多层陶瓷电容器制造技术

本发明专利技术提供一种能够抑制在高温负载试验中伴随时间变化而发生的绝缘电阻的降低、进而在制造工序中即使没有设置再氧化处理的工序也具有高绝缘性的多层陶瓷电容器。本发明专利技术的多层陶瓷电容器是交替层叠由电介质陶瓷构成的电介质层和内部电极层而形成的，构成所述电介质陶瓷的结晶包含以钛酸钡为主要成分且Ｃａ浓度为０．２原子％以下的晶粒形成的第１结晶组和Ｃａ浓度为０．４原子％以上的晶粒形成的第２结晶组，构成所述第１结晶组的晶粒的表层部的镁及稀土元素的各浓度（Ｃ１）与构成第１结晶组的晶粒（９ａ）的中央部中含有的镁及稀土元素的各浓度（Ｃ２）的比（Ｃ２／Ｃ１）分别大于构成第２结晶组的晶粒（９ｂ）中的同浓度的比（Ｃ４／Ｃ３），而且，在将所述第１结晶组的晶粒的面积比例设为ａ、将所述第２结晶组的晶粒的比例设为ｂ时，ｂ／（ａ＋ｂ）比为０．５～０．８。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种多层陶瓷电容器，尤其涉及电介质层包含Ca浓度不 同的钛酸钡晶粒的小型高容量的多层陶瓷电容器。
技术介绍
近年来，随着手机等移动设备的普及或作为个人电脑等的主要部件的 半导体元件的高速、高频化，搭载于这样的电子设备中的多层陶瓷电容器 的小型、高容量化的要求越来越高。因此，构成多层陶瓷电容器的电介质 层需要薄层化和高层叠化。例如，在专利文献1中有如下记载作为构成电介质陶瓷的电介质粉末，混合使用A位点(site)的一部分被Ca置换的钛酸钡粉末(BCT粉 末)与不含有Ca的钛酸钡粉末(BT粉末)。这样，通过复合使用2种电 介质粉末，可以得到如下所述的多层陶瓷电容器，即使烧成后的电介质 层成为均以钛酸钡为主要成分且包含Ca浓度为0.2原子％以下的晶粒与 Ca浓度为0.4原子％以上的晶粒的复合粒子的层，另外还将电介质层的厚 度薄层化至2 u m的多层陶瓷电容器。专利文献l:特开2006—156450号公报但是，在所述专利文献1中公开的使用了包含复合粒子的电介质层的 多层陶瓷电容器存在的问题在于，在高温负载寿命的评价中，绝缘电阻随 着高温放置的时间逐渐地降低。进而，在制造所述多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电容器，其中，　所述多层陶瓷电容器是交替层叠由电介质陶瓷构成的电介质层和内部电极层而形成的，其中所述电介质陶瓷以钛酸钡为主要成分，含有钙、镁、钒及锰和选自镝、钬、铒及钇中的任意一种稀土元素，其特征在于，　构成所述电介质陶瓷的结晶包含：由以所述钛酸钡为主要成分且所述钙的浓度为０．２原子％以下的晶粒形成的第１结晶组；和由以所述钛酸钡为主要成分且所述钙的浓度为０．４原子％以上的晶粒形成的第２结晶组，　构成所述第１结晶组的晶粒的表层部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度（Ｃ１）与构成所述第１结晶组的晶粒的中央部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度（Ｃ２）的比（Ｃ２／Ｃ１）分别大于构成所述第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎洋一，大铃英之，藤冈芳博，福田大辅，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]