【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体光发射器件。
技术介绍
在整个说明书中，引用了参考文献。这些参考文献中的每一个的各自 全部内容通过引用结合。发光二极管(LED)是由其中电子和空穴复合而湮灭，从而形成光子的 电激发产生光的半导体器件。这些结构通常通过OMVPE (有机-金属气相外延)在蓝宝石或碳化硅衬底上生长。附图说明图1显示了 OMVPE生长的标准m族氮化物半导体LED的一个实例， 所述III族氮化物半导体LED由以下组成蓝宝石衬底(101)、 2pm厚的本 征掺杂氮化镓(GaN)缓冲层(102)、硅掺杂的2pm的n型GaN层(103)、由 单量子阱或多量子阱组成的氮化镓铟(InGaN)有源区(104)、由镁掺杂的p 型AlGaN组成的电流阻挡层(105)，以及镁掺杂的p型GaN层(106)。在如图2中所示，这种LED结构外延生长在衬底上，在这种情况下 该衬底为蓝宝石，使得在衬底的表面上形成若干LED，并且在各个单个 LED的n型GaN层(203)和p型GaN层(206)上安置有电端子(207)(208)。如美国专禾lj 4,855,249(Isamu Akasaki等，1...
【技术保护点】
一种光发射器，其包括： ａ）第一反射镜，所述第一反射镜是外延生长的金属反射镜； ｂ）第二反射镜； ｃ）有源区，所述有源区外延生长，使得所述有源区位于所述第一反射镜和所述第二反射镜之间的至少一个腹点上或在所述腹点附近。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-8-6 60/835,9341. 一种光发射器，其包括a)第一反射镜，所述第一反射镜是外延生长的金属反射镜；b)第二反射镜；c)有源区，所述有源区外延生长，使得所述有源区位于所述第一反射镜和所述第二反射镜之间的至少一个腹点上或在所述腹点附近。2. 权利要求1所述的光发射器，其中所述第一反射镜生长在III族氮 化物结构上。3. 权利要求1所述的光发射器，还包括a) 在所述第一反射镜和所述第二反射镜之间的n型III族氮化物层；和b) 在所述第一反射镜和所述第二反射镜之间的p型III族氮化物层。4. 权利要求1所述的光发射器，还包括在所述第一反射镜和所述第二反射镜之间的p-AlGaN层。5. 权利要求1所述的光发射器，其中所述第一反射镜对光是部分透明 并且是部分反射的。6. 权利要求1所述的光发射器，还包括透明衬底。7. 权利要求1所述的光发射器，其中所述第一反射镜对光是反射并且 是非透明的。8. 权利要求3所述的光发射器，其中所述n型III族氮化物层外延生 长至具有使所述有源区的中心位于驻光波的腹点上或在所述腹点附近的厚度。9. 权利要求3所述的光发射器，其中所述p型III族氮化物层外延生 长至具有使所述有源区的中心位于驻光波的腹点上或在所述腹点附近的厚度。10. 权利要求1所述的光发射器，其中空腔长度Lc等于dl+ d2，其中dt在所述有源区的中心和GEMM之间的距离 (0.25yN) + M(0.5yN)-PDl;并且d2 =在所述有源区的中心和所述第二反射镜之间的距离 (0.25^N) + M(0.5yN)-PD2，条件是所述第二反射镜是金属；禾口 ~ (0.75人/N)+M(0.5人/N)，条件是所述第二反射镜为分布布拉格反射器， 其中人是在真空中由所述有源区产生的光的波长，N是所述III族氮 化物材料的折射率，M是从0开始的在所述III族氮化物材料内的半波长 的整数倍，并且PD1和PD2分别是光进入所述第一反射镜和所述第二反 射镜的穿透深度。11. 权利要求1所述的光发射器，其中所述有源区的厚度具有小于 0.25X/N的宽度，以保持所述有源区位于驻光波的腹点上或在所述腹点附 近，其中人是在真空中由所述有源区产生的光的波长，N是所述III族氮 化物材料的折射率。12. 权利要求11所述的光发射器，其中所述有源区安置的最大偏差由 0.125(A7N)-0.5(Wa!0限定，其中W^是所述有源区的宽度，X是在真空中 由所述有源区产生的光的波长，N是所述III族氮化物材料的折射率。13. 权利要求1所述的光发射器，其中所述第一反射镜组成是下列组 成中的至少一种Zr禾PHf， HfxZr,.x，其中x在O和l之间；禾口ZrN和HfN以及TiN， HfxZryYzN，其中x+y+z=l...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗比J乔根森，
申请(专利权)人：光波光电技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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