一种勋章菊高效快速育苗方法技术

本发明专利技术公开了一种勋章菊高效快速育苗方法。在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，剪成插穗，每个插穗保留2～5片叶；在渗水性好的框篮或扦插池内中装入厚度为5cm以上的基质并使其充分湿润；将插穗以3～4cm的深度、4～5cm/株的密度插入基质中，用稀释浓度为500～800倍的多菌灵杀菌剂溶液喷洒后移入全日照喷雾装置下任其发根生长；2～3周后移栽于假植钵或泥盆，6周后，即可移入花台建植或地栽，而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。本发明专利技术提供的勋章菊育苗方法操作简便，成活率高，育苗期短，培苗成本低；菊苗不仅可以高密度扦插，而且不受季节限制进行室内周年扦插，具有推广应用的前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种菊科植物无性繁殖的育苗方法，特别涉及一种勋章菊扦插高效快 速育苗的方法。
技术介绍
勋章菊具有四季常绿、三季现花的特性，既可观叶也可观花，是既能地植也可盆栽 的多年生地被植物。其繁殖方法在文献“勋章菊的栽培”(赵庚义、北京农业，2005年9期 11-12页)、“风姿浪漫勋章花”(王意成，花木盆景，2003年4期22-23页)和“勋章菊的栽培 管理”(刘桂云，花木盆景，2009年11期15-15页)中，介绍了采用播种、扦插、分株和组织培 养等，但这些方法都存在着从播种到开花需85 100天较长时间的不足；对勋章菊进行分 株繁殖时，文献“勋章菊栽培技术要点”(杨俊杰、付红梅，农业工程技术，2008年6期61-62 页)中记载了每1分株必须带有顶芽和根系才能成苗的技术方案；在文献“勋章菊时片再生 技术的探讨”(盛亚丹，安徽农业科学，2010年38期8317-8320页)中，采用在组织培养的 条件下，以叶片为外植体，从植床到组培苗生根至少需要50天。显然，这样的繁殖方式数量 少、速度慢。采用上述文献中公开的扦插繁殖技术，虽然成苗周期较上述方法缩短，但插后 仍需要20 25天生根，也达不到高效快速育苗的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有育苗技术存在的不足，为观赏园艺、花卉栽培、绿化工 程提供。实现上述专利技术目的的技术方案是一种勋章菊育苗方法，包括如下顺序的步骤(1)4月至11月，在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，选取适当位置剪成插穗，每 个插穗保留2 5片叶；(2)以完全炭化的砻糠或草木灰为扦插基质，扦插基质厚度为5cm以上，将其装入渗 水性好的框、篮或盘中做成移动插床，或将其直接装入扦插池内作为固定插床；(3)对插床上的扦插基质淋水，使其充分湿润；(4)将插穗插入基质中，扦插深度为3 km，密度为4 5cm/株；(5)插后立即用稀释浓度为500 800倍的多菌灵杀菌剂水溶液喷洒插穗；(6)10 15分钟后将插穗移入全日照喷雾装置下，任其发根生长；(7)2 3周后将生根的扦插苗移栽于假植钵或泥盆中；(8)6周后，假植钵中的扦插苗根系伸出渗水孔时，即可移入花台建植或进行地栽 ’泥 盆中的菊苗可直接培育成盆花。本专利技术对所剪成的插穗保留其顶芽或花蕾，以利生根和早花；对所剪成的没有顶 芽的茎段插穗，保留其叶片，扦插前用浓度为1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部数秒钟，促 进生根；对所剪成的插穗叶面积过大的插穗，剪去插穗叶的部分叶片，以减弱蒸腾作用的耗 水。本专利技术所述的全日照喷雾装置的工作状态为完全自然光照；连续喷雾或夜间不 喷雾，连续喷雾的喷雾频率为5分钟/每小时；当天气条件为连续5 7天温度> 32°C时， 用两层遮阳网复盖插床上部。本专利技术利用勋章菊植株的地上部分如茎、枝、芽等作为插穗，插入完全炭化的基质 中，在全日照喷雾条件下，7 10天后开始生根，第14 20天即可成苗上盆，40 45天后 即可建植花台或景观应用，且扦插密度可达400株以上/m2。由于上述技术方案的运用，本专利技术技术方案的优点在于勋章菊育苗方法操作简 便，成活率高，育苗周期短，不仅可以高，而且可以不受季节影响进行室内周年扦插，实现了 高效快速育苗。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术技术方案作进一步描述。实施例一本实施例技术方案适用于以勋章菊茎蔓为插穗，扦插后14天成苗后移植于假植营养 钵，40天移入花台建植。其具体步骤如下(1)5月下旬，在“红纹”品种(黄色花)的植株上剪下健壮侧蔓，选取适当位置剪成插 穗，每个插穗保留2 5片叶，保留顶芽或花蕾，叶面积过大的插穗剪去1/3叶片；(2)在40CmX40CmX5Cm的塑料盘中装入厚度为5cm的砻糠为基质；(3)对砻糠淋水，使其充分湿润；(4)将步骤1准备好的插穗插入基质中，扦插深度为3 km、密度为4 5cm/株；(5)用稀释浓度为500倍的多菌灵水溶液喷洒插穗后，移入全日照间歇喷雾装置下任 其发根生长。白天自然光照期间(7 :00至17 :00)，喷雾的频率为每小时喷水5分钟，夜间 不喷水；(6)7天后开始生根，待插穗根系从塑料盘底部或周边伸出时(约14天)，将扦插苗从 基质中挖出(可少带砻糠)，移栽于假植(营养)钵或泥盆中，浇足定根水后任其生长，后期进 行常规肥水管理；(7)待扦插苗的根系伸出假植钵的渗水孔时(约40天)，取出带苗的假植土球，移入花 台建植或进行地栽；而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。实施例二本实施例技术方案适用于以勋章菊茎蔓为插穗，扦插后20天移植于假植营养钵，45天 移入花台。其具体步骤如下(1)6月下旬，在“星白”品种(白色花)的植株上剪下健壮丛生枝，选取适当位置剪成 插穗，每个插穗保留2 5片叶，保留顶芽或花蕾，叶面积过大的插穗剪去1/3叶片，以减 弱蒸腾作用的耗水；也可采用没有顶芽的茎段剪成插穗，则应保留其叶片，扦插前用浓度为 1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部数秒钟，促进生根；(2)在510_X250_X47_的穴盘中装入5cm厚的砻糠；(3)对砻糠淋水，使其充分湿润；(4)将准备好的插穗插入湿润的砻糠中，扦插深度为3 km，每穴插1株，每盘插32株；(5)插好后用稀释浓度为800倍的多菌灵水溶液喷洒插穗，再移入全日照喷雾装置下 任其发根生长。白天自然光照期间(7 :00至18 :00)进行连续喷雾(水阀不关)，夜间不喷 水；(6)10天后开始生根，待插穗的根系从穴盘底部的渗水孔伸出时(约20天)，将苗从穴 盘中连根带糠一并取出，移栽于假植(营养)钵或泥盆中，浇足定根水后任其生长，后期进行 常规肥水管理；(7)待菊苗的根系伸出假植钵的渗水孔时(约45天)，取出带苗的假植土球，移入花台 建植或进行地栽；而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。 本专利技术操作简便，成活率达到90%以上，40 45天即可成苗，育苗期短；育苗成本 约为0. 1元/株，成本较低。按本专利技术技术方案提供的勋章菊菊苗，不仅能在400 625株 /m2的高密度条件下扦插，且可以不受季节限制进行室内周年扦插，因此，具有推广应用的 前景。权利要求1.一种勋章菊育苗方法，其特征在于包括如下顺序的步骤(1)4月至11月，在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，选取适当位置剪成插穗，每 个插穗保留2 5片叶；(2)以完全炭化的砻糠或草木灰为扦插基质，扦插基质厚度为5cm以上，将其装入渗 水性好的框、篮或盘中做成移动插床，或将其直接装入扦插池内作为固定插床；(3)对插床上的扦插基质淋水，使其充分湿润；(4)将插穗插入基质中，扦插深度为3 4cm，密度为4 5cm/株；(5)插后立即用稀释浓度为500 800倍的多菌灵杀菌剂水溶液喷洒插穗；(6)10 15分钟后将插穗移入全日照喷雾装置下，任其发根生长；(7)2 3周后将生根的扦插苗移栽于假植钵或泥盆中；(8)6周后，假植钵中的扦插苗根系伸出渗水孔时，即可移入花台建植或进行地栽 ’泥 盆中的菊苗可直接培育成盆花。2.根据权利要求1所述的一种勋章菊育苗方法，其特征在于对所剪成的插穗保留其 顶芽或花蕾，以利生根和早花；对所剪成的插穗为没有顶芽的茎段插穗，保留其叶片，扦插 前用浓度为1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部数秒钟，促进生根。3.根据权本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种勋章菊育苗方法，其特征在于包括如下顺序的步骤：（１）　４月至１１月，在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，选取适当位置剪成插穗，每个插穗保留２～５片叶；（２）　以完全炭化的砻糠或草木灰为扦插基质，扦插基质厚度为５ｃｍ以上，将其装入渗水性好的框、篮或盘中做成移动插床，或将其直接装入扦插池内作为固定插床；（３）　对插床上的扦插基质淋水，使其充分湿润；（４）　将插穗插入基质中，扦插深度为３～４ｃｍ，密度为４～５ｃｍ／株；（５）　插后立即用稀释浓度为５００～８００倍的多菌灵杀菌剂水溶液喷洒插穗；（６）　１０～１５分钟后将插穗移入全日照喷雾装置下，任其发根生长；（７）　２～３周后将生根的扦插苗移栽于假植钵或泥盆中；（８）　６周后，假植钵中的扦插苗根系伸出渗水孔时，即可移入花台建植或进行地栽；泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆小平，王波，李叶峰，杨苏平，王谨，李强，徐建峰，盛亚丹，王宁，王彩晨，王永忠，皇甫兴成，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：32