【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有纳米管元件的非易失性开关器件，以及形成这些器件的方法。现有技术的讨论对于允许更大存储器功能的更高密度的存储器，有持续增加的需求，包括 独立式及嵌入式，其范围为从数百KB至超过1 GB的存储器。这些所需要具 有越来越高的密度、贩卖数量越来越多、以及每位价格更低的更大的存储器向 半导体行业提出挑战，以迅速地改进几何结构工艺特征。例如，这种需求将光 刻技术推动至更小的线宽及间距尺寸、各层之间有相对应的经改进对准、诸如 例如更小晶体管及储存元件的经改进的工艺特征/结构，但也包括容纳更大的存 储器功能、或组合的存储器与逻辑功能所需的增加的芯片大小。由于更小的几 何结构，对于更小大小的缺陷的敏感度增加，同时总缺陷密度必须显著地减少。当转换至新的更高密度的技术节点时，光刻及相对应的工艺改变对逻辑电 路与存储器支持电路而言，通常造成绝缘体与导体在X与Y方向尺寸减小0.7 倍，或者面积縮减2倍。通常加入对该存储单元而言独特的工艺特征，从而导 致除光刻改进所造成的面积縮减外额外面积縮减典型的0.7倍，以致存储单元 达到约2.8倍的单元面积縮减。在DRAM中，例...
【技术保护点】
一种非易失性纳米管二极管器件，包括： 第一端子及第二端子； 半导体元件，包括阴极及阳极，且能响应于施加至所述第一导电端子的电刺激，在所述阴极与阳极之间形成导电路径；以及 纳米管开关元件，包括与所述半导体元件电连通的纳米管结 构制品，所述纳米管结构制品设置在所述半导体元件与所述第二端子之间，且能在所述半导体元件与所述第二端子之间形成导电路径； 其中施加在所述第一及第二端子上的电刺激造成多个逻辑状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：CL伯廷，T鲁克斯，XMH黄，R斯瓦拉贾，EG根丘，SL孔瑟科，M梅恩霍德，
申请(专利权)人：南泰若股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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