液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:6395597 阅读:165 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明专利技术实 现能够抑制生产成本的上升且在反射区域和透过区域中进行同样的显 示的液晶显示装置。反射区域中的液晶层的厚度为透过区域中的液晶 层的厚度的90%以上且110%以下,反射区域中的液晶层所包含的液 晶分子的预倾角比透过区域中液晶层所包含的液晶分子的预倾角大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及液晶显示装置,特别是涉及使用OCB模式(Optically Self-Compensated Birefringence mode:光学自补偿双折射模式)的能够 进行透过模式和反射模式下的显示的液晶显示装置(以下也表述为半 透过型(透过反射两用)的液晶显示装置)及其制造方法。
技术介绍
液晶显示装置与CRT (Cathode Ray Tube:阴极射线管)相比具有 薄且轻,能够以低电压进行驱动,消耗电力小的优点。因此,液晶显 示装置能够在电视机、笔记本型PC (Personal Computer:个人计算机)、 台式机型PC、 PDA (便携式终端)和便携式电话等各种电子设备中使 用。其中,所谓的半透过型的液晶显示装置(能够进行透过模式和反 射模式下的显示的液晶显示装置)具有透过和反射两者的显示模式, 能够根据周围环境的明亮度熄灭背光源,因此适用于要求低消耗电力 的用途、例如便携式电话等便携信息终端用途。另一方面,电视机等由液晶面板进行动画显示的设备急速普及, 需要使液晶面板的响应速度变得高速,能够进行良好的动画显示。因 此,最近备受瞩目的是响应速度迅速的OCB模式。在该OCB模式中,在实施过使液晶分子平行且沿同一方向倾斜取 向的这种取向处理的两个基板之间夹着液晶分子,在各个基板表面设 置有相位差板,进一步以使偏光板成为正交尼科耳的方式将其配置在 两基板上。对于相位差板,使用主轴混合排列的负的相位差板等。图9和图10是示意性地表示使用OCB模式的现有的液晶显示装 置101的概略结构的截面图,图9表示无电压施加时的液晶分子190 的取向状态,图IO表示电压施加时的液晶分子190的取向状态。如图9和图10所示,在使用OCB模式的液晶显示装置101中,液晶分子190在没被施加电压的状态下,为图9所示的展曲(spray) 取向,当被施加电压时,转移为(展曲-弯曲转移)图10所示的弯曲取 向。然后,在该弯曲取向的状态下进行显示。而且,上述液晶显示装置101中的液晶面板105,如图9和图10 所示,具备在第一玻璃基板151上设置有包括TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶体管)的配线层134、绝缘层126、像素电极122和 取向层157的TFT基板141、和在第二玻璃基板152上设置有彩色滤 光片(未图示)、相对电极156和取向层157而成的相对基板142,具 有包含液晶分子l卯的液晶层155被该TFT基板141和相对基板142 夹持的构造。接着,对将上述OCB模式应用于半透过型的液晶显示装置的现有 技术进行说明。首先,对现有的一般的半透过型的液晶显示装置的构造进行说明。 图11是示意性地表示现有的半透过型的液晶显示装置101的概略结构 的截面图。如图11所示,液晶显示装置101具有液晶面板105、和设置在其 背面的光源部181。而且,上述光源部181具备光源182和导光板183。另一方面,液晶面板105具有TFT基板141和相对基板142、和 夹在该TFT基板141和相对基板142之间的液晶层155。该液晶显示装置101具有作为反射显示部的反射区域a和作为透 过显示部的透过区域b,通过根据周围环境的明亮度点亮或熄灭上述光 源部181能够进行透过显示和反射显示的切换。而且,该液晶显示装置101以反射区域a中的液晶层155的厚度 比透过区域b中的液晶层155的厚度薄的方式在相对基板142上形成 有树脂台阶154。由此,在反射区域a和透过区域b中,作为光透过液 晶层155的距离的光路长度几乎相等。即,在透过区域b,如箭头d 所示,使从光源部181向上述液晶面板105照射的光只通过液晶层155 一次后从显示面射出,进行显示。另一方面,在反射区域a,从观看者 e侧入射到显示面的光,如箭头c所示,在经过树脂台阶154并通过液 晶层155后,由像素电极122反射,再次通过液晶层155并经过树脂 台阶154从显示面射出,进行显示。另外,在液晶显示装置101中,与现有的液晶显示装置同样,在 TFT基板141和相对基板142上分别设置有像素电极122和相对电极 156,并且在其外面粘合有相位差板162和偏光板161。接着,在现有的半透过型的液晶显示装置中,对使用OCB模式液 晶的技术进行说明。在专利文献1中公开了在上述现有的半透过型的 液晶显示装置101中,使用OCB模式的液晶的技术。图12是示意性 地表示上述专利文献1所记载的液晶显示装置101的概略结构的截面 图。如图12所示,在上述液晶显示装置101中的反射区域a,与上述 图11所示的液晶显示装置101同样,设置有用于使在反射区域a和透 过区域b中光路长度相等的树脂台阶154。而且,透过区域b中的液晶分子190 (图12的f区域)的取向是 弯曲取向(相对电极156侧、反射电极122a侧均为水平取向)。相对于此,反射区域a中的液晶分子190 (图12的g区域)的取 向,是正好将透过区域b中的液晶分子的取向切割成一半的取向,即 与上述反射电极122a相接的部分为垂直取向的取向(相对于一侧的基 板垂直取向,相对于另一侧的基板水平取向混合取向)。如上所述,专利文献1所记载的半透过型的液晶显示装置,具有 在反射区域a和透过区域b中液晶层155的厚度不同的单元间隙构造 (台阶构造),并且在反射区域a和透过区域b中液晶分子l卯的取向 不同。专利文献1:日本国公开专利公报特开2005-84593号公报(公 开日2005年3月31日)专利文献2:日本国公开专利公报特开2002-207206号公报(公 开日2002年7月26日)专利文献3:日本国公开专利公报特开2002-350卯2号公报(公 开曰2002年12月4曰)专利文献4:日本国公开专利公报特开2005-31680号公报(公开日2005年2月3日)专利文献5:日本国公开专利公报特开2003-107531号公报(公 开日2003年4月9日)、日本国专利第3334714号公报专利文献6:日本国公开专利公报特开2002-311456号公报(公 开曰2002年10月23日公开)
技术实现思路
但是,在上述现有的半透过型的液晶显示装置中,为了在反射区 域和透过区域中使液晶层的厚度不同而需要设置台阶,设置这样的台 阶存在导致生产成本上升的问题点。此外,在上述专利文献1所记载的结构中,在反射区域和透过区 域中,难以实施水平取向和垂直取向这样完全不同的取向处理,存在 难以作为实制品进行制造的问题。因此,为了消除上述困难,考虑反射区域和透过区域的任一个均 采用OCB模式、即弯曲取向的结构。但是,为了实现弯曲取向,需要从展曲取向向弯曲取向的取向转 移。而且,该取向转移一般不容易,为了可靠地进行取向转移,需要 产生转移核。关于此,作为用于产生转移核的技术,提出了通过利用横电场, 或在像素电极上开孔,产生用于向弯曲取向转移的核的技术。例如, 在专利文献2中提出了在信号线和像素电极之间产生横电场的技术, 在专利文献3中提出了为了增强横电场而在像素电极之间设置配线电 极的技术,在专利文献4中提出了为了在像素内生成弯曲取向而设置 金属电极的技术,在专利文献5中提出了为了产生横电场而在像素电 极上设置欠缺部的技术。进而,可知上述弯曲取向本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种液晶显示装置,其包括相对的一对基板、和由该一对基板夹持的液晶层, 在每一像素内具有反射区域和透过区域,能够进行透过模式和反射模式的显示,所述液晶显示装置的特征在于: 所述反射区域中的液晶层的厚度为所述透过区域中的液晶层的厚度的90%以上且110%以下, 所述反射区域中的液晶层所包含的液晶分子的预倾角比所述透过区域中液晶层所包含的液晶分子的预倾角大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2007.2.22 JP 042920/20071.一种液晶显示装置,其包括相对的一对基板、和由该一对基板夹持的液晶层,在每一像素内具有反射区域和透过区域,能够进行透过模式和反射模式的显示,所述液晶显示装置的特征在于所述反射区域中的液晶层的厚度为所述透过区域中的液晶层的厚度的90%以上且110%以下,所述反射区域中的液晶层所包含的液晶分子的预倾角比所述透过区域中液晶层所包含的液晶分子的预倾角大。2. 如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于 所述反射区域中的液晶层的厚度与所述反射区域的液晶层的厚度相同。3. 如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于 所述反射区域中的液晶层的延迟为所述透过区域中的液晶层的延迟的90%以上且100%以下。4. 如权利要求3所述的液晶显示装置,其特征在于所述反射区域中的液晶层的延迟与所述透过区域中的液晶层的延 迟相同。5. 如权利要求1 4中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:在所述一对基板的与所述液晶层相接的面的至少一部分上设置有 限制所述液晶层所包含的液晶分子的取向的取向层,所述取向层通过所述液晶层所包含的聚合成分在所述液晶层被施 加电压的状态下聚合而设置。6. 如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于通过所述聚合成分聚合而设置的取向层仅设置在所述反射区域。7. 如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于 在所述取向层聚合时,在所述反射区域向所述液晶层施加的电压是实际显示时向所述透过区域施加的接通电压以上的电压。8. 如权利要求1 4、 6、 7中任一项所述的液晶显示装置,其特 征在于所述遊过区域和所述反射区域中的液晶层所包含的液晶分子通过 向液晶层施加电压而从展曲取向向弯曲取向取向转移。9. 如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于所述透过区域和所述反射区域中的液晶层所包含的液晶分子通过 向液晶层施加电压而从展曲取向向弯曲取向取向转移。10. 如权利要求1 4、 6、 7中任一项所述的液晶显示装置,其特 征在于所述反射区域中的液晶层所包含的液晶分子在不向液晶层施加电 压的状态下为弯曲取向,所述透过区域中的液晶层所包含的液晶分子通过向液晶层施加电 压而从展曲取向向弯曲取向取向转移。11. 如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于所述反射区域中的液晶层所包含的液晶分子在不向液晶层施加电 压的状态下为弯曲取向,所述透过区域中的液晶层所包含的液晶分子通过向液晶层施加电 压而从展曲取向向弯曲取向取向转移。12. 如权利要求8所述的液晶显示装置,其特征在于在所述一对基板之中的一个基板上,对各像素设置有用于开关所 述像素的晶体管元件,并且设置有用于控制所述晶体管元件的栅极总 线,各像素中的所述反射区域,沿着用于控制设置在该像素内的所述晶体管元件的栅极总线设置。13. 如权利要求9所述的液晶显示装置,其特征在于-在所述一对基板之中的一个基板上,对各像素设置...

【专利技术属性】
技术研发人员:片山崇
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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