一种变压器中的夹件磁屏蔽结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种变压器中的夹件磁屏蔽结构，安装于线圈端部，在线圈与铁心、夹件腹板之间的空隙中设有副压板，在副压板上嵌设有磁屏蔽；所述磁屏蔽为采用硅钢片竖向放置、延水平方向叠积而成的平板型整体结构；所述磁屏蔽的长度延伸至器身的漏磁空道处；所述磁屏蔽放置高度距离线圈上、下两个端部２００～２５０ｍｍ；所述磁屏蔽采用边缘为圆角化的铜屏蔽。本实用新型专利技术改善了传统磁屏蔽由于环流去磁和磁屏蔽距离漏磁远，屏蔽效果不明显的现状，提升了高阻抗、超大容量变压器的性能指标，使得器身内部非导磁材料结构件中的环流损耗大大降低，局部热点温升限值也大为降低，对节约原材料消耗、提高产品竞争力方面都具有积极的意义。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种变压器制造技术，具体的说是一种应用于超高压、超大容量 或高阻抗自耦变压器中的夹件磁屏蔽结构。
技术介绍
对于利用电磁转换原理工作的变压器来说，变压器漏磁密度的大小与变压器容 量、短路阻抗成正比增长，变压器漏磁通的增长将带来产品负载损耗增大和局部过热等现 象，对变压器长期安全运行十分不利。为了避免高阻抗、超大容量变压器产品的漏磁可能引 起局部过热的问题，一般在器身端部漏磁通较集中的区域采用高导磁性材料作为屏蔽，疏 导漏磁不进入或尽可能少地进入非导磁性结构件中，以期达到减小结构件中涡流损耗、防 止局部过热的目的。目前大容量自耦变压器采用的磁屏蔽结构，在常规单相250MVA容量的 变压器上效果还比较明显，在高阻抗、超大容量自耦变压器上，这种磁屏蔽就不能满足减小 结构件中附加损耗和防止局部过热的要求。通过对变压器器身端部漏磁和现有磁屏蔽结构进行分析，发现现有磁屏蔽存在以 下问题1.漏磁通过磁屏蔽时，将在磁屏蔽表层感应出环流，阻碍漏磁更多地进入磁屏蔽 (见图1) ；2.由于磁屏蔽采用分段L型放置和直接固定于夹件腹板上等因素，造成磁屏蔽 与器身端部距离较远(见图2A 2C)，使得所采用的磁屏蔽汇集疏导漏磁的能力不强，在高 阻抗、超大容量变压器上所起的屏蔽作用就不明显了。
技术实现思路
针对现有技术中存在的磁屏蔽与器身端部距离较远，磁屏蔽作用不明显等不足之 处，本技术要解决的技术问题是提供一种磁屏蔽作用明显，使得器身内部非导磁材料 结构件中的环流损耗大大降低的夹件磁屏蔽结构。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是本技术一种变压器中的夹件磁屏蔽结构，安装于线圈端部，在线圈与铁心、夹 件腹板之间的空隙中设有副压板，在副压板上嵌设有磁屏蔽。所述磁屏蔽为采用硅钢片竖向放置、延水平方向叠积而成的平板型整体结构；所 述磁屏蔽的长度延伸至器身的漏磁空道处；所述磁屏蔽放置高度距离线圈上、下两个端部 200 250mm ；所述磁屏蔽采用边缘为圆角化的铜屏蔽。本技术具有以下有益效果及优点1.改善了传统磁屏蔽由于环流去磁和磁屏蔽距离漏磁远，屏蔽效果不明显的现 状，提升了高阻抗、超大容量变压器的性能指标，使得器身内部非导磁材料结构件中的环流 损耗大大降低，局部热点温升限值也大为降低。2.本技术对节约原材料消耗、提高产品竞争力方面都具有积极的意义。附图说明图1为现有技术中磁屏蔽漏磁通感应环流示意图；图2A为现有技术中变压器采用的夹件磁屏蔽结构示意图；图2B为图2A的A向视图；图2C为图2A的B向视图；图3为本技术磁屏蔽漏磁通感应环流示意图；图4A为本技术夹件磁屏蔽结构示意图；图4B为图4A的A向视图。具体实施方式如图3、4A、4B所示，将本技术变压器中的夹件磁屏蔽结构应用于 0DFS-400000/500的变压器中，安装于线圈4端部，在线圈4与铁心2、夹件腹板1之间的空 隙中设有副压板5，在副压板5上嵌设有磁屏蔽3。所述磁屏蔽3为采用硅钢片竖向放置、延水平方向叠积而成的平板型整体结构。 本技术通过改变磁屏蔽叠积方向，使漏磁垂直于硅钢片薄片方向进入磁屏蔽中，利用 硅钢片片间绝缘阻碍环流的出现，以此来消弱大面积导磁材料中环流的去磁作用，使磁屏 蔽起到良好的疏导漏磁的效果。用该结构主要技术难点是硅钢片叠积成型的机械强度问题，参考心式变压器铁心 片叠积和固定方式，采用无磁钢板焊接成框形盒式结构(此框形盒式结构的无磁钢板是指 嵌于副压板5中使磁屏蔽3成型的框架)，将铁心片叠放在框内，采用焊接、无纬带绑扎等工 艺措施，保证磁屏蔽叠积的结构尺寸。在本技术应用之前，制作磁屏蔽样件，按变压器 在制造和运行中可能承受的最大机械力，对磁屏蔽进行加压试验，试验压力为2倍的最大 机械力。改变磁屏蔽结构，磁屏蔽3的长度延伸至器身的漏磁空道处，使主漏磁空道中的 大面积漏磁近距离的进入磁屏蔽；磁屏蔽3的放置高度距离线圈4上、下两个端部200 250mm，在保证电气绝缘性能的前提下，减小磁屏蔽与线圈端部的距离；通过核算漏磁通量， 可以灵活确定磁屏蔽覆盖面积，使大面积漏磁直接进入磁屏蔽。改变磁屏蔽固定方式和放置位置，将磁屏蔽嵌入副压板固定，使磁屏蔽在高度上 更接近线圈漏磁主空道；在磁屏蔽3边缘采用圆角化铜屏蔽措施，其作用是改善磁屏蔽边 缘的电极形状，提高线圈端部到磁屏蔽之间的电气绝缘耐受能力，使磁屏蔽在高度上更接 近线圈端部，本技术磁屏蔽到线圈端部的距离较传统磁屏蔽少了 70mm。磁屏蔽3的长度延伸至器身的漏磁空道处，通过核算漏磁通量，可以灵活确定磁 屏蔽覆盖面积，使大面积漏磁直接进入磁屏蔽。本技术磁屏蔽结构的应用，改善了传统磁屏蔽由于环流去磁和磁屏蔽距离漏 磁远，屏蔽效果不明显的现状，提升了高阻抗、超大容量变压器的性能指标，使得器身内部 非导磁材料结构件中的环流损耗大大降低，局部热点温升限值也大为降低。对于本实施例 中的0DFS-400000/500变压器，采用新型磁屏蔽前后，变压器负载损耗降低了 40kW。本技术磁屏蔽可应用于大容量自耦变压器上，对减小非导磁材料结构件中的 环流损耗，避免局部过热方面具有十分显著的效果。权利要求1.一种变压器中的夹件磁屏蔽结构，安装于线圈端部，其特征在于在线圈(4)与铁心 O)、夹件腹板⑴之间的空隙中设有副压板(5)，在副压板(5)上嵌设有磁屏蔽(3)。2.按权利要求1所述的变压器中的夹件磁屏蔽结构，其特征在于所述磁屏蔽(3)为 采用硅钢片竖向放置、延水平方向叠积而成的平板型整体结构。3.按权利要求1所述的变压器中的夹件磁屏蔽结构，其特征在于所述磁屏蔽(3)的 长度延伸至器身的漏磁空道处。4.按权利要求1所述的变压器中的夹件磁屏蔽结构，其特征在于所述磁屏蔽(3)放 置高度距离线圈(4)上、下两个端部200 250mm。5.按权利要求1所述的变压器中的夹件磁屏蔽结构，其特征在于所述磁屏蔽(3)采 用边缘为圆角化的铜屏蔽。专利摘要本技术涉及一种变压器中的夹件磁屏蔽结构，安装于线圈端部，在线圈与铁心、夹件腹板之间的空隙中设有副压板，在副压板上嵌设有磁屏蔽；所述磁屏蔽为采用硅钢片竖向放置、延水平方向叠积而成的平板型整体结构；所述磁屏蔽的长度延伸至器身的漏磁空道处；所述磁屏蔽放置高度距离线圈上、下两个端部200～250mm；所述磁屏蔽采用边缘为圆角化的铜屏蔽。本技术改善了传统磁屏蔽由于环流去磁和磁屏蔽距离漏磁远，屏蔽效果不明显的现状，提升了高阻抗、超大容量变压器的性能指标，使得器身内部非导磁材料结构件中的环流损耗大大降低，局部热点温升限值也大为降低，对节约原材料消耗、提高产品竞争力方面都具有积极的意义。文档编号H05K9/00GK201829323SQ20102022415公开日2011年5月11日 申请日期2010年6月12日 优先权日2010年6月12日专利技术者冯春玲, 徐思华, 方明, 李晓星 申请人:特变电工沈阳变压器集团有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种变压器中的夹件磁屏蔽结构，安装于线圈端部，其特征在于：在线圈（４）与铁心（２）、夹件腹板（１）之间的空隙中设有副压板（５），在副压板（５）上嵌设有磁屏蔽（３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方明，李晓星，冯春玲，徐思华，
申请(专利权)人：特变电工沈阳变压器集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：89[中国|沈阳]