电容式触摸屏的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种电容式触摸屏的加工方法，通过在ITO电极层和金属引线电极层与柔性线路板相连接的电极外端区域形成水溶性的遮蔽膜，之后镀二氧化硅膜，再用洗液洗去遮蔽膜及覆盖在遮蔽膜上的二氧化硅膜，以达到局部覆盖二氧化硅膜的目的。这种方法操作简单，相对于传统的采用金属罩遮蔽的方法，不会在真空溅射镀膜过程中由于温度变化而使金属罩和基板之间产生相对位移，从而避免划伤基板，提高图案精度，方便加工操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
电容式触摸屏作为一种新兴信息输入方式广泛应用于各类信息显示产品，如触摸 屏手机、GPS导航系统等。传统电容式触摸屏的主要组成部分是基板、基板上沉积的ITO透明电极膜、基板 上沉积的金属引线电极层膜、覆盖ITO透明电极和金属引线电极层的二氧化硅膜、以及覆 盖二氧化硅膜的透明树脂膜。ITO透明电极构成电容传感器，金属引线把X方向ITO透明电 极和柔性线路板连接起来，ITO电极端部把Y方向ITO透明电极和柔性线路板连接起来，二 氧化硅和树脂膜是增强触摸屏器件的可靠性和耐久性。二氧化硅膜要覆盖被保护的ITO透 明电极和金属引线电极层，ITO电极层和金属引线电极层的电极外端区域因要与柔性线路 板连接，不能被二氧化硅膜覆盖，需要用某种方式阻挡以免被二氧化硅膜覆盖。传统的方法是采用金属掩蔽板局部镀膜，在真空溅射镀二氧化硅前加金属罩于基 板上，采用镂空的金属板作为金属罩，把金属罩对位紧贴到基板上，遮住金属引线电极层外 端部区域，敞开需要镀二氧化硅的区域。在这种方法中，金属罩和基板的热膨胀系数不同， 在真空溅射镀膜过程中温度会变化，金属罩和基板之间就会有相对位移，从而会划伤基板， 降低图案精度。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种避免划伤且能保证图案精度的电容式触摸屏基板的加工 方法。一种，包括如下步骤步骤一、提供沉积有ITO电极膜层和金属引线电极膜层的基板；步骤二、将遮蔽液均勻涂布在所述基板的ITO电极层和金属引线电极层的与柔性 线路板相连接的电极外端区域，烘干后形成水溶性的遮蔽膜；步骤三、使用真空溅镀在步骤二得到的基板表面形成二氧化硅膜；步骤四、将步骤三得到的基板使用洗液浸泡或喷淋，去掉所述遮蔽膜及覆盖在所 述遮蔽膜上的二氧化硅膜。优选的，步骤二中，所述遮蔽液包括溶剂水、可溶解于水用于形成所述遮蔽膜的第 一溶质和改善所述遮蔽液表面特性的第二溶质；所述第一溶质和所述第二溶质的总质量占溶液质量的百分比为5 30% ；所述第一溶质与所述第二溶质质量比为1 0. 1 1 1。优选的，所述第一溶质为水溶性酯或水溶性糖。优选的，所述第一溶质为没食子酸甲酯、α -乳糖或β -乳糖。优选的，所述第二溶质为阴离子型表面活性剂或非离子型表面活性剂。优选的，所述第二溶质为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、壬基酚聚氧乙烯 醚、吐温20、吐温40或吐温60。优选的，所述第一溶质和所述第二溶质的总质量占溶液质量的百分比为10 20% ；所述第一溶质与所述第二溶质质量比为1 0.2 1 0.8。优选的，步骤二中采用丝网印刷、凸版印刷或喷墨打印的方式使所述遮蔽液均勻 涂布。优选的，步骤二中，所述烘干条件为100 150°C下10 20分钟。优选的，步骤四中，所述洗液为水或弱碱性溶液。这种通过在ITO电极层和金属引线电极层与柔性线路 板相连接的电极外端区域形成水溶性的遮蔽膜，之后再镀二氧化硅膜，再用洗液洗去遮蔽 膜及覆盖在遮蔽膜上的二氧化硅膜，以达到局部覆盖二氧化硅膜的目的。这种方法操作简 单，相对于传统采用金属罩遮蔽的方法，不会在真空溅射镀膜过程中由于温度变化而使金 属罩和基板之间产生相对位移，从而避免划伤基板，提高图案精度，方便加工操作。附图说明图1为一实施方式的的流程图；图2为图1示加工方法步骤SlO得到的电容式触摸屏的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对做进一步的描述。如图1所示的包括如下步骤S10、提供沉积有ITO电极膜层和金属引线电极膜层的基板结合图2，ITO电极层200包括X方向ITO电极210、Y方向ITO电极220和与柔性 线路板相连接的第一电极外端230 ；金属引线电极层包括与X方向ITO电极层210相连的 连接端310以及与柔性线路板相连接的第二电极外端320。第一电极外端230和第二电极 外端320共同组成电极外端。其中，第一电极外端230和第二电极外端320不能被二氧化硅膜覆盖。S20、将遮蔽液均勻涂布在经SlO后所述基板的电极外端区域，烘干后形成水溶性 的遮蔽膜配制遮蔽液，采用丝网印刷、凸版印刷或喷墨打印的方式使遮蔽液均勻涂布在第 一电极外端230区域和第二电极外端320区域，烘干后形成水溶性的遮蔽膜。遮蔽液包括溶剂水、可溶解于水用于形成所述遮蔽膜的第一溶质和改善所述遮蔽 液表面特性的第二溶质，所述第一溶质和所述第二溶质的总质量占溶液质量的百分比为 5 30%。在优选的实施例中，所述第一溶质和所述第二溶质的总质量占溶液质量的百分比 为10 20%，此时形成的遮蔽膜的遮蔽效果较好，且节省原料。本实施例中，所述第一溶质和所述第二溶质的总质量占溶液质量的百分比为 15%。第一溶质与第二溶质质量比可以为1 0.1 1 1。在优选的实施例中，第一溶质与第二溶质质量比为1 0.2 1 0.8，此时形成的遮蔽膜分散效果最好。本实施例中，第一溶质与第二溶质质量比为1 0.2。第一溶质用于形成遮蔽膜层，第一溶质可以在溶剂蒸发后，在室温至200°C内形成 均勻、稳定的固体膜层，可以选择水溶性酯或水溶性糖等有机物，具体的可以列举如没食 子酸甲酯、α-乳糖、β-乳糖等。本实施例中，第一溶质为β _乳糖。 第一溶质采用水溶性有机物，环保可靠。第二溶质起到改善遮蔽液表面特性的作用，使得遮蔽液可以均勻覆盖在电容式触 摸屏表面。第二溶质一般选择为阴离子型表面活性剂或非离子型表面活性剂，具体的可以列 举如十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、吐温20、吐温40、吐温60寸。本实施例中，第二溶质为十二烷基硫酸钠。烘干是在100 150°C下烘干10 20分钟，使遮蔽液中的溶剂蒸发，第一溶质初 步结晶并形成均勻、稳定的固体膜层。本实施例中，烘干是在120°C下烘干20分钟。S30、用真空溅镀法在经S20后所述基板表面形成二氧化硅膜在真空溅镀过程中，触摸屏基材会先进行抽真空和预加热，从而使第一溶质进一 步结晶并成膜，膜层表面具有微米级的微裂纹和粗糙度。随后再在触摸屏表面溅镀二氧化 硅，此时在遮蔽膜上的二氧化硅是不连续且有断层的，没有遮蔽膜区域上的二氧化硅则形 成连续、致密的膜层。一般的，二氧化硅膜的厚度为35 65nm ；本实施例中，二氧化硅膜的厚度为50nm。S40、去掉遮蔽膜及覆盖在遮蔽膜上的二氧化硅膜配制洗液，将S30得到的基材用洗液浸泡或喷淋，遮蔽膜上的二氧化硅膜不连续 且有断层，使洗液能够渗入并溶解遮蔽膜，从而去掉遮蔽膜及覆盖在遮蔽膜上的二氧化硅 膜，没有遮蔽膜区域的二氧化硅由于是连续且致密的膜层则不会被溶解从而保留下来。洗液可以溶解第一溶质，从而可以溶解遮蔽膜。使用洗液将遮蔽膜溶解后，覆盖在遮蔽膜上的二氧化硅膜脱落，而直接覆盖在X 方向ITO电极210、Y方向ITO电极220以及金属引线电极层310上的二氧化硅膜则不会脱 落，达到局部覆盖二氧化硅膜的目的。洗液为水或弱碱性溶液，弱碱性溶液一般可以选择NaHCO3溶液、Na2CO3溶液、KOH 溶液等。本实施例中，洗液为0. 3 %的KOH溶液。这种通过在电极外端形成水溶性的遮蔽膜，之后再镀二 氧化硅膜，再用洗液洗去遮蔽膜及覆盖在遮蔽膜上的二氧化硅膜，以达到局部覆盖二氧化 硅膜的目的。这种方法操作简单，相对于传统采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式触摸屏的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供沉积有ＩＴＯ电极膜层和金属引线电极膜层的基板；步骤二、将遮蔽液均匀涂布在所述基板的ＩＴＯ电极层和金属引线电极层的与柔性线路板相连接的电极外端区域，烘干后形成水溶性的遮蔽膜；步骤三、使用真空溅镀在步骤二得到的基板表面形成二氧化硅膜；步骤四、将步骤三得到的基板使用洗液浸泡或喷淋，去掉所述遮蔽膜及覆盖在所述遮蔽膜上的二氧化硅膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓辉，金弼，王战娥，
申请(专利权)人：深圳南玻显示器件科技有限公司，
类型：发明
国别省市：94