气体分布板及具备气体分布板的处理室制造技术

技术编号:6072002 阅读:236 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种气体分布板及具备该气体分布板的处理室,可缩短制造时间,节省制造费用。该气体分布板包括:第一孔,形成于第一面侧;贯通孔,从第一孔延伸至作为第一面的相反面的第二面方向,并且在各第一孔上至少连结两个以上该贯通孔;以及至少一个第二孔,从所述贯通孔延伸至第二面,具有大于贯通孔的大小。如上所述,将第一孔做得较大,以使其与两个以上贯通孔共同连结,从而缩短了气体分布板的制造时间,节省制造费用。

Gas distribution plate and treatment chamber having gas distribution plate

The invention provides a gas distribution plate and a processing chamber provided with the gas distribution plate, which can shorten the manufacturing time and save the manufacturing cost. The gas distribution plate includes a first hole formed on the first surface side; a through hole, second side direction from the first hole extending to the surface opposite to the surface as the first, and the first hole is at least two or more connected to the through hole; and at least one of the second holes from the through hole extending to the surface second that is greater than the size of the through hole. As mentioned above, the first hole is made larger so as to be connected with more than two through holes, thereby shortening the manufacturing time of the gas distribution plate and saving the manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及气体分布板及具备气体分布板的处理室,更详细地说,涉及向被处理 基板上均勻地喷射工艺气体的气体分布板及具备气体分布板的处理室。
技术介绍
一般而言,在用于制造集成电路装置、液晶显示装置、太阳能电池等装置的半导体 制造工艺中,在被处理基板上形成薄膜的工艺是通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)装置完成的。PECVD装置包括基板支撑部,形成于处理室主体的内部空间,用于支撑并加热被 处理基板;以及喷头,形成于基板支撑部的上部,用于向被处理基板喷射工艺气体。喷头包 括电极板,用于连接高频电源;以及气体分布板,形成有多个孔,用以喷射气体。通过电极 板和气体分布板的结合,在电极板与气体分布板之间形成可使气体扩散的气体扩散空间。 通过形成于电极板的气体流入口流入的气体,扩散至气体扩散空间后,通过气体分布板的 孔并喷向被处理基板。形成于气体分布板的孔,包括气体流入孔,形成于气体流入的部分;气体喷射 孔,形成于气体喷射的部分;以及通孔,具有小于气体流入孔及气体喷射孔的直径,并且连 结气体流入孔和气体喷射孔。通过钻孔工艺形成上述结构的孔,因此,在形成小直径孔时, 会发生钻头破损或气体分布板受损等问题。尤其是,随被处理基板的面积变大,气体分布板 也要做成大面积,因此,要形成的孔数增加,导致制造时间变长,制造费用增加的问题。
技术实现思路
因此,本专利技术鉴于上述问题点而做出,其目的在于提供一种气体分布板,制造容 易,缩短制造时间,且节省制造费用。另外,本专利技术还提供具备上述气体分布板的处理室。本专利技术提供的一种气体分布板,其包括第一孔、多个贯通孔及第二孔。所述第一孔 形成于第一面侧。所述多个贯通孔从所述第一孔向作为所述第一面的相反面的第二面方向 延伸,而且在所述各第一孔上至少连结两个以上该贯通孔。所述第二孔从所述贯通孔延伸 至所述第二面,以大于所述贯通孔的大小形成。也可以是,当俯视时,所述第一孔形成为圆形或矩形形状。另外,也可以是,当俯视 时,所述第一孔也形成为围绕气体分布板中心的带状形成。也可以是,所述第一孔的平面面积和深度中的至少一个随着位置而不同。作为一 例,所述第一孔形成为从气体分布板的中央越往边缘部,其平面面积越大。作为另一例,所 述第一孔形成为从气体分布板的中央越往边缘部,其深度越深。也可以是,所述第二孔的同所述第二面相邻的区域,垂直于所述第二面。另外,也 可以是,所述第二孔形成为倾斜状,越往所述第二面方向,变得越宽。也可以是,在一个所述贯通孔上连结着一个所述第二孔。另外,也可以在两个以上所述贯通孔上共同连结着一个所述第二孔。此外,本专利技术提供的另一种气体分布板,其包括多个第一孔,形成于第一面侧; 多个贯通孔,从所述各第一孔向作为所述第一面的相反面的第二面方向延伸,并且以小于 所述第一孔的大小形成;以及至少一个第二孔,与至少两个以上所述贯通孔连结,并且延伸 至所述第二面。所述第二面可以形成为从气体分布板的边缘部越往中央部,其与所述第一 面的距离越近。本专利技术还提供一种处理室,包括基板支撑部,设置于处理室主体的内部,支撑被 处理基板;以及气体分布板,在所述处理室主体的内部,与所述基板支撑部相对着设置,向 所述被处理基板方向喷射气体。其中,所述气体分布板包括多个第一孔,形成于第一面侧; 多个第二孔,形成于作为所述第一面的相反面的第二面侧;以及多个贯通孔,具有小于所述 第一孔和所述第二孔的大小,并且连结所述第一孔和所述第二孔;其中,所述第一孔和所述 第二孔中的至少一个,与两个以上所述贯通孔连结。根据上述结构的气体分布板及具备该气体分布板的处理室,将形成于气体分布板 的两个面上的第一孔及第二孔中的至少一个做得较大,使其与两个以上的贯通孔共同连 结,从而缩短气体分布板的制造时间,节省制造费用。另外,通过使第一孔的平面面积和深 度中的至少一个随着位置而不同,能够提高沉积于被处理基板上的沉积膜的厚度均勻性。 尤其是,通过将与被处理基板相对着的气体分布板的下部面形状做成,从边缘部越往中央 部,其与上部面越接近,就能够提高沉积均勻性。附图说明图1是表示本专利技术的一实施例涉及的处理室的图。图2是表示图1所示的气体分布板的具体结构的立体图。图3是沿图2的Ι-Γ线剖切的剖面图。图4是表示气体流入孔的另一实施例的剖面图。图5是表示气体喷射孔的另一实施例的剖面图。图6是表示气体喷射孔的又一实施例的剖面图。图7是表示本专利技术的另一-实施例涉及的气体分布板的俯视图。图8是表示本专利技术的又一-实施例涉及的气体分布板的剖面图。图9是表示本专利技术的再一-实施例涉及的气体分布板的剖面图。图10是表示本专利技术的再-一实施例涉及的气体分布板的剖面图。附图标记100 处理室110 处理室主体120 基板支撑部130 喷头132 电极板134 气体分布板220 气体流入孔240 贯通孔250 气体喷射孔具体实施例方式下面,结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细说明。上述本专利技术的特征及效果,将通过结合附图进行的以下详细说明会变得更清除,并且,本专利技术所属
的普通技 术人员可以容易地实施本专利技术的技术思想。本专利技术不限于下述实施例,可通过其他方式实 现。本说明书中记载的各个实施例的作用在于,可以更完整地公开
技术实现思路
,并且向本领域 技术人员充分传达本专利技术的技术思想和特征。在附图中,为了清除地说明本专利技术,各装置或 膜(层)及区域的厚度被夸张显示,另外,各装置还可以具备本说明书中未记载的各种附加直ο下面,结合附图,进一步详细说明本专利技术的较佳实施例。图1是表示本专利技术的一实施例涉及的处理室的图。如图1所示,本专利技术的一实施例涉及的处理室100包括处理室主体110 ;基板支 撑部120,被设置于处理室主体110的内部,用于支撑被处理基板122 ;以及喷头130,在所 述处理室主体110的内部,与所述基板支撑部120相对着设置,用于向所述被处理基板122 方向供应气体。处理室主体110可以包括下部主体部112,和可开闭地结合于下部主体部112的 上部的上部主体部114。通过下部主体部112和上部主体部114的结合,在处理室主体110 内部形成可对被处理基板122进行处理的空间。在处理室主体110的底部,形成用于将处 理室主体110的内部空间抽成真空的排气口 116。基板支撑部120用于支撑被处理基板122,其设置于处理室主体110内部的下部空 间。在基板支撑部120的内部,可以设置用于加热被处理基板122的加热器(未图示)。喷头130位于处理室主体110内部的上部空间,并且与基板支撑部120相对着设 置。喷头130用于均勻地喷射工艺气体,包括电极板132和气体分布板134。电极板132固定设置于处理室主体110的上部主体部114。电极板132由具有导 电性的铝等金属材料制成。对电极板132供给用于产生等离子的高频电源(RF电源)。在 电极板132的中央部分形成有气体流入口 136,使反应气体、源气体等沉积薄膜所需的工艺 气体流入。气体分布板134在电极板132的下部隔着一定距离设置。气体分布板134由具有 导电性的铝等金属材料制成。气体分布板134与电极板132电连结,供给电极板132的高 频电源也被本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种气体分布板,其特征在于,包括:至少一个第一孔,形成于第一面侧;多个贯通孔,从所述第一孔向作为所述第一面的相反面的第二面方向延伸,并且在所述各个第一孔上连结有至少两个以上所述贯通孔;以及至少一个第二孔,从所述贯通孔延伸至所述第二面,并且以大于所述贯通孔的大小形成。

【技术特征摘要】
KR 2009-11-26 10-2009-01153501.一种气体分布板,其特征在于,包括 至少一个第一孔,形成于第一面侧;多个贯通孔,从所述第一孔向作为所述第一面的相反面的第二面方向延伸,并且在所 述各个第一孔上连结有至少两个以上所述贯通孔;以及至少一个第二孔,从所述贯通孔延伸至所述第二面,并且以大于所述贯通孔的大小形成。2.根据权利要求1所述的气体分布板,其特征在于, 当俯视时,所述第一孔形成为圆形或矩形形状。3.根据权利要求1所述的气体分布板,其特征在于,当俯视时,所述第一孔形成为围绕气体分布板中心的带状形成。4.根据权利要求1所述的气体分布板,其特征在于, 所述第一孔的平面面积和深度中的至少一个随着位置而不同。5.根据权利要求4所述的气体分布板,其特征在于,所述第一孔形成为从气体分布板的中央越往边缘部,其平面面积越大。6.根据权利要求4所述的气体分布板,其特征在于,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:李敦熙金范城河周一马熙铨金东建卢东珉
申请(专利权)人:TES股份有限公司
类型:发明
国别省市:KR[]

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