银处理剂、银的处理方法和导体图案的形成方法技术

本发明专利技术的课题是，提供可以安全地处理银，且在形成银的导体图案时，可以如所希望的图案那样形成图案，且图案侧面的形状良好的银处理剂、银的处理方法和导体图案的形成方法。本发明专利技术提供了一种银处理剂，其特征在于，含有：卤素离子，铜离子和/或铁离子，以及，选自咪唑、在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1～4的烷基取代基的咪唑化合物和1，2-二烷基咪唑中的至少一种化合物，本发明专利技术还提供了银的处理方法和使用该银处理剂的导体图案形成方法。

Silver treating agent, method for treating silver, and method for forming conductor pattern

The subject of the invention is to provide safe handling of silver, and in the conductor pattern formation of silver, as the desired pattern formation pattern forming method and the pattern shape of the side of good silver silver processing agent, processing method and conductor pattern. The invention provides a silver treatment agent, which is characterized in that: containing halogen ions, copper ions and / or iron ions, and, in 1, selected from imidazole, 2 or 4 carbon atoms or a nitrogen atom with the carbon atom number is 1 ~ 4 alkyl substituents and imidazole compounds 1, at least one compound 2- two alkyl imidazole in, the invention also provides a method for processing silver conductor pattern and using the silver treatment agent forming method.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是，更详细地说，涉及用于在玻璃基板等基板上形成银的导体图案的、对银进行卤化处理的银处理剂，银的处理方法和导体图案的形成方法。
技术介绍
作为液晶面板、有机EL面板等所谓的平板显示器、触摸面板等的电极材料，大多使用下述电极在透明导电膜上叠层铝、银等金属，使该金属形成图案，从而得到的形成有导体图案的电极。作为导体用的材料金属，与以往大量使用的铝比较，光反射率高、电阻率低、作为电极布线材料具有优异特性的银近年来使用量不断增加。作为使这种玻璃基板上的银形成图案的方法，已知通过湿式蚀刻法利用蚀刻液进行的方法。通过蚀刻形成图案，例如，在银薄层上涂布抗蚀剂，然后为了使该抗蚀层进行预期的图案曝光，隔着光掩模进行曝光，然后显影，从而形成抗蚀剂的图案。然后以抗蚀层为掩模，使银的薄层与蚀刻液接触进行蚀刻，然后除去抗蚀层，从而形成导体图案。作为在这种导体图案的形成中使用的银的蚀刻液，一般使用由磷酸、硝酸和乙酸混合而成的酸性蚀刻液(专利文献1 专利文献3)。但由磷酸、硝酸和乙酸混合而成的酸性蚀刻液，由于以伴随着与银接触，硝酸分解产生的氮的氧化物(NOx)作为氧化剂进行蚀刻，所以需要安全地处理有害物质NOx，需要花费处理成本。此外，由于是利用NOx的氧化作用进行蚀刻，所以在NOx产生的位置集中进行蚀亥IJ，而难以均勻蚀刻。特别是存在下述问题从抗蚀层露出的图案的侧面会局部滞留有NOx，这会造成不均勻蚀刻，在从上面看时，图案侧面直线性和侧面平滑性不好。在图案侧面的直线性和平滑性不好时，会在基板的检验时出现问题。即，通常的检验是在导体图案形成后从基板的上方 光学识别图案的宽度进行检验，但在上述那样的图案宽度不固定时，就有可能不能正常地识别图案，引起错误识别。专利文献1 日本特开2005-29869号公报专利文献2 日本特开2003-55780号公报专利文献1 日本特开2003-49285号公报
技术实现思路
鉴于上述现有的问题，本专利技术的课题是，提供可以安全地处理银，且在形成银的导体图案时，可以如所希望的图案那样形成图案，且图案侧面的形状良好的。本专利技术的银处理剂，其特征在于，含有卤素离子，铜离子和/或铁离子，以及，选自咪唑、在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1 4的烷基取代基的咪唑化合物和1，2_ 二烷基咪唑中的至少一种化合物。进而，本专利技术的银处理剂，优选含有0. 001 10质量％的所述选自咪唑、在1位、2 位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1 4的烷基取代基的咪唑化合物和1，2_二烷基咪唑中的至少一种化合物。本专利技术的银处理方法，其特征在于，进行下述卤化工序使具有银层的基材的所述银与银处理剂接触，从而使所述银层转变成商化银，其中所述银处理剂含有商素离子，铜离子和/或铁离子，以及，选自咪唑、在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1 4的烷基取代基的咪唑化合物和1，2_ 二烷基咪唑中的至少一种化合物。本专利技术的导体图案的形成方法，其特征在于，进行以下工序抗蚀层形成工序在具有银层的基材上，以所述银层的一部分露出的方式形成抗蚀层；卤化工序使从所述基材的抗蚀层露出的银层与银处理剂接触，从而使其转变成卤化银，其中所述银处理剂含有卤素离子，铜离子和/或铁离子，以及选自咪唑、在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1 4的烷基取代基的咪唑化合物和1，2_ 二烷基咪唑中的至少一种化合物；除去工序使含有选自络合剂和酸中的至少一种的除去液与所述卤化银接触，从而从所述基材除去所述卤化银，形成导体图案。此外，本专利技术的导体图案的形成方法，优选在所述除去工序后进行使所述抗蚀层剥离的抗蚀层剥离工序。此外，上述本专利技术的银处理剂，是用于处理银的液体，该“银”不仅包括纯银，而且还包括银合金。通过使用本专利技术的银处理剂处理基材上的银层，可以轻松地将银变成卤化银。此外，由于本专利技术的银处理剂中含有选自咪唑，在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1 4的烷基取代基的咪唑化合物和1，2_ 二烷基咪唑中的至少1种化合物，所以可以抑制卤化时处理液超过必要程度侵蚀银层。因此可以仅使处理液接触的位置卤化。此外，当将上述化合物在处理剂中以0. 001 10质量％的浓度添加时，可以更加有效地抑制银层的过度侵蚀。此外，在本专利技术的导体图案的形成方法中，在通过上述银处理剂使未被基板的抗蚀层覆盖部分的银转化成卤化银时，处理剂在蚀刻时不会侵蚀抗蚀层的下侧，可以仅使处理剂接触的位置转变成商化银。因此，可以如从抗蚀层露出的形状那样使银层商化，然后用除去液除去商化银，形成的导体图案的图案侧面较平滑。因而，可以得到光学检验时检测出的错误少，图案侧面的形状良好的导体图案。 具体实施例方式下面对本专利技术的一实施方式予以说明。本实施方式的银处理剂是含有下述成分(a) (C)的液体。(a)卤素离子，(b)铜离子和/或铁离子，以及(c)选自咪唑、在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1 4的烷基取代基的咪唑化合物和1，2- 二烷基咪唑中的至少一种化合物。成分(a)的卤素离子，是作为与银结合的使银卤化的成分在本实施方式的银处理剂中含有的。作为卤素，可以列举出氯、溴、氟、碘，其中氯、溴在使用玻璃基板作为基材时不会腐蚀该玻璃基板(氟)或着色(碘)，所以优选。虽然卤素在液体中以离子形式存在，但优选以卤化物的形式添加。 作为卤化物的例子，可以列举出氯化钠、氯化钾、氯化铵、溴化钠、溴化钾、溴化铵、 碘化钠、碘化钾、碘化铵、氟化钠、氟化钾、氟化铵等。另外，作为卤化物的例子，既可以是盐酸、氢溴酸等酸的形式，也可以是氯化铜、氯化锌、氯化铁、氯化锡、溴化铜、溴化锌、溴化铁、溴化锡等金属盐的形式，也可以列举出其它的可以在溶液中离解成卤素离子的化合物。此外，卤素离子也可以2种以上并用。上述卤素的优选添加量，作为卤素离子的浓度，为0.01质量％以上饱和浓度以下，更优选为0. 1 5质量％，特别优选为0.2 1.0质量％。当卤素离子浓度在上述范围内时，可以迅速进行卤化。成分(b)的铜离子和/或铁离子，是作为促进银和卤素结合的催化剂成分在本实施方式的银处理剂中含有的。铜和/或铁离子，优选以铜盐或铁盐的形式添加到蚀刻液中，例如，优选以氯化亚铜、氯化铜、氯化亚铁、氯化铁、硫酸铜、硫酸铁等金属化合物的形式添加。此外，当在上述金属化合物中使用氯化铜、氯化铁等含有卤素的化合物时，还可以一并当作上述成分(a)的卤素离子的供给源。上述成分(b)的铜离子和/或铁离子的优选添加量，作为铜离子浓度或铁离子浓度、或者铜离子和铁离子的总计浓度，当添加0. 001质量％以上时，可以发挥作为催化剂的功能。作为上述成分(c)，将选自咪唑、在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1 4的烷基取代基的咪唑化合物和1，2- 二烷基咪唑中的至少一种化合物包含在本实施方式的银处理剂中。通过添加这些成分，可以抑制处理剂过度侵蚀银，仅使接触部分的银卤化。作为上述成分(C)中的在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为 1 4的烷基取代基的咪唑化合物，可以列举出1-丁基咪唑、2-甲基咪唑、4-丙基咪唑、1， 2-二乙基咪唑等。作为上述成分(C)，特别是咪唑，液体的侵蚀抑制效果优异，且容易得到，所以优本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种银处理剂，其特征在于，含有：卤素离子，铜离子和／或铁离子，以及选自咪唑、在１位、２位或４位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为１～４的烷基取代基的咪唑化合物和１，２－二烷基咪唑中的至少一种化合物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：出口友香里，
申请(专利权)人：美格株式会社，
类型：发明
国别省市：JP