太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池，其包括：一个基板；一层背电极，该背电极形成在该基板的一个表面；一层第一型半导体层，该第一型半导体层形成在该背电极的表面；一层第二型半导体层，该第二型半导体层形成在该第一型半导体层的表面；一层碳纳米管膜层，该碳纳米管膜层形成在该第二型半导体层的表面。此外，本发明专利技术还提供了一种制造上述太阳能电池的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及一种可挠曲的
技术介绍
太阳能电池主要应用的是光电转换原理，其结构主要包括基板以及设置在基板上的P型 半导体材料层和N型半导体材料层。光电转换是指太阳的辐射能光子通过半导体物质转变为电能的过程(请参见Grown junction GaAs solar cell ，Shen， C. C. ; Pearson, G丄；Proceedings of the IEEE, Volume 64， Issue 3， March 1976 Page (s) : 384-385)。当太阳光照射到半导体上时，其中 一部分被表面反射掉，其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光，当然有一些变成热能， 另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞，于是产生电子-空穴对。这样，光能就以产 生电子-空穴对的形式转变为电能，并在P型和N型交界面两边形成势垒电场，将电子驱向N 区，空穴驱向P区，从而使得N区有过剩的电子，P区有过剩的空穴，在P-N结附近形成与 势垒电场方向相反的光生电场。光生电场的一部分除抵消势垒电场外，还使P型层带正电， N型半导体层带负电，在N区与P区之间的薄层产生所谓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括：　一个基板；　一层背电极，该背电极形成在该基板的一个表面；　一层第一型半导体层，该第一型半导体层形成在该背电极的表面；　一层第二型半导体层，该第二型半导体层形成在该第一型 半导体层的表面；　一层碳纳米管膜层，该碳纳米管膜层形成在该第二型半导体层的表面。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括一个基板；一层背电极，该背电极形成在该基板的一个表面；一层第一型半导体层，该第一型半导体层形成在该背电极的表面；一层第二型半导体层，该第二型半导体层形成在该第一型半导体层的表面；一层碳纳米管膜层，该碳纳米管膜层形成在该第二型半导体层的表面。2.如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于该碳纳米管膜层为一碳纳米管薄膜或多个重叠设置的碳纳米管薄膜。3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于该碳纳米管薄膜中的碳纳米管为无序排列或各向同性排列。4.如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于，该碳纳米管膜层包含多根碳纳米管，该多根碳纳米管平行于该基板的该表面。5.如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于，该碳纳米管膜层的厚度为10nm至100nm之间。6.如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰良，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]