片式差分对管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种片式差分对管，它由两个三极管晶片Ｔ１、Ｔ２和五个金属引出脚封装而成，脚一作为三极管Ｔ１的基极Ｂ１；脚二作为三极管Ｔ１发射极Ｅ１与三极管Ｔ２发射极Ｅ２的共同极；脚三作为三极管Ｔ２的基极Ｂ２；脚四作为三极管Ｔ２的集电极Ｃ２，其上贴装三极管Ｔ２；脚五作为三极管Ｔ１的集电极Ｃ１，其上贴装三极管Ｔ１；三极管Ｔ１之基极Ｂ１和发射极Ｅ１分别通过导线与脚一和脚二相连接；三极管Ｔ２之基极Ｂ２和发射极Ｅ２分别通过导线与脚三和脚二相连接，其具有缩小线路板的使用面积、原材料大幅减少、简化操作、降低成本、提高生产率的优点。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元器件领域，具体涉及一种片式差分对管，广泛应用于仪器 仪表、通讯及各种电子线路中。技术背景表面贴装半导体器件(SMD)由于其体积小，集成度高，被广泛的应用于电子通讯、 计算机、电子仪器、彩电、充电器等产品，但是目前市场上大多是直接将单个三极管或二极 管制成表面贴装式，虽然管子的体积减小了，但是元器件的数量并没有减少，所占据的电路 板的面积还是比较大，也没有简化操作，已经越来越不能满足电子信息产品越来越朝着小 型化、轻薄化、高速化的趋势发展的需要了。
技术实现思路
为解决现有技术的不足，本技术提供了一种片式差分对管，旨在使器件更加 集成，占据更小面积，简化操作，提高产品的热稳定性，提高器件的可靠性，进一步降低成 本。本技术是这样实现的片式差分对管，它由两个三极管晶片Tl、T2和五个金 属引出脚封装而成，脚一作为三极管Tl的基极Bl ；脚二作为三极管Tl发射极El与三极管 T2发射极E2的共同极；脚三作为三极管T2的基极B2 ；脚四作为三极管T2的集电极C2，其 上贴装三极管T2 ；脚五作为三极管Tl的集电极Cl，其上贴装三极管Tl ；三极管Tl之基极 Bl和发射极El分本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．片式差分对管，其特征在于：它由两个三极管晶片Ｔ１、Ｔ２和五个金属引出脚封装而成，脚一（１）作为三极管Ｔ１的基极Ｂ１；脚二（２）作为三极管Ｔ１发射极Ｅ１与三极管Ｔ２发射极Ｅ２的共同极；脚三（３）作为三极管Ｔ２的基极Ｂ２；脚四（４）作为三极管Ｔ２的集电极Ｃ２，其上贴装三极管Ｔ２；脚五（５）作为三极管Ｔ１的集电极Ｃ１，其上贴装三极管Ｔ１；三极管Ｔ１之基极Ｂ１和发射极Ｅ１分别通过导线与脚一（１）和脚二（２）相连接；三极管Ｔ２之基极Ｂ２和发射极Ｅ２分别通过导线与脚三（３）和脚二（２）相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱宝龙，易申，
申请(专利权)人：兴化市华宇电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]