当前位置: 首页 > 专利查询>冯安清专利>正文

兰花无土栽培基质及其制作方法技术

技术编号:6095877 阅读:570 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种兰花无土栽培基质及其制作方法,所述兰花无土栽培基质包括以下重量份数的原料:刨花10、草炭5、珍珠岩3、水2,以及上述原料混合均匀后与海藻肥以2000:1重量比混合均匀。本发明专利技术的有益效果为:采用了透气性高的刨花,防止兰根由于质料过于密闭而滋生病菌造成植株死亡;草炭与珍珠岩保湿性强,与根部结合良好,能够较持久地维持兰花植株所需水分;海藻肥的微量元素构成比例符合兰花生长需求,能长期提供其所需养分,不需要频繁施肥,利于家庭及办公室养植;兼具透气及保湿等特性,可使用各种艺术造型花盆种植兰花,并减少环境对兰株的影响,有效提高存活率与发苗率,使家庭、办公室养兰简单易化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无土栽培
,尤其涉及一种。
技术介绍
兰花是具有数千年历史的古老植物,承载着相当多的中华传统文化,在当今提倡 弘扬传统的社会环境中,正受到越来越多人的重视。目前国内养植兰花主要沿用传统养植 技术,使用土壤、砾石等传统质料作为种植基质,对于温度、湿度、盆具、日常护理等要求较 高,因此家庭、办公室养植难度较大、存活率低,且大都只能使用兰花专用的花盆种植,局限 性大。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种,以克服现有栽培基质 种植兰花对于温度、湿度、盆具、日常护理等要求过高,家庭办公室种植存活率低,只能使用 少数专用花盆种植的不足。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现一种兰花无土栽培基质,包括以下重量份数的原料刨花10、草炭5、珍珠岩3、水2,以 及上述原料混合均勻后与海藻肥以2000 1重量比混合均勻。所述刨花为松树、柳树、樱树中段树干的刨花,其直径约为5-10mm,厚度约为Imm ; 所述刨花于250°C高温蒸煮4小时,取出后晾干暴晒240小时;所述草炭10于250°C高温蒸 煮8小时,取出后晾干暴晒168小时。一种兰花无土栽培基质的制作方法,包括以下步骤1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种兰花无土栽培基质,其特征在于,包括以下重量份数的原料:刨花10、草炭5、珍珠岩3、水2,以及上述原料混合均匀后与海藻肥按2000∶1重量比混合均匀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:冯安清冯晶瑶
申请(专利权)人:冯安清冯晶瑶
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

相关技术
    暂无相关专利
网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1