复合电容制造技术

本实用新型专利技术涉及一种复合电容，包括低频电容（１）和叠层电容（２），所述低频电容（１）的第一引脚（６）与所述叠层电容（２）的上表面（２１）电连接，所述低频电容（１）的第二引脚（５）与所述叠层电容（２）的下表面（２２）电连接。实施本实用新型专利技术的复合电容，具有以下有益效果：能够有效地降低其高频阻抗大小，拓宽电容的应用频段。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元器件，更具体地说，涉及一种复合电容。
技术介绍
随着电气、电子及信息设备的广泛运用，电磁干扰问题日益严峻，其中开 关电源因其自身工作原理原因，电磁发射问题更尤为突出，电容滤波是抑制与 减少这种电磁干扰的重要措施。理想电容没有寄生电阻和寄生电感，然而实际 上，电容的寄生电阻和电感不可能为零，因此将严重影响到高频阻抗的大小。 因此，需要一种复合电容，能够有效地降低其高频阻抗大小，拓宽电容 的应用频段。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的电容存在寄生电容和 寄生电感，从而影响高频阻抗大小的缺陷，提供一种复合电容，能够有效地降 低其高频阻抗大小，拓宽电容的应用频段。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是 一种复合电容，包括低 频电容和叠层电容，所述低频电容的第一引脚与所述叠层电容的上表面电连 接，所述低频电容的第二引脚与所述叠层电容的下表面电连接。在本技术所述的复合电容中，所述复合电容进一步包括第一穿心电 容，所述第一穿心电容的导电外壳与所述叠层电容的下表面电连接，所述第一 穿心电容的第一穿心引脚与所述低频电容的第一引脚电连接。在本技术所述的复合电容中，所述复合电容进一步包括第二穿心电 容，所述第二穿心电容的导电外壳与所述叠层电容的上表面电连接，所述第二 穿心电容的第二穿心引脚与所述低频电容的第二引脚电连接。4在本技术所述的复合电容中，所述复合电容进一步包括第一绝缘固定 物和第二绝缘固定物，所述第一绝缘固定物设置在所述叠层电容的上表面，所 述第二绝缘固定物设置在所述叠层电容的下表面。在本技术所述的复合电容中，所述叠层电容的上表面包括第一引脚孔 和用于焊接所述第二穿心电容的第一焊接部，所述第一焊接部中心设有第二引 脚孔。在本技术所述的复合电容中，所述叠层电容的下表面上与所述第一引 脚孔对应位置设有第三引脚孔，所述第三引脚孔周围设有用于焊接第一穿心电 容的第二焊接部，所述叠层电容的下表面上与所述第二引脚孔对应位置设有第 四引脚孔。在本技术所述的复合电容中，所述叠层电容的下表面上与所述第一引 脚孔对应位置设有第三引脚孔，所述第三引脚孔周围设有第二焊接部，所述叠 层电容的下表面上与所述第二引脚孔对应位置设有第四引脚孔。在本技术所述的复合电容中，所述第一穿心引脚包括与所述叠层电容 的上表面上的印刷电路板铺铜部电连接并水平向外延伸的第一弯折部，所述第 二穿心引脚包括与所述叠层电容的下表面上的印刷电路板铺铜部电连接并水 平向外延伸的第二弯折部。在本技术所述的复合电容中，所述第一引脚包括与所述叠层电容的上 表面上的印刷电路板铺铜部电连接并水平向外延伸的第一弯折部，所述第二引 脚包括与所述叠层电容的下表面上的印刷电路板铺铜部电连接并水平向外延 伸的第二弯折部。实施本技术的复合电容，具有以下有益效果能够有效地降低其高 频阻抗大小，拓宽电容的应用频段。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中 图1是本技术的复合电容的第一实施例的结构示意图； 图2是本技术的复合电容的第二实施例的结构示意图；图3是现有技术的低频电容的等效电路图4是技术的复合电容的第一实施例的等效电路图5是本技术的复合电容的穿心电容的结构示意图6是本技术的复合电容的叠层电容的第一实施例的结构示意图7是本技术的复合电容的叠层电容的第二实施例的结构示意图。具体实施方式本技术通过在将叠层电容或者是叠层电容和穿心电容与低频电容封 装在一起，形成新的复合电容。该电容利用穿心、叠层电容的高频阻抗特性， 配合低频电容的低频阻抗特性，减小了低频电容的高频阻抗大小，拓宽了原 电容的应用频段。如图1所示，在本技术复合电容的第一实施例的结构示意图中，所述 复合电容包括低频电容1和叠层电容2，所述低频电容1的第一引脚6与所述 叠层电容2的上表面21电连接，所述低频电容1的第二引脚5与所述叠层电 容2的下表面22电连接。图3和图4分别示出了现有技术的低频电容和本实 用新型的复合电容的第一实施例的等效电路图。其中C表示集总电容参数，R 表示寄生电阻，L表示寄生电感，引入参数C1表示叠层电容。以电源输入差模金膜电容为例，说明改进后的复合电容与原低频电容在各 个频段阻抗差异:一般电源输入差模金膜电容的L1约为几uF，很少有超过5uF， 寄生电感约为几nH，则原电容的阻抗转折频率点约为2MHz左右，由于穿心、 叠层电容的等效电路近似等于一个理想电容，但容值较低，在低频段属于高阻， 根据图4所示的等效电路，其影响可忽略不计，所以该频段复合电容与低频电 容阻抗基本相等；当频率大于原低频电容的转折频率点后，原低频电容则会呈 现感性阻抗，随着频率的增加急剧上升，而叠层电容具有良好的频率特性，将 继续随频率的增加而下降，这时复合电容将远远小于原低频电容的阻抗，从而 增加了高频滤波功能。图2是本技术的复合电容的第二实施例的结构示意图。如图2所示， 所述复合电容进一步包括穿心电容31和32，所述穿心电容31的导电外壳与6所述叠层电容2的下表面22电连接，所述穿心电容31的第一穿心引脚36与 所述低频电容1的第一引脚6电连接，所述穿心电容32的导电外壳与所述叠 层电容2的上表面21电连接，所述穿心电容32的第二穿心引脚35与所述低 频电容1的第二引脚5电连接。其等效电路相当于将叠层电容、低频电容和两 个穿心电容，这四个电容并联。在本技术的一个简化实施例中，所述复合 电容可仅包括一个穿心电容，其等效电路相当于将叠层电容、低频电容和穿心 电容并联。在本技术的一个典型实施例中，所述复合电容进一步包括绝缘固定物 41和42，所述绝缘固定物41设置在所述叠层电容2的上表面21与所述穿心 电容31相对应的位置，所述绝缘固定物42设置在所述叠层电容2的下表面 22与所述穿心电容32相对应位置。在增加绝缘固定物以后，可以起到固定和 电气隔离绝缘的作用。图5是本技术的复合电容的穿心电容的结构示意图。所述穿心电容可 包括穿心引脚311和金属外壳313，所述金属外壳313和穿心引脚311之间填 充有高介电常数材料312。本领域技术人员知悉，图5示出的只是本技术 可以采用的穿心电容的一个实施例，而并不是用于对穿心电容的形状、所采用 的高介电常数材料进行限定。图6是本技术的复合电容的叠层电容的第一实施例的结构示意图，如 图6所示，所述叠层电容2的上表面21包括第一引脚孔213和用于焊接所述 穿心电容3的第一焊接部214，所述叠层电容2的上下表面外侧均设置有印刷 电路板用高介电常数材料211，其余部位为用于导电的印刷电路板铺铜部212。 所述第一焊接部214中心设有第二引脚孔216。所述叠层电容2的下表面22 上与所述第一引脚孔213对应位置设有第三引脚孔218，所述第三引脚孔218 周围设有第二焊接部217，所述叠层电容2的下表面22上与所述第二引脚孔 216对应位置设有第四引脚孔219。这一实施例特别适合当复合电容是由叠层 电容、低频电容和两个穿心电容构成时的实施例。本领域技术人员知悉，图5 示出的只是本技术可以采用的叠层电容的一个实施例，而并不是用于对叠 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合电容，其特征在于，包括低频电容（１）和叠层电容（２），所述低频电容（１）的第一引脚（６）与所述叠层电容（２）的上表面（２１）电连接，所述低频电容（１）的第二引脚（５）与所述叠层电容（２）的下表面（２２）电连接。

【技术特征摘要】
1、一种复合电容，其特征在于，包括低频电容(1)和叠层电容(2)，所述低频电容(1)的第一引脚(6)与所述叠层电容(2)的上表面(21)电连接，所述低频电容(1)的第二引脚(5)与所述叠层电容(2)的下表面(22)电连接。2、 根据权利要求1所述的复合电容，其特征在于，所述复合电容进一步 包括第一穿心电容(31)，所述第一穿心电容(31)的导电外壳与所述叠层电 容(2)的下表面(22)电连接，所述第一穿心电容(31)的第一穿心引脚(36) 与所述低频电容(1)的第一引脚(6)电连接。3、 根据权利要求2所述的复合电容，其特征在于，所述复合电容进一步 包括第二穿心电容(32)，所述第二穿心电容(32)的导电外壳与所述叠层电 容(2)的上表面(21)电连接，所述第二穿心电容(32)的第二穿心引脚(35) 与所述低频电容(1)的第二引脚(5)电连接。4、 根据权利要求3所述的复合电容，其特征在于，所述复合电容进一步 包括第一绝缘固定物(41)和第二绝缘固定物(42)，所述第一绝缘固定物(41) 设置在所述叠层电容(2)的上表面(21)，所述第二绝缘固定物(42)设置在 所述叠层电容(2)的下表面(22)。5、 根据权利要求3所述的复合电容，其特征在于，所述叠层电容(2)的 上表面(21)包括第一引脚孔(213)和用于焊接所述第二穿心电容(32)的 第...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐立平，
申请(专利权)人：艾默生网络能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]