The invention discloses a flash memory wear leveling method, which comprises the following steps: (1) the flash memory storage area is divided into a plurality of sub regions; (2) intervals to determine the storage area the degree of wear, wear will be stored in region number of serious abrasion and insert a storage area queue; (3) when the logic block needs a new allocation of physical block, dynamic wear leveling operation, wear balance of flash memory. Wear leveling method of the invention is suitable for wear of flash storage device balance type, without the scalability problems of large capacity flash memory device is also suitable, can greatly improve the storage system to read and write performance and life.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体存储领域,具体涉及。
技术介绍
闪存因为其具有高密度、大容量、较低的读写操作耗时、能耗低,非易失性等特点 而越来越广的被应用于各种领域;同时,闪存芯片自身存在的一些缺陷限制了这类存储器 的应用。其一,闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦 除后写入,闪存以块为单位进行擦除操作。其二,闪存芯片的可擦除次数是有限的,对于NOR 型闪存可擦除次数一般为十万次左右,NAND型闪存可擦除次数一般为百万次左右。然而在闪存芯片的实际使用过程中,闪存设备的实际寿命远远低于上述的理论 值。其主要原因是闪存芯片被操作的频率是不一样的。存储热数据的闪存区块由于热数据 的不断更新写入,而导致这些闪存区块不断地被擦除,写入,形成坏块,当坏块达到一定的 累积之后,闪存芯片就不能够再使用了,而存储冷数据的闪存区块由于冷数据长时间不更 新写入,而导致这些闪存区块很少被擦除,这样会造成很大的浪费。磨损平衡算法所解决的 正是如何将整个闪存介质平均地被磨损,而不是某些闪存区块不断地被磨损,其它闪存区 块则处于闲置状态。国内外有很多关于磨损平衡算法的研 ...
【技术保护点】
一种闪存的磨损平衡方法,包括如下步骤:(1)将闪存存储区域分为多个存储子区域;(2)每间隔一定时间判定各存储子区域磨损程度,将磨损严重的存储子区域编号并插入一磨损严重存储子区域队列中;(3)在逻辑块需要新分配物理块时,进行动态磨损平衡操作,实现对闪存的磨损平衡。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘景宁,冯丹,童薇,项南,胡洋,秦亦,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:83
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