SMD发光二极管支架改良结构制造技术

一种ＳＭＤ发光二极管支架改良结构，其透过将设置于第一支架以及第二支架两侧的凹陷部部分地埋置于胶座内，当水气由胶座与第一支架以及第二支架两侧所产生微小空隙渗入时，借由凹陷部来增加水气的行进路径，以增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，并同时在凹陷部转折处形成虹吸现象将水气聚集于凹陷部转折处，使得水气难以进一步渗入至发光二极管芯片，可以有效的防止发光二极管芯片受到水气的影响，可以解决ＳＭＤ发光二极管支架结构无法有效防止水气渗入的问题，借此可以达成ＳＭＤ发光二极管支架结构有效防止水气渗入的技术功效。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种SMD发光二极管支架改良结构，尤其是指一种借由设置凹陷部转 折处所形成的虹吸现象，将水气聚集于凹陷部转折处的SMD发光二极管支 架改良结构。
技术介绍
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有耗电量低、 元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、 适合量产，因此发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指 示灯与显示装置上，如行动电话及个人数字助理(Personal Digital Assistant, PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。通常发光二极管芯片透过表面黏贴技术(Surface Mount Device, SMD ) 固接于SMD发光二极管支架内，而SMD发光二极管支架的内部结构对于发 光二极管芯片的出光效果具有直接性的影响，以下将说明一种现有的SMD 发光二极管支架结构。请参考图1、图2以及图3所示，图1为SMD发光二极管支架结构立体 图；图2为SMD发光二极管支架结构微小空隙立体放大图；图3为SMD发 光二极管支架结构俯视图。现有SMD发光二极管支架结构，其包含第一支架IO、第二支架20、 胶座30。第一支架IO用以固接发光二极管芯片(图中未绘示)于第一支架10 — 端，发光二极管芯片可以透过第一支架IO产生电性连接，以提供发光二极管 芯片所需的一种电性极性，或是可以与其它电子装置(图中未绘示)进行电 性连接。第二支架20 —端与发光二极管芯片透过打线接合(wire bonding)技术 形成电性连接，以提供发光二极管芯片所需的另外一种电性极性，或是可以与其它电子装置进行电性连接(图中未绘示)。其中，在第一支架10以及第二支架20两侧分别^:置至少一第一凹陷部11以及至少一第一凹陷部21，第一支架IO以及第二支架20所设置的第一凹 陷部11以及第一凹陷部21部分地埋置于胶座30内。第一支架10所设置的第一凹陷部11以及第二支架20所设置的第一凹陷 部21，其作用将iJt明如下。在将第一支架10以及第二支架20部分地埋置于胶座30时，由于胶座 30与第一支架10以及第二支架20两侧分别会产生微小空隙31(如图2所示， 为加大示意效果，图中以显著方式表现出胶座30与第一支架10以及第二支 架20两侧所产生的微小空隙31 )， 一般来说水气会借由此微小空隙31渗入， 当水气渗入至发光二极管芯片(图中未绘示)时，则会影响到发光二极管芯 片的发光效率，甚至会使得发光二极管芯片的失效。当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31渗 入时，则可以借由于第一支架10所设置的第一凹陷部11，或是借由于第二 支架20所设置的第一凹陷部21，增加水气的行进路径，并同时增加水气所 渗入至发光二极管芯片的时间，以延长发光二极管芯片的使用寿命，但是无 法有效的防止水气的继续渗入。现有的SMD发光二极管支架结构所使用的技术手段是增加水气的行进 路径，并同时增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，以延长发光二极管 芯片的使用寿命，但是无法有效的防止水气的继续渗入，在长时间使用发光 二极管时，在水气渗入至发光二极管芯片即会影响到发光二极管的发光效率， 甚至会使得发光二极管芯片失去效用。综上所述，可知现有技术中长期以来一直存在SMD发光二极管支架结 构无法有效防止水气渗入的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决 此一问题。
技术实现思路
有鉴于现有技术存在SMD发光二极管支架结构无法有效防止水气渗入 的问题，本技术遂提供一种SMD发光二极管支架改良结构，其中本技术所提供的SMD发光二极管支架改良结构，其包含第一支架、第二支架以及胶座。其中第 一支架是用以固接发光二极管芯片于第 一支架一端，第 一支架两侧设置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；第二支架一端与发光二极管 芯片产生电性连接，第二支架两侧设置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷 部；胶座，第一支架及第二支架所设置的至少一第一凹陷部及至少一第二凹 陷部部分地埋置于胶座内。本技术所提供的结构如上，与现有技术之间的差异在于本技术 将设置于第一支架以及第二支架两侧的第一凹陷部以及第二凹陷部部分地埋 置于胶座内，由于胶座与第一支架以及第二支架两侧分别会产生微小空隙， 水气则会借由此微小空隙渗入；首先，借由第一支架以及第二支架两侧分别 设置的第二凹陷部更能增加水气的行进路径，以增加水气渗入至发光二极管 芯片的时间，并延长发光二极管芯片的使用寿命；接着，借由所设置的第二 凹陷部于第二凹陷部转折处形成虹吸现象，由于产生虹吸现象即可以将水气 聚集于第二凹陷部转折处，使得水气难以进一步渗入至发光二极管芯片，可 以有效的防止发光二极管芯片受到水气渗入的影响。透过上述的技术手段，本技术可以达成SMD发光二极管支架结构 有效防止水气渗入的技术功效。附图说明图1为SMD发光二极管支架结构立体图。图2为SMD发光二极管支架结构微小空隙立体放大图。图3为SMD发光二极管支架结构俯视图。图4A为本技术SMD发光二极管支架改良结构第一实施态样俯视图。图4B为本技术SMD发光二极管支架结构第一实施态样第二凹陷部 局部方文大图。图5A为本技术SMD发光二极管支架改良结构第二实施态样俯视图。图5B为本技术SMD发光二极管支架结构第二实施态样第一凹陷部 及第二凹陷部局部力文大图。主要元件符号说明10第一支架11第一凹陷部12第二凹陷部13延伸区20第二支架21第一凹陷部22第二凹陷部23延伸区30胶座31微小空隙32功能区33端面具体实施方式以下将配合附图及实施例来详细说明本技术的实施方式，借此对本 技术如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充 分理解并据以实施。在介绍本技术之前，首先要先说明水气渗入至发光二极管芯片的方 式，并说明现有技术如何对于水气渗入至发光二极管芯片的解决方式。请同时参照图1、图2、图3所示，在将第一支架10以及第二支架20 部分地埋置于胶座30时，由于胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧 分别会产生微小空隙31 (如图2所示，为加大示意效果，图中以显著方式表 现出胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧所产生的微小空隙31 )， 一般来说水气会借由此微小空隙31渗入，当水气渗入至发光二极管芯片(图 中未绘示)时，则会影响到发光二极管芯片的发光效率，甚至会使得发光二 极管芯片的失效。当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31渗 入时，则可以借由于第一支架10所设置的第一凹陷部11,或是借由于第二 支架20所设置的第一凹陷部21，增加水气的行进路径，以增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，并延长发光二极管芯片的使用寿命，但是无法有 效的防止水气的继续渗入。对于上述所产生的问题，本技术提出一种改良结构，可以有效的解 决上述的问题，以下将说明本技术所提出的解决方式，本技术所提供的SMD发光二极管支架改良结构，请参考图4A所示，图4A为本实用新 型SMD发光二极管支架改良结构第一实施态样俯视图。如图4A所示，本技术所提供的SMD发光二极管支架改良结构，于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＭＤ发光二极管支架改良结构，其包含：　一第一支架，用以固接一发光二极管芯片于该第一支架一端，该第一支架两侧设置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；　一第二支架，该第二支架一端与该发光二极管芯片产生电性连接，该第二支架两侧设 置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；及　一胶座，该第一支架及该第二支架所设置的该些至少一第一凹陷部及该些第二凹陷部部分地埋置于该胶座内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱新昌，李廷玺，
申请(专利权)人：一诠精密工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]