显示装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具备具有存储器的像素的显示装置以及电子设备。在像素中至少设置显示元件、电容元件、反相器以及开关。通过使用保持在电容元件中的信号和从反相器输出的信号控制开关，向显示元件供应电压。可以使用具有相同极性的晶体管构成反相器以及开关。另外，也可以使用具有透光性的材料形成构成像素的半导体层。另外，也可以使用具有透光性的导电层形成栅电极、漏电极以及电容电极。如上所述，通过使用透光材料形成像素，可以制造透过型显示装置，该显示装置具有配置有存储器的像素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法。本专利技术 尤其涉及一种具有如下电路的半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法，该 电路使用将具有透光性的半导体膜用于沟道形成区的薄膜晶体管构成。本专利技术尤其涉及 一种具有如下电路的半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法，该电路使用 将氧化物半导体膜用于沟道形成区的薄膜晶体管构成。
技术介绍
作为以液晶显示装置为代表的显示装置的开关元件，广泛地使用将非晶硅等的 硅层用作沟道层的薄膜晶体管(TFT)。虽然使用非晶硅的薄膜晶体管的场效应迁移率 低，但是使用非晶硅的薄膜晶体管具有可以对应于玻璃衬底的大面积化的优点。另外，近年来，通过使用显现半导体特性的金属氧化物制造薄膜晶体管，并将 该薄膜晶体管应用于电子装置或光装置的技术受到注目。例如，已知金属氧化物中的氧 化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等显现半导体特性。将由这种金属氧化物构成的透光半 导体层用于沟道形成区的薄膜晶体管已被公开(例如，参照专利文献1)。另外，正在研究如下技术使用具有透光性的氧化物半导体层形成晶体管的沟 道层，并且还使用具有透光性的透明导电膜形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：包括像素电极的显示元件；控制图像信号的输入的第一电路；保持所述图像信号的第二电路；以及控制向所述像素电极供应的电压的极性的第三电路，其中，所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路使用透光材料形成，并且，所述像素电极配置在所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木村肇，秋元健吾，津吹将志，佐佐木俊成，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP