一种硅太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种硅太阳能电池及其制备方法，其步骤如下：(1)将硅片进行湿式化学清洗后烘干；(2)将硅片进行单面磷源扩散；(3)将硅片放入氧化炉内，形成氧化层；(4)对硅片正面进行第一次光刻；(5)去掉硅片光刻图形部分的氧化层；(6)在硅片的扩散面甩胶保护，再腐蚀其背面氧化层；(7)将硅片进行单面磷源重新局部扩散；(8)去除硅片背面的氧化层；(9)对硅片背面蒸镀Ti/Pd/Ag电极，然后退火；(10)先对硅片背面甩胶保护，再将去除硅片背面的光刻胶；(11)利用磁控溅射设备对硅片正面蒸镀氧化铟锡膜；(12)对硅片正面进行第二次光刻；(13)对硅片正面进行第三次光刻；(14)去除硅片正面的光刻，退火。本发明专利技术能有效地提高电池转换效率。本发明专利技术可以广泛应用在太阳能电池领域中。

Silicon solar cell and preparation method thereof

The invention relates to a silicon solar cell and a preparation method thereof, comprising the following steps: (1) the silicon wet chemical cleaning after drying; (2) the silicon single phosphorus diffusion source; (3) the silicon oxide is placed in the furnace, forming an oxide layer on the silicon wafer; (4) positive for the first time lithography; (5) to remove the oxide layer of silicon wafer lithography part; (6) in silicon diffusion surface spin coating and corrosion protection, the back of the oxide layer; (7) the silicon single phosphorus source to local diffusion; (8) removing the silicon oxide layer on the silicon chip; (9) on the back of steam Ti/Pd/Ag coated electrode, then annealing; (10) the first spin coating to protect the silicon back, then removing the photoresist silicon; (11) on the front surface of the silicon wafer deposited indium tin oxide film by magnetron sputtering; (12) on the front surface of the silicon wafer second lithography; (13) on the front surface of the silicon wafer third times lithography; (1 4) remove wafer front lithography and anneal. The invention can effectively improve the conversion efficiency of the battery. The invention can be widely applied in the solar cell field.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池及其制备方法，特别是关于。
技术介绍
能源与环境是21世纪人类面临的两大基本问题。发展无污染、可再生的新能源是解决这两大问题的必由之路。目前，光伏发电在能源中所占比重极小，成本过高是制约光伏发电大规模应用的主要障碍。开发新一代高效率、低成本的太阳能电池，使其发电成本接近甚至低于常规能源，这已成为重中之重的问题。传统的电池制作工艺为清洗制绒-扩散-去磷硅刻蚀-沉积氮化硅-丝印烧结。由于在生产过程中各个工序工艺条件限制了最大程度提高电池效率，因此为了提高电池转换效率需要不断的对各个工艺环节进行改善与创新。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种能有效提高电池转换效率的硅太阳能电池及其制备方法。为实现上述目的，本专利技术采取以下技术方案一种硅太阳能电池制备方法，其步骤如下(1)将硅片进行湿式化学清洗后，在红外灯下烘干；( 将烘干后的硅片放进扩散炉中进行单面磷源扩散N型硅，形成PN结；其中，扩散温度为850 900°C，通磷源时间为 18 25min，推结深为8 12min，扩散后硅片的方块电阻为80 120 Ω ； (3)将扩散后的硅片放入氧化炉内本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅太阳能电池制备方法，其步骤如下：（１）将硅片进行湿式化学清洗后，在红外灯下烘干；（２）将烘干后的硅片放进扩散炉中进行单面磷源扩散Ｎ型硅，形成ＰＮ结；其中，扩散温度为８５０～９００℃，通磷源时间为１８～２５ｍｉｎ，推结深为８～１２ｍｉｎ，扩散后硅片的方块电阻为８０～１２０Ω；（３）将扩散后的硅片放入氧化炉内，在硅片背面和Ｎ型硅表面形成氧化层；其中，氧化炉内的温度为１０５０～１１００℃、干氧氧化时间为７～８ｈ；（４）在氧化后硅片正面、背面均设置光刻胶，其正面的光刻胶形成光刻图形，然后在硅片正面进行第一次光刻；（５）光刻后，将硅片放入由氟化铵∶ＨＦ＝５∶１的溶液中腐蚀，去掉光刻图形部分的氧...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：勾宪芳，曹华斌，姜利凯，王鹏，宋爽，
申请(专利权)人：中节能太阳能科技有限公司，中节能太阳能科技镇江有限公司，
类型：发明
国别省市：11