一种ＬＥＤ发光组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ＬＥＤ发光组件，其结构包括绝缘基板、设置在该基板上的发光单元、覆盖在发光单元ｐ型批覆层外的外表面呈凹凸状的透明粗化层；发光单元包括以磊晶层叠方式形成的磊晶结构层体、ｎ型批覆层、ｐ型批覆层；透明粗化层外表面形成的凹凸为自然分布。本实用新型专利技术ＬＥＤ发光组件折射效果好，对外发光效率高，结构简单，成本低。适于作为高亮度照明光源生产使用。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体组件，尤其是一种LED固态发光组件。 
技术介绍
LED(Light Emitting Diode)发光二极管，是一种固态的半导体器件，初时多用作指示灯、显示板等，随着白光LED的出现，越来越多地被用作照明。 发光二极管是由特殊半导体材料芯片组成的二极管，当两种不同载流子——空穴和电子在不同的电极电压作用下从电极流过PN结，二者会产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的方式释放出能量。光的波长、颜色由组成PN结的半导体材料的禁带能量所决定。 现时生产的白光LED大部分是通过在蓝光LED上覆盖一层淡黄色涂层制成的，这种黄色磷光体通常是通过把(Ce3+:YAG)晶体磨成粉末后混合在一种稠密的黏合剂中而制成的。调校颜色的方法是用稀土金属铽或钆取代Ce3+:YAG中的铈(Ce)，甚至可以用取代YAG中的部分或全部铝的方式做到。基于其光谱的特性，红色和绿色的对象在这种LED照射下看起来会不及阔谱光源照射时那么鲜明。且由于生产条件的变异，这种LED的成 品的色温并不统一，从暖黄色到冷的蓝色都有，在生产过程中会以其出来的特性作出区分。 另一种白光LED的制作方法是在发出近紫外光的LED上涂上两种磷光体的混合物，一种是发红光和蓝光的铕，另一种是发绿光的掺杂了硫化锌的铜或铝。此方法生产难度较高，产品寿命较短。 最新的生产方法是在硒化锌(ZnSe)基板上生长硒化锌的磊晶层。通电时其活跃地带会发出蓝光，而基板会发黄光，混合起来便是白色光。还有一种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG)封装在一起做成，GaN芯片发蓝光，高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后，发出黄色光射，蓝光LED基片安装在碗形反向反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，得到白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500——10000K的各色白光。 由于光子在半导体和空气介面的全反向反射，影响GaN基LED的外量子效率低下，光子的主要损耗对出光效率产生较大影响。 因而，现有技术还有待于改进和提高。 
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种折射效果好，发光效率高，光损低的高亮度发光LED发光组件。 本技术的技术方案包括： 一种LED发光组件，其中，包括绝缘基板、设置在该基板上的发光单元、覆盖在发光单元p型批覆层外的外表面呈凹凸状的透明粗化层。--> 所述的LED发光组件，其中，所述的发光单元包括以磊晶层叠方式形成的磊晶结构层体、n型批覆层、p型批覆层；磊晶结构层体位于n型批覆层与p型批覆层之间。 所述的LED发光组件，其中，所述的n型批覆层的上方预定位置有与n型批覆层形成欧姆接触的n型电极。 所述的LED发光组件，其中，在所述透明粗化层上方确定位置有与p型批覆层形成欧姆接触的p型电极。 所述的LED发光组件，其中，所述的透明粗化层外表面形成的凹凸为自然分布，其深度在0.1——0.5μm。 本技术产生的技术效果是：本技术采用在基板上设置以磊晶层叠方式形成的磊晶结构层体发光单元，以光电效应产生高亮度光源；发光单元外覆有外表面呈凹凸状的透明粗化层，且凹凸分布为自然分布，深度在 0.1——0.5um，使发光单元发出的光经由透明粗化层至外界时送减小被全反射的几率，折射效果好，对外发光效率高，结构简单，生产效率高，成本低。 附图说明图1为本技术结构示意图。 具体实施方式以下结合附图实施例，说明本技术的结构原理如下： 如图1所示，本技术LED发光组件包括绝缘基板11、发光单元、透明粗化层30，发光组件设置在基板11上，透明粗化层30覆盖在发光单元上。 发光单元包括以磊晶层叠方式形成的磊晶结构层体22、n型批覆层21、p型批覆层23；磊晶结构层22位于n型批覆层21与p型批覆层23之间。n型批覆层21的上方预定位置设有与n型批覆层形成欧姆接触的n型电极211。 在透明粗化层30上方确定位置有与p型批覆层23形成欧姆接触的p型电极231。 透明粗化层30为以氧化铟锡披覆形成的透明粗化层，其外表面有用药液蚀刻和等离子束轰击形成的凹凸31群。凹凸31的分布为自然分布，其深度在0.1——0.5μm。 综上所述，本技术采用在基板上设置发光单元，以光电效应产生高亮度光源；发光单元外覆有外表面呈凹凸状的透明粗化层，减小了半导体与空气介面反射的几率，折射效果好，对外发光效率高。 应当理解的是，上述针对具体实施例的描述较为详细，并不能因此而认为是对本技术专利保护范围的限制，本技术的专利保护范围应以所附权利要求为准。 -->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ发光组件，其特征在于，包括绝缘基板、设置在该基板上的发光单元、覆盖在发光单元ｐ型批覆层外的外表面呈凹凸状的透明粗化层。

【技术特征摘要】
1.一种LED发光组件，其特征在于，包括绝缘基板、设置在该基板上的发光单元、覆盖在发光单元p型批覆层外的外表面呈凹凸状的透明粗化层。2.根据权利要求1所述的LED发光组件，其特征在于，所述的发光单元包括以磊晶层叠方式形成的磊晶结构层体、n型批覆层、p型批覆层；磊晶结构层体位于n型批覆层与p型批覆层之间。3.根据权利要求2所述的LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，李正淳，欧浩源，
申请(专利权)人：张剑，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]