【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电涡流传感器。技术背景目前，化学机械抛光工艺前后均采用涡流传感器测量硅片的铜膜厚度和形貌。 随着硅片特征尺寸的减小，芯片制造时的观察窗也随之减小。对于化学机械抛光过程来 说，准确而灵敏地测量铜膜厚度是极其重要的。增大传感器探针的尺寸能增强灵敏度， 但它会牺牲径向轮廓测量时的径向分辨率。而多区域控制的化学机械抛光工艺对硅片形 貌测量时的分辨率要求极高。现有技术中用于硅片膜厚测量的电涡流传感器的探针截面多为圆形，其分辨率 和灵敏度已经不能满足芯片制造过程中硅片膜厚测量的需求。可以通过增大探针截面的 尺寸来提高灵敏度，但是其径向尺寸也增加，从而牺牲了其径向的分辨率。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提出一种具有高灵敏度和高径向分辨率的电涡流传感 为了实现上述目的，根据本专利技术的实施例提出一种电涡流传感器，所述电涡流 传感器包括磁芯，所述磁芯的垂直于磁芯高度方向的截面为矩形截面；和线圈，所述 线圈沿所述矩形截面的周向缠绕在所述磁芯的外周壁上。根据本专利技术实施例的电涡流传感器具有矩形的探测面...
【技术保护点】
一种电涡流传感器，其特征在于，包括：磁芯，所述磁芯的垂直于磁芯高度方向的截面为矩形截面；和线圈，所述线圈沿所述矩形截面的周向缠绕在所述磁芯的外周壁上。
【技术特征摘要】
1.一种电涡流传感器，其特征在于，包括磁芯，所述磁芯的垂直于磁芯高度方向的截面为矩形截面；和线圈，所述线圈沿所述矩形截面的周向缠绕在所述磁芯的外周壁上。2.根据权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述磁芯为长方体，所述矩形 截面的长宽比为10 15 1，且所述矩形截面的宽度为3 5mm。3.根据权利要求2所述的电涡流传感器，其特征在于，所述磁芯的外周壁上设有周向 凹槽，其中所述线圈容纳在所述凹槽内。4.根据权利要求1-3中任一项所述的电涡流传感器，其特征在于，还包括壳体，所述 壳体内限定有容纳腔，所述壳体的顶壁上设有开口，其中所述磁芯和线圈设置在所述容 纳腔内。5.根据权利...
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