高压硅堆制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高压硅堆。包括有：由若干个串联的玻璃钝化的高压二极管芯片、电极引线、环氧封灌层；所述各二极管芯片串联连接面之间、两端二极管芯片与电极引线连接面之间均设有粘接片，所述串联连接的二极管芯片及两端电极引线端部包裹有一层PI保护胶，PI保护胶的外层为环氧灌封层，电极引线伸出环氧灌封层。本实用新型专利技术具有以下优点：将多个玻璃钝化的高压二极管芯片叠加后的硅堆，理论上能将几个芯片的耐压累加而得到较高的耐压，可达4000伏及以上，另外，经过保护胶和特殊的封装工艺后能用于高温环境，适于在汽车点火等系统中运用。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，更具体地说涉及一种高压硅堆。技术背景市场中使用的大部分为常规二极管产品，均采用单一二极管芯片进行封装，其缺 点是单一二极管芯片电压能力有限，随着电子行业技术水平的不断提高，常规二极管产品 已经不能满足于特殊领域的高要求
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术不足之处而提供一种耐压高、耐冲击、可靠性 高的高压硅堆。本技术的目的是通过以下措施来实现一种高压硅堆，具有若干个串联的玻 璃钝化的高压二极管芯片，电极引线，环氧封灌层，其特征在于，所述各二极管芯片串联连 接面之间、两端二极管芯片与电极引线连接面之间均设有粘接片，所述串联连接的二极管 芯片及两端电极引线端部包裹有一层PI保护胶，PI保护胶的外层为环氧灌封层，电极引线 伸出环氧灌封层。与现有技术相比，由于采用了本技术的高压硅堆，具有以下优点将多个玻 璃钝化的高压二极管芯片叠加后的硅堆，理论上能将几个芯片的耐压累加而得到较高的耐 压，可达4000伏及以上，另外，经过保护胶和特殊的封装工艺后能用于高温环境，适于在汽 车点火等系统中运用。附图说明图1为本技术实施例的结构示意图。具体实施方式以下结合附图对具体实施方式作详细说明图1给出了本技术实施例的结构示意图。图中，一种高压硅堆，具有若干个串 联的玻璃钝化的高压二极管芯片1，电极引线5，环氧封灌层4 ；各二极管芯片1串联连接面 之间、两端二极管芯片1与电极引线5连接面之间均设有粘接片2，所述串联连接的二极管 芯片及两端电极引线端部包裹有一层PI保护胶3，PI保护胶3的外层为环氧封灌层4，电 极引线5伸出环氧封灌层。本技术采用的芯片1为本公司生产的经玻璃钝化的高压芯片，通过特有的氮 化硅制程工艺，采用了背面切割工艺，避免了正面切割可能引起的玻璃裂纹、硅裂、背崩等 可靠性问题。粘接片2的采用有利于芯片间的连接，提高产品的反向电压。PI保护胶3可 起到应力缓冲保护芯片的作用，避免因封装应力过大，对芯片产生损伤引起的产品失效。电 极引线5为特殊的青铜(CuSne)材料，具有优良的机械性能，良好的抗弯性能，高耐腐蚀性等特点。 上述实施例并不构成对本技术的限制，凡采用等同替换或等效变换的形式所 获得的技术方案，均落在本技术的保护范围之内。权利要求1. 一种高压硅堆，具有若干个串联的玻璃钝化的高压二极管芯片，电极引线，环氧封灌 层，其特征在于，各二极管芯片串联连接面之间、两端二极管芯片与电极引线连接面之间均 设有粘接片，所述串联连接的二极管芯片及两端电极引线端部包裹有一层PI保护胶，PI保 护胶的外层为环氧灌封层，电极引线伸出环氧灌封层。专利摘要本技术涉及一种高压硅堆。包括有由若干个串联的玻璃钝化的高压二极管芯片、电极引线、环氧封灌层；所述各二极管芯片串联连接面之间、两端二极管芯片与电极引线连接面之间均设有粘接片，所述串联连接的二极管芯片及两端电极引线端部包裹有一层PI保护胶，PI保护胶的外层为环氧灌封层，电极引线伸出环氧灌封层。本技术具有以下优点将多个玻璃钝化的高压二极管芯片叠加后的硅堆，理论上能将几个芯片的耐压累加而得到较高的耐压，可达4000伏及以上，另外，经过保护胶和特殊的封装工艺后能用于高温环境，适于在汽车点火等系统中运用。文档编号H01L23/498GK201877425SQ20102053050公开日2011年6月22日 申请日期2010年9月15日 优先权日2010年9月15日专利技术者臧凯晋, 蒋陆金 申请人:上海美高森美半导体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高压硅堆，具有若干个串联的玻璃钝化的高压二极管芯片，电极引线，环氧封灌层，其特征在于，各二极管芯片串联连接面之间、两端二极管芯片与电极引线连接面之间均设有粘接片，所述串联连接的二极管芯片及两端电极引线端部包裹有一层ＰＩ保护胶，ＰＩ保护胶的外层为环氧灌封层，电极引线伸出环氧灌封层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋陆金，臧凯晋，
申请(专利权)人：上海美高森美半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31