闪存存储管理方法技术

本发明专利技术揭示了一种闪存存储管理方法，将闪存划分为至少一个区以及至少两个域，每个域包括多个物理块，且区大小为域大小的整数倍；以区为单位，建立物理块分配表；以域为单位，建立逻辑块地址与物理块地址之间的块地址映射表；在对闪存进行读写操作时，仅调用当前读写操作地址所对应域的块地址映射表与其所对应区的物理块分配表至ＲＡＭ。如此，任意时刻，ＲＡＭ中仅需暂存一个域的块地址映射表与一个区的物理块分配表，相对于现有技术中存储整个闪存的块地址映射表与物理块分配表，本发明专利技术所占的ＲＡＭ资源大幅减少，成本随之降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪存
，特别是涉及一种。
技术介绍
快闪存储器(Flash Memory)，简称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电情况下 仍能保持其所存储的数据信息。闪存是一种特殊的、以大区块擦写的电可擦可编程只读存 储器(EEPROM)，允许在操作中被多次擦(Erase)或写(Program)。其成本和速度相对于普 通的以字节为单位写入的EEPROM具有极大的优势，因此成为非易失性固态储存最重要也 最广为采纳的技术。目前，闪存主要分为NOR型和NAND型两种，其中NAND Flash相较于NOR Flash具 有擦写速度快，储存密度高，单位成本低等优点，因此非常适合用于记忆卡与U盘之类的大 容量储存装置，例如，在笔记本电脑、PDA、随身听，数码相机与手机等电子产品上均可以见 到。虽然，闪存相对于普通的以字节为单位写入的EEPROM具有极大的优势，但也 存在着一些限制，这些限制主要表现在其擦写方式上。例如，闪存的物理单元在写操作 (Program)时只能由“ 1”变成“0”，因此当一个单元写过之后，只能借助擦除操作(Erase)来 回复“1”的状态，才可再次写入。目前，NA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存存储管理方法，其特征是，包括：建立表格，其包括：将闪存划分为至少一个区以及至少两个域，每个域包括多个物理块，且区大小为域大小的整数倍；以区为单位，建立物理块分配表；以域为单位，建立逻辑块地址与物理块地址之间的块地址映射表；调用表格，其包括：仅调用当前读写操作地址所对应域的块地址映射表与其所对应区的物理块分配表至ＲＡＭ；进行读写操作，其包括：依据ＲＡＭ中的块地址映射表进行逻辑地址与物理地址转换，然后依据ＲＡＭ中的物理块分配表进行相应的读写操作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦，苗诗君，聂仙丽，龚静，
申请(专利权)人：中颖电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]