兼容多层单元与单层单元闪存的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种兼容多层单元与单层单元闪存的装置，具有多层单元状态与单层单元状态，该装置包含：单层单元闪存，包含多个数据扇区（ｓｅｃｔｏｒ）；多层单元闪存，包含多个数据分页（ｐａｇｅ）；转换缓冲层，连接单层单元闪存与多层单元闪存，在多层单元状态，转换数据扇区符合数据分页的格式，在单层单元状态，转换数据分页符合数据扇区的格式；连接接口，提供从转换缓冲层读取与写入数据。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种闪存的装置，尤其是一种兼容多层单元与单层单元闪 存的装置。
技术介绍
科技日新月异，许多电子产品为了可扩充其功能或储存额外的档案，因此皆配备有内存。内存种类众多，其中闪存(flashmemory)为电子产品中常用的 内存。因为，闪存属于非挥发性内存，在没有施加电力的情况下，仍可维持内 存所储存的内容，且闪存可改变其所储存的内容，因而较只读存储器(ROM) 更适用在各种可携式电子产品。随着使用者对电子产品的储存容量需求不断增加的情况，闪存的制造厂商 也积极增加芯片中内存的密度，于是闪存逐渐从单层单元(Single Level Cell , SLC)转向多层单元(Multi Level Cell , MLC)发展。通过MLC的技术，可达 到多层高密度的闪存组件，而提供更大的储存容量。虽然内存厂商已逐渐将发展方向朝MLC前进，然而如果将SLC与MLC相 比较，可发现SLC仍具有诸多优点，如下所示SLC可重复写入的次数约为10万次，而MLC重复写入的次数约为1万次， 因此使用寿命上相差IO倍。SLC读写速度约为8MB/s，而MLC读写速度仅约为2MB/s，因此SLC传 输数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种兼容多层单元与单层单元闪存的装置，具有多层单元状态与单层单元状态，其特征在于：该装置包含单层单元闪存，包含多个数据扇区；多层单元闪存，包含多个数据分页；转换缓冲层，连接单层单元闪存与多层单元闪存，在多层单元状态，转换数据扇区以符合数据分页的格式，在单层单元状态，转换数据分页以符合数据扇区的格式；连接接口，提供从转换缓冲层读取与写入数据，所述单层单元闪存、多层单元闪存、连接接口分别和转换缓冲层相接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈淮琰，李鋆，
申请(专利权)人：无敌科技西安有限公司，
类型：实用新型
国别省市：87[]