The invention discloses a preset cavity type SOI substrate film bulk acoustic wave filter and a production method thereof, relates to the microelectronic devices, fabricated on the cavity filter consisting of preset SOI substrate a plurality of thin film bulk acoustic resonator unit electrical cascaded resonator includes a piezoelectric thin film and the bottom electrode and the top electrode, the surface of silicon substrate SOI film is arranged on the groove, groove silicon substrate and silicon layer to form a closed cavity; the top silicon process by another piece of non groove SOI substrate transfer through bonding, uniform thickness controllable; filter cascade including balance bridge type, ladder type and grid type filter; frequency adjustable, through the etching time control over a cavity top silicon thickness control to adjust the frequency of filter; resonator electrode approximate oval, is conducive to enhancing the energy trapping behavior; filter duplexer and composition The present invention combines the advantages of SOI material without the technology of sacrificial layer. The process is simple and suitable for mass production.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子器件领域，具体是指一种薄膜体声波滤波器。
技术介绍
薄膜体声波滤波器(FBAF)是一种利用声学谐振实现电学选频的器件，FBAF常见 的结构是由若干个薄膜体声波谐振器(FBAR)单元经过电学级联构成。FBAR的基本工作原 理为当电信号加载到FBAR上时，器件中的压电薄膜通过逆压电效应将电信号转变为声信 号，器件特定的声学结构对不同频率的声信号呈现出选择性，实现频率调控的功能。快速发展的无线通讯技术(如移动通讯、无线传感网络)和雷达技术需要越来越 多的高性能集成微波振荡器和双工滤波器，它们分别被用于信号源和射频前端的收发器 中。传统的射频滤波器主要有介质滤波器和声表面滤波器。介质滤波器虽具有插入损耗 低，功率容量大的优点，但其缺点是体积过大，无法实现小型化设计。与介质滤波器相比，声 表面滤波器可做得较小，但其受光刻工艺的限制，同时在高频率下难以承受高功率，且插损 大。最新发展起来的薄膜体声波滤波器技术可满足小型化和集成化设计的要求，且与传统 滤波器相比，FBAF具有工作频率高、温度系数小、功率容量大、损耗低、体积小、可大批量生 产、成本低且与半...
【技术保护点】
１．预设空腔型ＳＯＩ基片薄膜体声波滤波器，其特征在于：包括通过电学级联方式联接的多个薄膜体声波谐振器，各个薄膜体声波谐振器包括预设空腔型（８）的ＳＯＩ基片（１３）和设置在ＳＯＩ基片（１３）上的换能器，所述换能器包括底电极（９）、顶电极（１１）和设置在底电极（９）与顶电极（１１）之间的压电薄膜（１０），所述底电极（９）与ＳＯＩ基片（１３）相结合，所述底电极（９）、顶电极（１１）和压电薄膜（１０）的叠加区域与预设空腔（８）相对。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨增涛，马晋毅，欧黎，冷俊林，杨正兵，赵建华，陈运祥，周勇，陈小兵，傅金桥，张龙，张涛，曹亮，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：85
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