曝光方法及曝光装置制造方法及图纸

技术编号:5517247 阅读:276 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种曝光方法及曝光装置。使基板(1)固定支承于四边基板支承构件(11)。将绘有图形的光掩模(2)配置于基板(1)的覆盖感光层的位置。通过光掩模(2)将光照射到基板(1)的感光层从而将图形转印到基板上。曝光时,光掩模(2)和基板(1)互相均匀地接触,并且使基板支承构件(11)及基板(1)变形为期望的弯曲形状的状态。基板支承构件(11)以沿与互相对置的第一对侧缘部相同的方向上延伸的第一轴,和沿与互相对置的第二对侧缘部相同的方向上延伸的第二轴为中心,一边分别控制弯曲量,基板支承构件(11)一边与基板(1)共同弯曲。由此,图形的尺寸实质地变化而转印到基板(1)上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种曝光方法及曝光装置,将绘有图形的光掩模(photo 一mask)和表面上形成有感光层的基板重叠配置,通过光掩模将光照射到 基板上,从而将图形转印到基板上。
技术介绍
以往,为在印刷电路基板等的表面上形成导电图形等,而广泛进行的 是将表面上形成有感光层的基板和绘有图形的光掩模重叠配置,通过光掩 模将光照射到基板上,从而将图像转印到基板表面的感光层上的曝光方 法。在该曝光方法中,需要对预先设置于基板的几乎整个面上的多个导电 孔和光掩模上绘制的图形的位置进行对准。位置对准利用分别设置于光掩 模和基板的相互对应的位置上的多个对准标记。在将分别设置于基板和光掩模上的对准标记互相重合的状态下,通过 CCD照相机等光传感器进行读取,基于其数据,计算基板和光掩模上的对 准标记之间的偏差量。根据该计算结果,使基板或光掩模中的任一个沿基板或光掩模的面内包含的X轴方向、Y轴方向及e方向移动,以使对准标记的位置一致,进行基板和光掩模的位置对准。在进行基板和光掩模的位置对准后,通过光掩模将光照射到基板上, 从而将光掩模上绘有的图形转印到基板表面的感光层上,曝光处理完成。但是,附在光掩模及基板上的多个对准标记之间的距离,即对准标记 间的间距会根据制作误差,温度、湿度的变化,或者曝光工序之前的加热 处理等引起的基板的收缩等变形而改变。由此,分别附在光掩模和基板上 的多个对准标记间间距会产生误差。其结果是难以使所有的光掩模和基板 的对准标记完全一致。因此,可以考虑如下这样的曝光方法,即通过以光掩模和基板互相均匀地接触且光掩模和基板互相相对地弯曲为凹状或凸状的状态使光通过 光掩模而照射到基板的感光层上,由此使绘制在光掩模上的图形实质地改 变其尺寸而转印到基板上。对于该曝光方法的原理,参照图15说明。图15A表示同样长度L的基板1和光掩模2平面状地均匀接触而重叠 的状态。在光掩模2的一个主面2A上绘有图形。并且,作为光掩模2可 以使用使绘有图形的薄胶片密接于玻璃板的光掩模。通常使用的玻璃制的 光掩模2的厚度T2为5mm左右。在基板1为印刷电路基板时,其厚度 Tl在多数情况下为lmm以下。并且,光掩模2的厚度T2的中心线2C及 基板1的厚度Tl的中心线2B分别用点划线表示。其次图15B表示在基板1和光掩模2互相接触而重叠的状态下,光掩 模2和基板1都以光掩模2的基板1侧变为凹状的方式弯曲了的状态。如 图所示,光掩模2的厚度T2厚,以厚度T2的中心线2C作为边界线,基 板1侧缩短,相反侧伸长。基板1以厚度Tl的中心线2B为边界线,光掩 模2侧伸长,相反侧缩短。但是,基板1的厚度T1与光掩模相比很薄, 因此基板1的表面和背面上的伸缩量很小。其结果是在基板1和光掩模2互相相接的部分,光掩模2相对于基板 1的长度实质上縮小了光掩模2的基板1侧的面的縮小量Sl与基板1的光 掩模2侧的面的伸长量S2的和。因此,若以该状态曝光,则光掩模2的 主面2A上绘有的图形实质上与该值成比例被縮小而转印到基板上。另外,图15C表示基板l和光掩模2向与图15B的情况相反的方向弯 曲的状态。这时,在基板1和光掩模2互相相接的部分,光掩模2相对于 基板1的长度实质上伸长了光掩模2的基板1侧的面的伸长量Sl'与基板 1的光掩模2侧的面的縮小量S2'的和。若以该状态曝光,则在光掩模的主面2A上绘有的图形实质上与该值 成比例被放大而转印到基板上。根据该曝光方法,基板的对准标记间的间距的尺寸即使因基板的不同 而不同,也可以通过实质上改变一张光掩模的对准标记间的间距的尺寸而 接近基板的对准标记间的间距的尺寸。因此,不会有损于生产率,并且, 抑制成本上升,可以将光掩模上绘有的图形精度良好地转印到基板的规定7位置上。参照图11至图14说明该以往的曝光方法及利用该曝光方法的以往的 曝光装置。图12为以往的曝光装置的概略侧剖面图,图11为表示省略光掩模及 光掩模支承构件的俯视图。以往的曝光装置包括用于支承基板1的基板支承构件4、用于支承基板支承构件4的基座构件5、支承光掩模2的外缘部的光掩模支承构件 12。光掩模支承构件12是在驱动机构(未图示)的作用下,被导向机构 (未图示)引导而能够接近或远离基板支承构件4的构造。并且光掩模支承构件12包括框架15;用于限制光掩模2的支承面内的位置的限位销19及螺旋弹簧18;容许光掩模2向相对于基板支承构 件4接近或远离的方向移动规定量的按压片簧;连接在框架15和按压片 簧之间的垫片17,由此,成为支承光掩模2的构造。在基板支承构件4上设置有包围基板1的密封构件9。基板1的与曝 光面la相反一侧的面与基板支承构件4抵接。基板支承构件4利用通过 真空吸引孔10而作用的负压来吸附保持基板1,另外,可以通过释放负压 而解除基板1的吸附保持。在基座构件5上设置有用于对基座支承构件4施加按压力或牵引力的 促动器6。在基座支承构件4和基座构件5之间均匀配置有多个连接构件 7,多个连接构件7包围促动器6,并限制基座支承构件4的倾斜以外的动 作。首先,通过CCD照相机3等光传感器读取基板1的对准标记和光掩 模2的对准标记,基于读取的数据,计算基板1和光掩模2上的对准标记 间的偏移量(图12)。根据该计算结果,使促动器6工作而使基板支承构 件4与基板1 一起弯曲到期望的匀称的球状(图13)。然后,利用驱动机 构(未图示)使光掩模支承构件15向基板支承构件4下降,使光掩模2 和密封构件9接触。由此,由基板1和基板支承构件4及光掩模2围成的 空间区域被密封构件9密封。其次,利用真空泵(未图示)等装置对该空 间区域进行减压。通过差压,光掩模2以紧贴 基板1的方式一边弯曲一边与基板l均匀地接触。由于使光掩模2贴着基板1弯曲,与基板l相对 的一侧的光掩模表面绘有的对准标记间的间距发生变化。以该状态再次利用CCD照相机3读取基板1的对准标记和光掩模2 的对准标记,基于读取的数据,计算基板1和光掩模2上的对准标记间的 偏差量。若计算值为规定的偏差量以下,则使光8通过光掩模2照射到基 板1上来进行曝光(图14)。但是,己经知道了在上述的以往的曝光方法及曝光装置中存在不足。 以往的曝光方法及曝光装置由于使基板弯曲为圆润的球状,所以只是在基 板的变形匀称的情况下才有效。对于实际的基板尺寸变化来说,X轴方向 及Y轴方向的任一方的变化比他方的变化大。另外,还存在产生的尺寸变 化沿着X轴或Y轴不匀称的情况。都是由于基板的变形不会都匀称,因 此按照以往的曝光方法及曝光装置,不能使光掩模的对准标记和基板的对 准标记间距一致,并且,不能使光掩模上绘有的图形和基板的导电孔等一 致。另外,按照以往的曝光装置中的基板支承方法,基板的支承力不够, 在使基板支承构件弯曲时会在基板支承构件和基板之间产生相对位置偏 差。因此,图形尺寸的实质的变化量比实用上必要量少。
技术实现思路
因此本专利技术提供一种曝光方法及曝光装置,以确保实用上足够的尺寸 变化量为课题,即使在基板的变形不匀称的情况下,也可以与其对应地使 基板的刻度(scale)和光掩模的刻度在整个区域上一致来进行曝光。为解决上述问题,根据本专利技术,提供一种曝光方法,将绘有图形的光掩模配置于对表面形成有感光层的基板的感光层进 行覆盖的位置本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种曝光方法,将绘有图形的光掩模配置于对表面形成有感光层的基板的感光层进行覆盖的位置上,在使所述光掩模与所述基板互相均匀接触后,使光通过所述光掩模并照射到所述基板的感光层上,从而将所述图形转印到所述基板上,其特征在于,    准备整体呈四边形且具有互相对置的第一对侧缘部和互相对置的第二对侧缘部的板状的基板支承构件,    以使所述感光层与所述光掩模的绘有所述图形的表面相对置的方式,将所述基板在不产生相对错位的状态下固定支承于所述基板支承构件的主面上,    使所述基板支承构件以沿与所述第一对侧缘部相同的方向延伸的第一轴为中心、或以沿与所述第二对侧缘部相同的方向延伸的第二轴为中心,独立地一边控制弯曲量一边弯曲,从而使所述基板支承构件与所述基板一起变形为期望的弯曲形状,    在所述光掩模与所述基板互相均匀接触,并且所述基板支承构件及所述基板变形为所述期望的弯曲形状的状态下,使光通过所述光掩模而照射到所述感光层上,从而使所述图形的尺寸实质性变化而转印到所述基板上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:三宅健高木俊博
申请(专利权)人:三荣技研股份有限公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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