一种硅氧烷基压敏粘合剂组合物，它包含组分（Ａ）通过在成分（ｃ）存在下，使在两个分子末端均具有硅烷醇基和位于分子侧链上的一个分子内平均大于或等于２个与硅键合的链烯基的二有机基聚硅氧烷（ａ）和括一个分子内具有一个或多个可水解基团的有机基聚硅氧烷树脂（ｂ）进行缩合反应获得的缩合反应产物，（Ｂ）有机基氢聚硅氧烷，（Ｃ）在两个分子末端均具有与硅键合的链烯基的二有机基聚硅氧烷，（Ｄ）有机基聚硅氧烷树脂和（Ｅ）铂催化剂。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有超低硅氧烷转移性能的硅氧烷基压敏粘合剂组合物，它甚至在暴露于高温下之后，还能维持优良的粘合性，在 剥离之后，几乎完美地防止在被粘物上产生粘合剂残渣和硅氧烷组分。 本专利技术还涉及使用前述硅氧烷基压敏粘合剂组合物的粘合带。
技术介绍
与丙烯酸基或橡胶基压敏粘合剂组合物相比，硅氧烷基压 敏粘合剂组合物优于前者之处在于其电绝缘、耐热、耐候性能和对各 种基底的粘合性。因此，硅氧烷基压敏粘合剂组合物应用于耐热胶带、 绝缘胶带、热密封胶带的结构，电镀用掩蔽胶带，热处理用掩蔽胶带 等。取决于固化机理，前述硅氧烷基压敏粘合剂组合物可分成通过加 成反应固化的组合物，通过缩合反应固化的组合物，或者通过过氧化 物固化的组合物。从固化性能的角度考虑，最优选通过加成反应固化 的组合物。日本专利公布S63-22886 (专利参考文献l)公开了可加成 反应固化的珪氧烷基压敏粘合剂组合物，它由分子两端均具有与硅键 合的链烯基的二有机基聚硅氧烷，由R3SiO^单元(其中R表示烷基、 链烯基或羟基)和SiOw单元组成的有机基聚硅氧烷树脂， 一个分子内 具有至少两个与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷，铂类催化剂和有 机溶剂组成。然而，使用专利参考文献l中公开的硅氧烷基压敏粘合剂 组合物制备的粘合带在热的影响下易于脱层，和在从各种被粘物上剥 离之后留下粘合剂残渣。因此，为了解决这两个问题，通过增加粘合 力，和与此同时当胶带在高温下使用时降低粘合剂残渣的转移，提出 了各种硅氧烷基粘合剂组合物。例如,日本专利公布H04-335083 (专利参考文献2)公开了 硅氧烷基粘合剂组合物，它包含含乙烯基且聚合度等于或大于2000 的有机基聚硅氧烷，由R3SiOw单元(其中R表示单价烃基或羟基)和 SiO^单元组成的有机基聚硅氧烷，有机基氢聚硅氧烷，铂类催化剂， 和含乙烯基且聚合度等于或小于2000的聚硅氧烷。专利参考文献2 还公开了通过在加热条件下，在甲苯内搅拌两端均用羟基封端的二曱 基聚硅氧烷，有机基聚硅氧烷，和由Me3SiO,"和Si04,2单元组成的甲 基聚硅氧烷树脂，然后添加其余组分，并混合整个组合物，制备硅氧 烷基粘合剂组合物的方法(参见专利参考文献2，实践例2)。日本专利公布H10-110156(专利参考文献3)公开了硅氧烷 基压敏粘合剂，它包括(a)在一个分子内平均含有一个或多个链烯基的 生胶状有机基聚硅氧烷和(b)基本上由R3SiO^单元(其中R表示单价烃 基或羟基)和SiOV2单元组成的有机基聚硅氧烷树脂的部分缩合的产 物，有机基氢聚硅氧烷，和铂基催化剂。通过在二甲苯中和在甲胺存 在下，对分子两端均用与硅键合的羟基封端的甲基乙烯基聚硅氧烷和 二甲基硅氧烷的生胶状共聚物和含2. OwtW与硅键合的羟基的由 Me3SiO^单元和SiOw单元组成的曱基聚硅氧烷进行缩合反应，然后添 加其余组分到所得反应产物中，制备前述组合物(参见专利参考文献 3,实践例1)。另一方面，日本专利公布2002-275450 (专利参考文献4) 公开了硅氧烷基压敏粘合剂组合物，它包含含硅橡胶和有机硅树脂作 为主要组分的配混料的交联结构。该硅氧烷基压敏粘合剂组合物的特 征在于，当在200。C下保持该粘合剂组合物加热24小时时，硅氧烷基 压敏粘合剂组合物的凝胶部分上升5-55wt°/。。通过在加热条件下，在 曱苯中搅拌生胶状二甲基聚硅氧烷和由SiOw单元和Me3SiO^单元组 成的甲基聚硅氧烷，然后加入其他组分，和进一步混合所得混合物， 从而制备前述硅氧烷基压敏粘合剂组合物(专利参考文献4，实践例 1)。日本专利公布2006-213810(专利参考文献5)还公开了一种粘合剂硅氧烷组合物，它拥有优良的剥离性能且甚至当在250'C或更高的 高温下使用时没有留下粘合剂残渣。通过由一个分子内具有大于两个 链烯基的聚有机基硅氧烷和由Si02单元和R、SiO。.5单元(其中I^表示单 价烃基，所述单价烃基可以相同或不同且含有l-10个碳原子)组成的 聚有机基硅氧烷获得反应混合物，然后结合所得混合物与具有SiH基 的聚有机基硅氧烷、抑制剂和铂基催化剂，从而制备该组合物。还公 开了在基底上通过固化前述组合物生产的粘合带。已知具有由前述硅氧烷基压敏粘合剂组合物制备的粘合剂 层的粘合带提供高的粘结/粘合力，和甚至当在超过200。C的温度下的 热处理过程中使用该胶带时，在一定程度上防止粘合剂组分转移到基 底上。然而，当具有硅氧烷基压敏粘合剂层的这些已知的粘合带 因其耐热性能被使用时和在胶带剥离之后，在基底表面上仍然可肉眼观察到残留的微量硅氧烷，且用有机溶剂清洁该表面的额外操作是必 不可少的。因此，需要开发在基底表面上留下实际上不可见量的残留 硅氧烷组分的压敏粘合剂，以便可以不需要用有机溶剂来清洁基底表 面，尤其当在电路板的焊料软熔处理中的热处理操作过程中，使用前 述胶带作为掩蔽胶带时。当使用前述专利文献中公开的硅氧烷基压敏粘合剂组合物 时，在等于或超过250。C的温度下在高温环境中保持之后，不可能限 制在被粘物表面上形成残留粘合剂，和不可能省去随后用有机溶剂清 洁被粘物表面到使得可防止被粘物表面变色和完全消除残留硅氧烷在 被粘物表面上存在的程度。此外，上述专利参考文献1-5没有教导结合使用下述组分 有机基聚硅氧烷树脂和聚合度高的有机基聚硅氧烷的缩合反应产物； 具有高聚合度的不反应的有机基聚硅氧烷树脂；和不反应的有机基聚 硅氧烷树脂。因此，通过结合这种缩合反应产物与不反应的有机基聚 硅氧烷获得的硅氧烷基压敏粘合剂组合物不是已知的，和在从中剥离 胶带之后，有机基聚硅氧烷树脂几乎完全防止在被粘物表面上粘合剂残渣的产生，且将防止硅氧烷组分转移到被粘物表面上。 专利技术公开本专利技术的目的是提供硅氧烷基压敏粘合剂组合物，它得到 具有超低硅氧烷转移性能的压敏粘合剂层，结果人眼不可能检测到粘 合剂残渣，且即使在等于或大于25(TC的温度下它暴露于热处理下， 也没有转移硅氧烷组分。另一目的是提供基于前述粘合剂组合物的粘 合带，尤其在热处理工艺中使用的掩蔽胶带。可通过包括以下给出的组分(A)-(E)的硅氧烷基压敏粘合 剂组合物，和具有通过固化前述硅氧烷基压敏粘合剂组合物获得的压 敏粘合剂层的粘合带来解决现有技术的这些问题(A) 通过在成分(c)存在下，使以下给出的成分(a)和(b)进行缩合 反应获得的缩合反应产物，其中成分(a)的用量为10重量份且它包括用通式(l)表示的在两个分 子末端均具有硅烷醇基和位于分子侧链上的一个分子内平均大于或等 于2个与硅键合的链烯基的二有机基聚硅氧烷<formula>formula see original document page 8</formula>(其中R'表示未取代或取代的单价饱和烃基，112表示具有2-IO个 碳原子的链烯基，m是等于或大于2000的整数，和n是等于或大于2 的整数)；成分(b)的用量为1-30重量份，且它包括一个分子内具有一个或 多个可水解基团且基本上由XR^SiO^单元(其中X表示OH基和选自具 有2-6个碳原子的烷氧基的可水解基团；和^可独立地表示具有I-IO 个碳原子的未取代或取代的单价烃基)、本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种硅氧烷基压敏粘合剂组合物，它包含组分（Ａ）－（Ｅ），其中： （Ａ）通过在成分（ｃ）存在下使以下给出的成分（ａ）和（ｂ）进行缩合反应获得的缩合反应产物，其中： 成分（ａ）的用量为１０重量份且它包括用通式（１）表示的在两个分子末 端均具有硅烷醇基和位于分子侧链上的一个分子内平均大于或等于２个与硅键合的链烯基的二有机基聚硅氧烷： ＊＊＊ （１） （其中Ｒ↑［１］表示未取代或取代的单价饱和烃基，Ｒ２表示具有２－１０个碳原子的链烯基，ｍ是等于或大于２０００的 整数，和ｎ是等于或大于２的整数）； 成分（ｂ）的用量为１－３０重量份，且它包括一个分子内具有一个或多个可水解基团且基本上由ＸＲ↑［３］↓［２］ＳｉＯ↓［１／２］单元（其中Ｘ表示ＯＨ基和选自具有２－６个碳原子的烷氧基的可水解基团；和Ｒ↑ ［３］可独立地表示具有１－１０个碳原子的未取代或取代的单价烃基）、Ｒ↑［３］↓［３］ＳｉＯ↓［１／２］单元（其中Ｒ↑［３］与以上定义的相同）和ＳｉＯ↓［４／２］单元组成的有机基聚硅氧烷树脂； 成分（ｃ）是以催化量使用的缩合催化剂； （Ｂ）通式（２）表示的有机基氢聚硅氧烷： ＊＊＊ （２） （其中Ｒ↑［１］表示未取代或取代的单价饱和烃基，ｐ是正整数，ｑ是等于或大于２的整数，和其中ｐ与ｑ满足下述条件：１０≤（ｐ＋ｑ）≤２００）； （Ｃ）通式（３）表 示的在两个分子末端均具有与硅键合的链烯基的二有机基聚硅氧烷： ＊＊＊ （３） （其中Ｒ↑［１］表示未取代或取代的单价饱和烃基，Ｒ↑［２］表示具有２－１０个碳原子的链烯基，ｒ表示大于或等于２０００的整数，和ｓ表示０或正整数）； （Ｄ）基本上由Ｒ↑［４］↓［３］ＳｉＯ↓［１／２］单元（其中Ｒ↑［４］表示选自未取代或取代的单价烃基、ＯＨ基或具有２－６个碳原子的烷氧基的基团，和其中大于或等于９０％用Ｒ４表示的基团是具有１－１０个碳原子的未取代或取代的单价烃基）和Ｓ ｉＯ↓［４／２］单元组成的有机基聚硅氧烷树脂；和 （Ｅ）铂催化剂。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：水野春奈，堀诚司，山田高照，
申请(专利权)人：道康宁东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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