一种太阳能电池及光电转换元件。至少使用2片重叠的如下结构构成存储元件：对由厚度0.2nm以上60nm以下的带状的导电体层，优选金属层，和具有该导电体层的厚度以上的厚度的电介质层的周期结构体构成的薄片，使该层相互交叉，并且，使导电体层的边缘之间通过规定的存储介质而对置。导电体层的厚度优选0.2nm以上30nm以下，电介质层的厚度一般为0.2nm以上200μm以下。存储介质是绝缘膜或纳米桥结构。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功能元件、存储元件、磁性记录元件、太阳能电池、光电转换元件、发光元件、催化反应装置以及净化单元，例如涉及自下而上(#卜A 7 7 7。)系的系统和自上而下(卜7 /夕‘々 > )系的系统的综合。
技术介绍
现有的功能元件，其主流是以半导体集成电路为代表、用基于精细加工的自上而下工艺制造的元件。而且，尤其对半导体元件而言，经过由巴丁(Bardeen)等提出的晶体管的专利技术以及由诺伊斯(Noyce)等提出的半导体集成电路的专利技术，现在已发展成基于该自上而下工艺的巨大的半导体电子工业。另一方面，由于已经注意到自上而下工艺在许多方面存在界限，因而作为打破该界限的方法，自我组织化等所涉及的自下而上工艺近年来引人瞩目，对其研究正在盛行。再者，已报告有细胞系和神经系都在各处自动分散性地随着时间的延续而连续地扩大、成长(R. R. Llinas, The Biology of the Brain, p. 94, W. H. Freeman and Company, NY, 1989)，这属于自下而上工艺的范畴。另外，对于自下而上，由于自动分散局域性，各部分根据局域规则去任意地形成结构，但使用单元自动化显示，在该结构组成中有四种类型(稳定的、周期性“嵌套型”的、功能结构性的、随机性的)(S. Wolfram，A New Kind of Science, pp. 51-81，Wolfram Media Inc.，IL, USA, 2002)。另外，本专利技术者们发表的论文(P.Nemethy, P. Oddone, N. Toge, and A. Ishibashi, Nuclear Instruments and Methods 212(1983)273-280)是对时间投影谱仪(Time Projection Chamber,TPC)进行的改良，该时间投影谱仪作为基本粒子检测器，这种基本粒子检测器利用了根据漂移速度的稳定性，随时间的延续而连续移动的2次电子(沿基本粒子的飞行轨迹产生的电子)。另外，观测到了有用且意义深远的物理现象，即在由金属界面形成的纳米空间特别是在二维试料平面和与此对置的探针之间的局部空间所观测到的由等离子体振子激发的表面增强效果等(二又等，日本分光学会，平成14年春季演讲会论坛“显微震动光谱法的最前沿”演讲要旨集，PP. 20-23)。另外，由本专利技术者发表的论文(A.Ishibashi, MOSVD-grown Atomic Layer Superlattices, Spectroscopy of Semiconductor Microstructres, eds.G.Fasol, A. Fasolino, P. Lugli, Plenum Pdess，NY, 1989)提出，在使用了有机金属化学气相生长法 (M0CVD法)的半导体生长中，在成长方向得到了 1个原子层的分辨率。3 另外，即使在电化学生长方面，也可了解其结构的详情(春山志郎，表面技术人员用的电化学P. 112，丸善，东京，2001)。另外，在电化学领域中，众所周知，在将中和的高分子电解质分散于水中形成的溶液中，浸渍待涂敷体和配极，在待涂敷体和配极之间施加直流电流，就能够在待涂敷体上析出高分子电解质(山R亚夫监修《实用高分子保护膜材料的新展望一作为光聚合物的具体应用》，第六章，)-m出版，1996年)。另外，有论文提出了在宽约40nm的金属线十字配置的交叉部位夹带分子单体的结构(Y. Chen, D. A. A. Ohlberg, Χ. Li, D. R. Stewart, R. S. Williams. J. 0. Jeppesen, K. A. Nidlsen, J. F. Stoddart,D.L.Olynick, and E. Anderson, Nanosale molecular switch devices fabricated by imprint lithography, Appl. Phys, Lett,82 (2003) 1610)。另外，有提案提出了自下而上范畴的其他实例，是由自我组织获得自动累进分级 (self-organized progressive hierarchical acquisition, SOPHIA)结构形成方法及神经元的生长方法(日本特开2000-216499号公报、国际公开第02/35616号小册子)，此外， 还有一般在生命、生物体系上由常见的基因支配的形态表现(基因由来结构)。另一方面， 就自下而上范畴的其他实例来说，除了有MEMS (micro electromechanical systems)系及微小化学反应外，一般还可例举由作为同源纤维(* · 7 τ·《 > )的人脑产生的构造物形成(脑由来结构)(如，养老猛，“唯脑论”，青土社，1989年)。另外，公知的还有基于固体电解质的金属原子迁移的、利用金属微细架桥的被称为纳米桥(NanoBridge)的结构(因特网 <URL :http://www. nec. co. jp/press/ ja/0402/1801-01.htm>(平成 16 年 2 月 18 日检索))。另外，有论文(Jan.J. App 1. Phys. Vol. 42 (2003) pp. 1246-1249)就旋转隧道(^ 匕° >卜 > 彳、> )结合的磁阻抗的频率依赖性进行了报告。另外，有提案提出了一种磁性记录装置，该装置在由晶体管和LC电路组成的振荡电路的晶体管和LC电路的一部分反馈回路上连接旋转隧道结合元件，同时，设置转换装置，把通过该转换装置的转换频率规定了磁数据的读取速度的磁传感器作为再生用磁头使用(专利第3557442号说明书)。另外，许多论文(例如，D. J. Friedman, J. F. Geisz, S.R.Kurtz，and J.M.Olson， July 1998 · NREL/CP-520-23874)报告了在pn结面上垂直入射太阳光类型的太阳能电池。虽然想到了如果能够把上述的自下而上系和自上而下系综合起来就能最大限度地有效利用两者的优点，从而能够实现前所未有的全新的功能元件，但就本专利技术者所知，迄今为止，还没有见到任何提案提出对此有效的具体办法。因此，本专利技术所要解决的问题，就是提供一种能够最大限度地有效利用自下而上系和以硅LSI为代表的自上而下系的优点的高性能的功能元件以及磁性存储元件。本专利技术要解决的另一个问题是，提供一种利用与上述存储元件或磁性记录元件的基本构成要素相同的要素的新型的太阳能电池、光电转换元件、发光元件以及催化反应装置。本专利技术要解决的其他问题，再具体的说，是提供包含有上述存储元件、磁性记录元件、太阳能电池、光电转换元件、发光元件、催化反应装置等的新型的功能元件。本专利技术还要解决的其他问题，是提供适于制造下述各种功能元件的净化单元系统 4及适用于它的净化单元，即不像现有技术那样规模大回报小，不必使用需要巨大的设备投资及固定资产费用的巨大的无尘车间，就可以很容易得到洁净的环境，另外，解决了只能以一直线状连接的现有净化设备具有的空间利用率低下的问题，本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种太阳能电池，其特征在于，阳极电极和阴极电极，其间夹持半导体层并且与该半导体层接触，整体上具有板状形状，使光沿着上述阳极电极和阴极电极的表面并从与上述板交叉的方向入射。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：石桥晃，
申请(专利权)人：国立大学法人北海道大学，
类型：发明
国别省市：JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。