薄壁C/SiC复合材料与TC4钛合金大间隙钎焊方法技术

技术编号:6482029 阅读:318 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种薄壁C/SiC复合材料与TC4钛合金大间隙钎焊方法,其包括如下步骤:(a)焊接前在C/SiC复合材料试件和TC4钛合金试件之间涂敷0.45~0.95mm厚的钎焊材料;(b)将中间连接有钎焊材料的C/SiC复合材料试件和TC4钛合金试件一同放入真空钎焊炉内,钎焊材料熔化后即形成致密的C/SiC复合材料与TC4钛合金焊接产品;(c)测定所得C/SiC复合材料与TC4钛合金焊接产品,如果在C/SiC复合材料和TC4钛合金之间的钎焊间隙在0.4~0.9mm,则该C/SiC复合材料与TC4钛合金焊接产品符合要求。本发明专利技术采用大间隙钎焊方式,钎涂和钎焊组合的实施工艺,形成具有成分过渡作用、一定厚度的钎缝层/钎焊间隙,缓解连接界面应力,实现C/SiC复合材料与TC4钛合金的可靠焊接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于异种材料连接领域,涉及薄壁C/SiC复合材料与TC4钛合金的焊接方法,特别涉及一种避免C/SiC复合材料与钛合金焊接产品在3. 5MPa高压燃气及室温至 500°C高低温交变的使用环境下出现钎缝开裂、泄漏的钎焊方法。
技术介绍
异种材料焊接是连接
中的重要难题,对于C/SiC复合材料与TC4钛合金的焊接,由于二者的热膨胀系数差别大,C/SiC复合材料也较难被金属钎料润湿,焊接技术难度大,而且其连接结构用于低温一高温温度交变环境中,因此对焊接可靠性要求较高。为减轻结构重量,缩短连接制备周期,对C/SiC复合材料与TC4钛合金钎焊技术研究也有进展将复合材料表面金属化,再进行复合材料与TC4钛合金的钎焊;或采用在连接材料中添加低膨胀系数材料,直接钎焊连接。但目前的钎焊方法形成的复合材料与钛合金连接结构,C/SiC复合材料与TC4钛合金之间焊接间隙在0. 1 0. 2mm,其不足之处在 3. 5MPa高压燃气及室温至500°C高低温交变的使用环境下,复合材料与钎缝层连接界面出现开裂,引起泄漏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能满足C/SiC复合材料与TC4钛合金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄壁C/SiC复合材料与TC4钛合金大间隙钎焊方法,其特征在于:待焊接的C/SiC复合材料试件和TC4钛合金试件的厚度控制在1~8mm;该钎焊方法包括如下步骤:(a)焊接前在C/SiC复合材料试件和TC4钛合金试件之间涂敷0.45~0.95mm厚的钎焊材料;(b)将步骤(a)所得中间连接有钎焊材料的C/SiC复合材料试件和TC4钛合金试件一同放入真空钎焊炉内,压力控制在4×10-2~5×10-2Mpa、温度控制在910~940℃,保温时间在10~20min,钎焊材料熔化后即形成致密的C/SiC复合材料与TC4钛合金焊接产品;(c)测定步骤(b)所得C/SiC复合材料与TC4钛合金焊接产...

【技术特征摘要】
1.一种薄壁C/SiC复合材料与TC4钛合金大间隙钎焊方法,其特征在于待焊接的C/ SiC复合材料试件和TC4钛合金试件的厚度控制在1 8mm ;该钎焊方法包括如下步骤(a)焊接前在C/SiC复合材料试件和TC4钛合金试件之间涂敷0.45 0. 95mm厚的钎焊材料;(b)将步骤(a)所得中间连接有钎焊材料的C/SiC复合材料试件和TC4钛合金试件一同放入真空钎焊炉内,压力控制在4X 10_2 5X 10_2Mpa、温度控制在910 940°C,保温时间在10 20min,钎焊材料熔化后即形成致密的C/SiC复合材料与TC4钛合金焊接产品;(c)测定步骤(b)所得C/SiC复合材料与TC4钛合金焊接产品,如果在C/SiC复合材料 ⑴和TC4钛合金(3)之间的钎焊间隙(2)在0. 4 0. 9mm,则该C/SiC复合材料与TC4...

【专利技术属性】
技术研发人员:李海刚毛建英宁立芹毕建勋吴永智
申请(专利权)人:航天材料及工艺研究所
类型:发明
国别省市:11

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