一种拟薄水铝石与含硅化合物的组合物和由其制备的氧化硅-氧化铝制造技术

技术编号:6055400 阅读:301 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种拟薄水铝石与含硅化合物的组合物和由其制备的氧化硅-氧化铝,其特征在于,所述拟薄水铝石为包括至少一种1.1≤n≤2.5的拟薄水铝石P1;其中n=D(031)/D(120),所述D(031)表示拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中031峰所代表的晶面的晶粒尺寸,D(120)表示拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中120峰所代表的晶面的晶粒尺寸,所述031峰是指XRD谱图中2θ为34-43°的峰,所述120峰是指XRD谱图中2θ为23-33°的峰,D=Kλ/(Bcosθ),K为Scherrer常数,λ为靶型材料的衍射波长,B为衍射峰的半峰宽,2θ为衍射峰的位置。与现有技术相比,采用本发明专利技术提供的氧化硅-氧化铝制备的加氢催化剂具有高的烃类加氢处理性能。

A composition of pseudo boehmite and silicon containing compound and silica alumina prepared therefrom

A kind of pseudo boehmite and compositions containing silicon compounds and the preparation of silica alumina, which is characterized in that the pseudo boehmite includes at least one n = 1.1 ~ 2.5 pseudoboemite P1; n = D (031) /D (120) the D (031), said the surface grain size of pseudoboemite crystal in the XRD spectra of the 031 peaks represented by D (120) said the crystal grain size of pseudoboemite crystal in the XRD spectra of the 120 peaks represent the 031 peaks, refers to the XRD spectrum in 2 theta 34-43 degrees peak, the 120 peak refers to the XRD spectrum of 2 0 23-33 degrees peak, D = K (Bcos / lambda theta), K is Scherrer constant, diffraction wavelength as the target material, B as the half peak diffraction peak width, 2 angle diffraction the position of the peak. Compared with the prior art, the hydrogenation catalyst prepared by the silica alumina prepared by the invention has high hydrocarbon hydrotreating performance.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种拟薄水铝石与含硅化合物的组合物和由其制备的氧化硅-氧化 ρ O
技术介绍
氧化硅-氧化铝因具有较好孔结构、比表面、耐热稳定性和固体酸性质,常作为吸附剂或催化剂载体使用。现有技术中,有很多关于氧化硅-氧化铝载体及其制备方法的报道。例如文献(“氧化铝-氧化硅系纳米粉体的制备及稀土掺杂改性研究”,功能材料,2004 年,35卷第6期,788页)报道了一种氧化铝-氧化硅系纳米粉体的制备,包括采用铝粉水解而制备的纳米级活性Al(OH)x为铝原料,以水玻璃为硅原料,并以Al203/Si& = 2 1为基本配方,在引入适量分散剂后,充分混合。通过PH值控制,在一定温度下以包覆沉淀工艺, 在Al源表面包裹一层Si原料,从而形成Al-Si复合体,经水洗去钠、固液相分离、干燥及煅烧等工工艺,制备出Al2O3-SW2粉料。ZL95103291公开了一种二氧化硅-氧化铝载体的制备方法,包括将一种铝化合物与一种硅化合物混合以得到一种溶液,其中铝化合物为醇化铝或羧酸铝,硅化合物为醇化硅或硅氧烷化合物;在酸性条件下和50-150°C下使溶液水解,冷却后得到凝胶体,除去过量挥发物后得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拟薄水铝石与含硅化合物的组合物,其特征在于,所述拟薄水铝石包括至少一种1.1≤n≤2.5的拟薄水铝石P1;其中n=D(031)/D(120),所述D(031)表示拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中031峰所代表的晶面的晶粒尺寸,D(120)表示拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中120峰所代表的晶面的晶粒尺寸,所述031峰是指XRD谱图中2θ为34-43°的峰,所述120峰是指XRD谱图中2θ为23-33°的峰,D=Kλ/(Bcosθ),K为Scherrer常数,λ为靶型材料的衍射波长,B为衍射峰的半峰宽,2θ为衍射峰的位置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:龙湘云刘清河刘学芬曾双亲张乐李明丰杨清河聂红蒋东红
申请(专利权)人:中国石油化工股份有限公司中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
类型:发明
国别省市:11

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