一种抗弯曲多模光纤制造技术

本发明专利技术涉及一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径R1为23～27微米，芯层折射率剖面呈抛物线，芯层外的包层从内到外依次为：内包层、下陷环、上升环、下陷外包层；内包层单边厚度W2为0～2.5微米，内包层相对折射率差Δ2为-0.1％～0.1％；下陷环单边厚度W3为0.5～6微米，下陷环最小相对折射率差Δ3min为-0.1％～-0.3％；上升环单边厚度W4为0.5～10微米，上升环为纯二氧化硅层；下陷外包层单边厚度W5为17～39微米，下陷外包层最小相对折射率差Δ5min为-0.15％～-0.6％；且Δ3min＞Δ5min。本发明专利技术具有很低的宏弯附加衰减，并且在双通信窗口(850nm和1300nm)具有同等的宏弯性能，具有“宏弯平坦”特性；光纤包层中下陷环的折射率比下陷外包层的折射率高，可以有效提高弯曲不敏感多模光纤的带宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于FTTx，数据中心和小型化光器件中的抗弯曲多模光纤，该光 纤具有优异的抗弯曲性能和高的带宽，属于光通信

技术介绍
多模光纤在中短距离光纤网络系统(如数据中心，局域网、高性能计算中心和存 储区域网等)中得到了广泛的应用。在室内及狭窄环境下的布线，特别是在应用中过长的 光纤通常缠绕在越来越小型化的存储盒中，此时光纤很可能会经受很小的弯曲半径。因此 需要设计开发具有弯曲不敏感性能的多模光纤，以满足室内光纤网络铺设和器件小型化的 要求。目前降低光纤弯曲附加衰减较普遍的方法是采用下陷包层(“壕沟型”)设计，此 设计有两个显著的问题，一是较多的高阶模能量会被限制在光纤芯层的边界位置，对多模 带宽产生较大的负面影响；二是光纤抗弯曲性能会随着波长增加逐渐变差(见附图2)，光 纤在1300nm波长的宏弯性能会明显差于850nm波长的宏弯性能，不能很好地满足双窗口 (850nm和1300nm)的通信需要。之前公开的中国专利CN 101738681A在一定程度上解决了 上述问题，但光纤的整体带宽和宏弯性能还有待进一步提高，才能更好满足10(ib/S，40(;b/S 和10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径Ｒ１为２３～２７微米，芯层折射率剖面呈抛物线，分布指数α为１．９～２．２，最大相对折射率差Δ１ｍａｘ为０．９％～１．１％，芯层外的包层从内到外依次为：内包层、下陷环、上升环、下陷外包层；内包层单边厚度Ｗ２为０～２．５微米，内包层相对折射率差Δ２为－０．１％～０．１％；下陷环单边厚度Ｗ３为０．５～６微米，下陷环最小相对折射率差Δ３ｍｉｎ为－０．１％～－０．３％，上升环单边厚度Ｗ４为０．５～１０微米，上升环为纯二氧化硅层；下陷外包层单边厚度Ｗ５为１７～３９微米，下陷外包层最小相对折射率差Δ５ｍｉｎ为－０．１５％～－０．６％；且Δ３ｍｉｎ＞Δ５...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张方海，拉吉·马泰，倪先元，曹蓓蓓，罗杰，童维军，刘泳涛，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆有限公司，
类型：发明
国别省市：83