一种磁控管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种磁控管，包括阳极筒和设置在阳极筒上下两端的磁极，以及位于两磁极之间且与阳极筒内壁连接的多个叶片，穿过其中一端磁极并与叶片连接的耦合天线；沿阳极筒轴线方向，每个叶片的上端面处于同一平面上，每个叶片的下端面处于另一水平面上，所述耦合天线穿过一端的磁极与叶片相近一端端面的距离２．５ｍｍ≤ｈ２≤３．５ｍｍ。本实用新型专利技术弥补由于耦合天线的存在造成阳极谐振系统中电磁场的不对称，降低磁控管中其它寄生振荡模式的噪声水平，使连续波磁控管的电磁兼容性能得到极大程度的提升。本实用新型专利技术的这种改进，由于不需要另外设计扼流结构来抑制不需要的寄生谐波外泄，因此可以降低磁控管的复杂度、减少制作成本，同时还可实现小型化。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及到磁控管技术，更具体的说是一种连续波磁控管。
技术介绍
连续波磁控管在很宽的频率范围内产生电磁干扰，其产生微波的机理是从阴极发射的电子在正交场的作用下在阴极表面做轮摆线运动，当电子沿角向的速度与由阳极筒、叶片和磁极构成的谐振系统的某一空间谐波的相速相近时，产生强烈的电磁相互作用，从而产生电磁振荡，该电磁振荡通过耦合天线输出。对于1GHz～18GHz的频段的电磁噪声，现有技术主要是通过在管内设计相应的扼流结构以抑制特定频段的噪声。扼流技术的主要设计原理是同轴线中的距短路面四分之一波长处的特性阻抗为无穷大，从而形成微波的全反射。如中国专利公开号CN98102605.2、CN02160549.1、CN200610171247.5、CN200810054042.8所公开的磁控管就采用了两个筒状扼流结构来抑制三次谐波和五次谐波等不需要的高频次谐波的外泄，其优点是针对特定的频率可以有很好的衰减效果。其不利的是需要在磁控管的输出回路中设计相应的扼流结构，而结构的大小会受到输出回路已有尺寸的限制。此外，其不利的是当需要抑制多个频段的电磁噪声时，需要设计多个扼流结构，使结构变得相当复杂。同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控管，包括阳极筒（２）和设置在阳极筒（２）上下两端的磁极，以及位于两磁极之间且与阳极筒内壁连接的多个叶片（３），穿过其中一端磁极（４）并与叶片连接的耦合天线（５）；其特征在于：沿阳极筒（２）轴线方向，每个叶片（３）的上端面处于同一平面上，每个叶片（３）的下端面处于另一水平面上，所述耦合天线（５）穿过一端的磁极（４）与叶片（３）相近一端端面的距离２．５ｍｍ≤ｈ２≤３．５ｍｍ。

【技术特征摘要】
1.一种磁控管，包括阳极筒(2)和设置在阳极筒(2)上下两端的磁极，以及位于两磁极之间且与阳极筒内壁连接的多个叶片(3)，穿过其中一端磁极(4)并与叶片连接的耦合天线(5)；其特征在于：沿阳极筒(2)轴线方向，每个叶片(3)的上端面处于同一平面上，每个叶片(3)的下端面处于另一水平面上，所述耦合天线(5)穿过一端的磁极(4)与叶片(3)相近一端端面的距离2.5mm≤h2≤3.5mm。2.根据权利要求1所述磁控管，其特征在于：所述阳极筒(2)另一端的磁极(1)与叶片(3)相近一端端面的距离为h1，并且1.5≤h2/h1≤2。3.根据权利要求1所述磁控管，其特征在于：所述阳极筒(2)另一端的磁极(1)与叶片(3)相近一端端面的距离为h1，且1.7mm≤h1≤2.7mm。4.根据权利要求2或3所述磁控管，，其特征在于：所述h1的值为1.7mm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：施志雄，胡再兴，陈庆华，王贤友，
申请(专利权)人：美的集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]