灯管驱动装置及位移驱动电路制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种灯管驱动装置及位移驱动电路，包含一开关模组、一控制器、一谐振模组以及一位准移位电路。开关模组包含串联于一输入电压源及一共同电位之间的一高端晶体管开关及一低端晶体管开关。控制器用以控制高端晶体管开关及低端晶体管开关的切换以控制流经开关模组的输入电压的电力。谐振模组耦接开关模组用以转换来自输入电压源的电力为一交流输出信号以驱动一灯管。位准移位电路耦接控制器、开关模组以及一位移参考电位压源，用以根据高端晶体管开关及低端晶体管开关的一连接点的电位、位移参考电位压源及控制器所产生的一控制信号以产生一高端控制信号以控制高端晶体管开关进行切换。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种灯管驱动装置及位移驱动电路。
技术介绍
请参见图1，图1为现有的萤光灯管驱动电路的电路示意图。镇流控制器10包含 了一高端驱动电路HSD及一低端驱动电路LSD，分别通过一高端驱动脚位OUTl及一低端驱 动脚位0UT2驱动开关模组40中对应的一高端P型金属氧化物半导体场效应晶体管Ml及 一低端N型金属氧化物半导体场效应晶体管M2。高端P型金属氧化物半导体场效应晶体管 Ml及低端N型金属氧化物半导体场效应晶体管M2彼此串联于一输入电压源VIN及接地之 间，根据镇流控制器10的控制将输入电压源VIN的电力传递至一谐振模组30。谐振模组 30包含一电感Ll以及一电容C2，将输入电压源VIN的电力转换成一交流信号以驱动一灯 管20。镇流控制器10为了能确实控制高端P型金属氧化物半导体场效应晶体管Ml及低 端N型金属氧化物半导体场效应晶体管M2的导通与截止，高端驱动电路HSD及一低端驱动 电路LSD必须同时耦接输入电压源VIN及接地。然而，灯管20的驱动电压在数百伏特，由 此输入电压源VIN的电压也在数百伏特，使得镇流控制器10必须以耐高压制程制作，增加 了镇流控制器10的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种灯管驱动装置，包含：一开关模组，包含串联于一输入电压源、一共同电位之间的一高端晶体管开关及一低端晶体管开关；一控制器，用以控制该高端晶体管开关及该低端晶体管开关的切换以控制流经该开关模组的该输入电压源的电力；一谐振模组耦接该开关模组，用以转换来自该输入电压源的电力为一交流输出信号以驱动一灯管；以及一位准移位电路，耦接该控制器、该开关模组以及一位移参考电位压源，用以根据该高端晶体管开关及该低端晶体管开关的一连接点的电位、该位移参考电位压源及该控制器所产生的一控制信号产生一高端控制信号以控制该高端晶体管开关进行切换。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王政雄，
申请(专利权)人：登丰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]