，使得该第一光阻层形成一图案化光阻层， 该第二光阻层形成一蚀刻保护层；蚀刻该成型工件，以使该成型工件的该外表面形成一立体图纹；以及 移除该图案化光阻层与该蚀刻保护层。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，以一可挠性光罩曝光该第一光阻层。3.根据权利要求2所述的，其特征在于，以真空吸附的方式将该可 挠性光罩紧密贴附于该第一光阻层。4.根据权利要求1所述的，其特征在于，该第一光阻层与该第二光 阻层为同时曝光。5.根据权利要求1所述的，其特征在于，该第一光阻层与该第二光 阻层为同时显影。6.根据权利要求1所述的，其特征在于，该成型工件材质为金属，经 过一冲压工艺所制成。7.根据权利要求1所述的，其特征在于，该成型工件为一立体成型 的壳体。全文摘要本专利技术公开一种，步骤包含提供一成型工件，其外表面与内表面分别具有一第一光阻层与一第二光阻层；将成型工件置于在一透光治具上；曝光及显影第一光阻层与第二光阻层，使得第一光阻层形成一图案化光阻层，第二光阻层形成一蚀刻保护层；蚀刻成型工件，以使成型工件的外表面形成一立体图纹；以及移除图案化光阻层与蚀刻保护层。文档编号G03F7/00GK10214172本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种立体图纹形成方法，其特征在于，包括：提供一成型工件，其外表面与内表面分别具有一第一光阻层与一第二光阻层；将该成型工件置于在一透光治具上；曝光及显影该第一光阻层与该第二光阻层，使得该第一光阻层形成一图案化光阻层，该第二光阻层形成一蚀刻保护层；蚀刻该成型工件，以使该成型工件的该外表面形成一立体图纹；以及移除该图案化光阻层与该蚀刻保护层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张建明，吴荣钦，庄万历，
申请(专利权)人：仁宝电脑工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71