【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及功率电子电路的领域。本专利技术基于根据独立权利要求的前序部分的用于接通多个换向电压电平的变流器电路(Umrichterschaltung)。
技术介绍
变流器电路目前在很多功率电子应用中采用。对这种变流器电路的要求在此一方面是与该变流器电路按照通常方式连接的交流电压网的相位要产生尽可能少的谐波,另一方面是利用尽可能少的电子元件传输尽可能大的功率。用于接通多个换向电压电平的合适变流器电路在DE69205413T2中给出。其中为每一相设置第一接线组和n个其它的第一接线组,其中n≥1,第一接线组通过第一可控双向功率半导体开关和第二可控双向功率半导体开关形成,n个其它的第一接线组分别通过第一可控双向功率半导体开关和第二可控双向功率半导体开关以及通过与该第一和第二可控双向功率半导体开关连接的电容器形成。每个第一接线组都形成链路地分别与相邻的第一接线组连接,其中第一接线组和其它的第一接线组的第一和第二可控双向功率半导体开关相互连接。第一和第二可控双向功率半导体开关分别通过具有绝缘设置的控制电极的双极晶体管(IGBT-绝缘栅极双极晶体管)以及通过与该双极晶体管反并联连接的二极管形成。另一个用于接通多个换向电压电平的按规定变流器电路在WO2006/053448A1中给出。在根据DE69205413T2的用于接通多个换向电压电平的变流器电路中存在以下问题:在该变流器电路的运行期间存储在该变流器电路中的电能非常高。由于该电能存储在该变流器电路的n个第一接线组的电容器中,必须针对这些电能来设计这些电容器,也就是针对电容器的耐压性和/或容量而设计。但是这导致电容器 ...
【技术保护点】
一种用于接通多个换向电压电平的变流器电路,具有为每一相(R,S,T)设置的第一接线组(1),其中第一接线组(1)通过第一可控双向功率半导体开关(2)和第二可控双向功率半导体开关(3)形成,第一接线组(1)的第一和第二可控双向功率半导体开关(2,3)相互连接,其特征在于, 设置n个第二接线组(4.1,…4.n),每个第二接线组分别具有第一、第二、第三、第四、第五和第六可控双向功率开关半导体(5,6,7,8,9,10)和电容器(11),其中n≥1,第一可控双向功率半导体开关 (5)与第二可控双向功率半导体开关(6)反串联地连接,第三可控双向功率半导体开关(7)与第四可控双向功率半导体开关(8)反串联地连接,第一可控双向功率半导体开关(5)与电容器(11)连接,第三可控双向功率半导体开关(7)与电容器(11)连接,第五可控双向功率半导体开关(9)直接与第四可控双向功率半导体开关(8)连接,并且直接与第一可控双向功率半导体开关(5)和电容器(11)的连接点连接,第六可控双向功率半导体开关(10)直接与第二可控双向功率半导体开关(6)连接,并且直接与第三可控双向功率半导体开关(7)和电 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2006-10-18 06405441.41.一种用于接通多个换向电压电平的变流器电路,具有为每一相(R,S,T)设置的第一接线组(1),其中第一接线组(1)通过第一可控双向功率半导体开关(2)和第二可控双向功率半导体开关(3)形成,第一接线组(1)的第一和第二可控双向功率半导体开关(2,3)相互连接,其特征在于,设置n个第二接线组(4.1,...4.n),每个第二接线组分别具有第一、第二、第三、第四、第五和第六可控双向功率开关半导体(5,6,7,8,9,10)和电容器(11),其中n≥1,第一可控双向功率半导体开关(5)与第二可控双向功率半导体开关(6)反串联地连接,第三可控双向功率半导体开关(7)与第四可控双向功率半导体开关(8)反串联地连接,第一可控双向功率半导体开关(5)与电容器(11)连接,第三可控双向功率半导体开关(7)与电容器(11)连接,第五可控双向功率半导体开关(9)直接与第四可控双向功率半导体开关(8)连接,并且直接与第一可控双向功率半导体开关(5)和电容器(11)的连接点连接,第六可控双向功率半导体开关(10)直接与第二可控双向功率半导体开关(6)连接,并且直接与第三可控双向功率半导体开关(7)和电容器(11)的连接点连接,并且对于n>1来说n个第二接线组(4.1,...4.n)中的每个第二接线组(4.1,...4.n)都分别与相邻的第二接线组(4.1,...4.n)链接,第一接线组(1)与第一个第二接线组(4.1)连接,设置第三接线组(12)和第四接线组(13),第三接线组(12)和第四接线组(13)分别具有第一可控双向功率半导体开关(14,16)、第二可控双向功率半导体开关(15,17)和与第一以及第二可控双向功率半导体开关(14,15,16,17)连接的电容器(18,19),其中第一和第二可控双向功率半导体开关(14,15,16,17)相互连接,第三接线组(12)与第n个第二接线组(4.n)连接,第四接线组(13)与第n个第二接线组(4.n)连接,第三接线组(12)与第四接线组(13)连接。2.一种用于接通多个换向电压电平的变流器电路,具有为每一相(R,S,T)设置的第一接线组(1),其中第一接线组(1)通过第一可控双向功率半导体开关(2)和第二可控双向功率半导体开关(3)形成,第一接线组(1)的第一和第二可控双向功率半导体开关(2,3)相互连接,其特征在于,设置n个第二接线组(4.1,...4.n),每个第二接线组分别具有第一、第二、第三、第四、第五和第六可控双向功率开关半导体(5,6,7,8,9,10)和电容器(11),其中n≥1,第一可控双向功率半导体开关(5)与第二可控双向功率半导体开关(6)反串联地连接,第三可控双向功率半导体开关(7)与第四可控双向功率半导体开关(8)反串联地连接,第一可控双向功率半导体开关(5)与电容器(11)连接,第三可控双向功率半导体开关(7)与电容器(11)连接,第五可控双向功率半导体开关(9)直接与第四可控双向功率半导体开关(8)连接,并且直接与第一可控双向功率半导体开关(5)和电容器(11)的连接点连接,第六可控双向功率半导体开关(10)直接与第二可控双向功率半导体开关(6)连接,并且直接与第三可控双向功率半导体开关(7)和电容器(11)的连接点连接,并且对于n>1来说n个第二接线组(4.1,...4.n)中的每个第二接线组(4.1,...4.n)都分别与相邻的第二接线组(4.1,...4.n)链接,第一接线组(1)与第一个第二接线组(4.1)连接,设置第三接线组(12)和第四接线组(13),第三接线组(12)和第四接线组(13)分别具有第一可控双向功率半导体开关(14,16)、第二可控双向功率半导体开关(15,17)和与第一以及第二可控双向功率半导体开关(14,15,16,17)连接的电容器(18,19),其中第一和第二可控双向功率半导体开关(14,15,16,17)相互连接,设置p个第五接线组(20.1,...20.p),每个第五接线组分别具有第一和第二可控双向功率半导体开关(21,22),其中p≥1,对于p>1来说,p个第五接线组中的每个第五接线组都分别与相邻的第五接线组(20.1,...20.p)链接,第一个第五接线组(20.1)与第n个第二接线组(4.n)连接,第三接线组(12)与第p个第五接线组(20.p)连接,第四接线组(13)与第p个第五接线组(20.p)连接,第三接线组(12)与第四接线组(13)连接。3.根据权利要求1所述的变流器电路,其特征在于,第一接线组(1)的第一可控双向功率半导体开关(2)与第一个第二接线组(4.1)的第一可控双向功率半导体开关(5)和电容器(11)的连接点连接,第一接线组(1)的第二可控双向功率半导体开关(3)与第一个第二接线组(4.1)的第三可控双向功率半导体开关(7)和电容器(11)的连接点连接,第三接线组(12)的第一可控双向功率半导体开关(14)和第二可控双向功率半导体开关(15)的连接点与第n个第二接线组(4.n)的第二可控双向功率半导体开关(6)和第六可控双向功率半导体开关(10)的连接点连接,第四接线组(13)的第一可控双向功率半导体开关(16)和第二可控双向功率半导体开关(17)的连接点与第n个第二接线组(4.n)的第四可控双向功率半导体开关(8)和第五可控双向功率半导体开关(9)的连接点连接,以及第三接线组(12)的电容器(18)与第四接线组(13)的电容器(19)连接。4.根据权利要求1所述的变流器电路,其特征在于,第一接线组(1)的第一可控双向功率半导体开关(2)与第一个第二接线组(4.1)的第一可控双向功率半导体开关(5)和电容器(11)的连接点连接,第一接线组(1)的第二可控双向功率半导体开关(3)与第一个第二接线组(4.1)的第三可控双向功率半导体开关(7)和电容器(11)的连接点连接,在每个第二接线组(4.1,...4.n)中,第五可控双向功率半导体开关(9)与第四可控双向功率半导体开关(8)的连接都在第四可控双向功率半导体开关(8)和第三可控双向功率半导体开关(7)的连接点处,在每个第二接线组(4.1,...4.n)中,第六可控双向功率半导体开关(10)与第二可控双向功率半导体开关(6)的连接都在第二可控双向功率半导体开关(6)和第一可控双向功率半导体开关(5)的连接点处,第三接线组(12)的第一可控双向功率半导体开关(14)和第二可控双向功率半导体开关(15)的连接点与第n个第二接线组(4.n)的第二可控双向功率半导体开关(6)连接,第四接线组(13)的第一可控双向功率半导体开关(16)和第二可控双向功率半导体开关(17)的连接点与第n个第二接线组(4.n)的第四可控双向功率半导体开关(8)连接,第三接线组(12)的电容器(18)与第四接线组(13)的电容...
【专利技术属性】
技术研发人员:P巴博萨,P斯泰默,T乔德休里,
申请(专利权)人:ABB研究有限公司,
类型:发明
国别省市:CH[瑞士]
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