【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种外延片生产用承载盘。
技术介绍
外延片的生产方法，是在衬底上生长单晶硅薄膜。如图1所示为一种衬底的俯视 图，衬底4具有一参考面41。化学气相法生产外延片时，使气态的硅单晶沉积在衬底表面。 单晶硅的沉积是在石英罩内进行。为保证衬底表面沉积的硅单晶薄膜均勻，沉积过程中，衬 底放置在承载盘上并随承载盘不断的旋转。承载盘表面设置有第一凹槽，与衬底形状相适 应，可防止衬底在旋转过程偏离位置。放置衬底时，使用真空吸笔吸住衬底背面，将衬底放 入第一凹槽内，再将真空吸笔抽出。沉积完成后，采用真空吸笔插入衬底背面，吸住沉底背 面，将衬底取出。由于现有技术中的承载盘的第一凹槽，侧面为直面，在放置衬底后，第一凹 槽的侧面会阻挡真空吸笔，真空吸笔无法顺利取出。沉积完成后需要取出衬底时，由于衬 底较薄，且与承载盘之间接触紧密，真空吸笔无法顺利插到衬底背面。因此，现有技术中的 承载盘，取放衬底不方便，影响生产效率，严重时甚至会损坏衬底或衬底表面沉积的单晶薄 膜。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种取放衬底方便的外延 片生产用承载盘。为实现以上目的，本技术...
【技术保护点】
外延片生产用承载盘，其特征在于，包括盘体，盘体表面设置有承载衬底的第一凹槽，所述第一凹槽边缘设置有第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽联通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高璇，
申请(专利权)人：上海晶盟硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[]
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